【技术实现步骤摘要】
本公开实施例属于半导体封装设备，具体涉及一种磁性载具及半导体制程设备。
技术介绍
1、在倒装芯片球栅格阵列的封装发展的趋势中，由于芯片的技术受限，扇出型、2.5d和3d封装技术发展越来越快，基板的厚度会越来越薄，基板的翘曲度和芯片的翘曲度会越来越大，且翘曲形态各异，芯片和基板的翘曲无法满足相同的趋势，因此，如果采用现有的磁性载具及盖板，就会出现以下问题：1)磁性载具和盖板只能把基板压平，且只对“笑脸”形态的基板有效，无法改变基板的形态基板翘和芯片曲度大会发生锡球电性焊接点虚焊或桥接；2)现有盖板不能压住芯片上方，无法控制芯片的翘曲基板和芯片的翘曲；3)磁性载具和盖板无法对“哭脸”形态的基板起到有效的压平作用，所以当芯片在高温状态下形变时，磁性载具和盖板无法让“哭脸”形态的基板随着芯片的形变而改变成“笑脸”，从而导致锡球电性焊接点虚焊或桥接，造成良率低。
2、针对上述问题，有必要提出一种设计合理且有效解决上述问题的磁性载具及半导体制程设备。
技术实现思路
1、本公开实施例旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种磁性载具及半导体制程设备。
2、本公开实施例的一方面提供一种磁性载具，用于半导体封装中芯片和基板的焊接，包括：
3、磁性基座；
4、金属盖板，所述金属盖板与所述磁性基座磁性吸附连接以形成收容空间；其中，
5、所述收容空间用于收容所述基板，所述基板背离所述磁性基座的表面设置有所述芯片；
6、至少一对
7、可选的，所述限位件包括至少部分叠设于所述金属盖板之上的连接部以及自所述连接部的端部向所述芯片弯折延伸形成的限位部；其中，
8、所述限位部作用于所述芯片，以改变所述芯片的翘曲方向。
9、可选的，所述限位件包括与所述金属盖板相连的连接部以及自所述连接部的端部向所述基板弯折延伸形成的限位部；其中，
10、所述限位部作用于所述基板，以改变所述基板的翘曲方向。
11、可选的，所述磁性基座对应于所述基板的中央区域呈镂状态，以形成镂空区域；
12、所述镂空区域，用于为所述基板的形变提供形变空间。
13、可选的，所述限位部在所述镂空区域的正投影落在所述镂空区域的内侧。
14、可选的，所述限位部在所述芯片上的正投影位于所述芯片的外侧。
15、可选的，所述基板上还设置有围设于所述芯片周边的被动元件；
16、所述限位部在所述芯片上的正投影位于所述芯片和所述被动元件之间。
17、可选的，所述限位部在所述被动元件上的正投影位于所述被动元件的外侧。
18、可选的，所述限位件设置于所述金属盖板沿其长度方向的中央区域。
19、本公开实施例的另一方面提供一种半导体制程设备，包括前文所述的磁性载具。
20、本公开实施例的磁性载具及半导体制程设备，该磁性载具用于半导体封装中芯片和基板的焊接，通过设置至少一对限位件，每对限位件相对间隔设置于金属盖板，限位件作用于基板或芯片，以在回流焊接过程中使基板的翘曲方向与芯片的翘曲方向趋于一致。通过该磁性载具可以改善芯片和基板在过高温炉时的翘曲度，使基板的翘曲方向与芯片的翘曲方向趋于一致，从而降低锡球电性焊接点虚焊或桥接，提高产品良率。
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1.一种磁性载具，用于半导体封装中芯片和基板的焊接，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的磁性载具，其特征在于，所述限位件包括至少部分叠设于所述金属盖板之上的连接部以及自所述连接部的端部向所述芯片弯折延伸形成的限位部；其中，
3.根据权利要求1所述的磁性载具，其特征在于，所述限位件包括与所述金属盖板相连的连接部以及自所述连接部的端部向所述基板弯折延伸形成的限位部；其中，
4.根据权利要求3所述的磁性载具，其特征在于，所述磁性基座对应于所述基板的中央区域呈镂状态，以形成镂空区域；
5.根据权利要求4所述的磁性载具，其特征在于，所述限位部在所述镂空区域的正投影落在所述镂空区域的内侧。
6.根据权利要求3所述的磁性载具，其特征在于，所述限位部在所述芯片上的正投影位于所述芯片的外侧。
7.根据权利要求6所述的磁性载具，其特征在于，所述基板上还设置有围设于所述芯片周边的被动元件；
8.根据权利要求7所述的磁性载具，其特征在于，所述限位部在所述被动元件上的正投影位于所述被动元件的外侧。
9.
10.一种半导体制程设备，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的磁性载具。
...【技术特征摘要】
1.一种磁性载具，用于半导体封装中芯片和基板的焊接，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的磁性载具，其特征在于，所述限位件包括至少部分叠设于所述金属盖板之上的连接部以及自所述连接部的端部向所述芯片弯折延伸形成的限位部；其中，
3.根据权利要求1所述的磁性载具，其特征在于，所述限位件包括与所述金属盖板相连的连接部以及自所述连接部的端部向所述基板弯折延伸形成的限位部；其中，
4.根据权利要求3所述的磁性载具，其特征在于，所述磁性基座对应于所述基板的中央区域呈镂状态，以形成镂空区域；
5.根据权利要求4所述的磁性载具，其特征在于，所述限位部在...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡林，陈洋，焦洁，郭瑞亮，
申请(专利权)人：苏州通富超威半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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