一种硅片沟槽开槽方法技术

一种硅片沟槽开槽方法，步骤包括：印刷保护层、激光开槽、腐蚀、去除表面保护层、清洗、烘干。本发明专利技术相较于原工艺的有益效果是采用先激光开槽再沟槽腐蚀的沟槽制作方式，可以防止因腐蚀时间长导致硅片表面保护层脱落，大大缩短沟槽制作的时间，确保保护层与硅片表面的粘附性，避免保护层脱落的不良现象。

A Method of Slotting Silicon Wafer Grooves

A silicon wafer grooving method comprises the following steps: printing protective layer, laser grooving, corrosion, removal of surface protective layer, cleaning and drying. Compared with the original process, the invention has the beneficial effect of adopting the groove fabrication method of Laser Grooving before groove corrosion, which can prevent the protective layer from falling off due to the long corrosion time, greatly shorten the groove fabrication time, ensure the adhesion between the protective layer and the surface of the silicon wafer, and avoid the bad phenomenon of the protective layer falling off.

【技术实现步骤摘要】
一种硅片沟槽开槽方法
本申请属于GPP生产
，具体地说，涉及一种硅片沟槽开槽方法。
技术介绍
GPP是Glassivationpassivationparts的缩写，是玻璃钝化类器件的统称。该产品就是在现有产品普通硅整流扩散片的基础上对拟分割的管芯P/N结面四周烧制一层玻璃，玻璃与单晶硅有很好的结合特性，使P/N结获得最佳的保护，免受外界环境的侵扰，提高器件的稳定性，信赖性极佳。也因此GPP在电子领域的应用越来越广泛。相应的GPP生产工艺，越来越受到行业内的关注，如何更有效、更快速、更高品质的生产GPP成为一个课题。目前常用的沟槽制作方法是用酸对硅片进行沟槽腐蚀，但是腐蚀的速度并不快，当需要腐蚀的沟槽深度较深时，则需要长时间的腐蚀，硅片长时间侵泡在腐蚀液中易导致硅片表面的保护层脱落，造成腐蚀不良。
技术实现思路
有鉴于此，本申请所要解决的技术问题是提供了一种硅片沟槽开槽方法，能够能够缩短原工艺的腐蚀时间，确保保护层与产品表面的粘附性，避免保护层脱落的不良现象。为了解决上述技术问题，本申请公开了一种硅片沟槽开槽方法，并采用以下技术方案来实现。一种硅片沟槽开槽方法，步骤包括：印刷保护层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片沟槽开槽方法，步骤包括：印刷保护层：按预定图形对待开槽的硅片表面印刷保护层；激光开槽：将印刷完保护层的硅片送至激光头下，用激光对硅片表面进行扫描，对硅片未印刷保护层的裸露部分进行灼烧，以达到开槽目的；腐蚀：将激光开槽后硅片上的沟槽进行进一步的腐蚀开槽，腐蚀出扩散结深；去除表面保护层：去除硅片上的保护层。

【技术特征摘要】
1.一种硅片沟槽开槽方法，步骤包括：印刷保护层：按预定图形对待开槽的硅片表面印刷保护层；激光开槽：将印刷完保护层的硅片送至激光头下，用激光对硅片表面进行扫描，对硅片未印刷保护层的裸露部分进行灼烧，以达到开槽目的；腐蚀：将激光开槽后硅片上的沟槽进行进一步的腐蚀开槽，腐蚀出扩散结深；去除表面保护层：去除硅片上的保护层。2.根据权利要求1所述硅片沟槽开槽方法，其特征在于：所述激光开槽的开槽深度为20um～50um。3.根据权利要求1或2所述硅片沟槽开槽方法，其特征在于：所述腐蚀包括酸腐蚀和酸清洗，所述酸腐蚀进一步腐蚀开槽，腐蚀出扩散结深；所述酸清洗用于清洗掉酸腐蚀时残余的腐蚀液。4.根据权利要求3所述硅片沟槽开槽方法，其特征在于：所述酸清洗包括两级纯水溢流槽。5.根据权利要求1、2、4任一所述硅片沟槽开槽方法，其特征在于：去除表面保护层包括去除保护层和碱清洗，所述去除保护层用...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓捧，王彦君，孙晨光，徐长坡，陈澄，武卫，梁效峰，王宏宇，杨玉聪，史丽萍，徐艳超，陈亚彬，
申请(专利权)人：天津环鑫科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12