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本发明公开了一种集成电路制造工艺的返工方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底上形成光刻胶，进行第一次光刻工艺；步骤二、进行显影后检测，在显影后检测超范围时进行如下返工步骤：步骤21、采用空白光罩对光刻胶进行全面的第二次曝光；步骤22、进行第二...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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