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一种硅片沟槽开槽方法，步骤包括：印刷保护层、激光开槽、腐蚀、去除表面保护层、清洗、烘干。本发明相较于原工艺的有益效果是采用先激光开槽再沟槽腐蚀的沟槽制作方式，可以防止因腐蚀时间长导致硅片表面保护层脱落，大大缩短沟槽制作的时间，确保保护层与硅...
该专利属于天津环鑫科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津环鑫科技发展有限公司授权不得商用。

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