回收碳化硅衬底的方法技术

本申请提出一种回收碳化硅衬底的方法，包括：采用干法刻蚀去除所述碳化硅衬底上的部分外延层；采用湿法刻蚀去除剩余的外延层；清洗所述碳化硅衬底表面并吹干。本申请所提出的碳化硅衬底的回收方法，能够加快去除外延层的速率，加快了回收效率，并且无需使用抛光和研磨工艺，不会减少碳化硅衬底的厚度，降低了后续工艺的难度。

Method of Recovering Silicon Carbide Substrate

This application proposes a method for recovering silicon carbide substrate, including: removing part of the epitaxial layer on the silicon carbide substrate by dry etching; removing the remaining epitaxial layer by wet etching; cleaning and drying the silicon carbide substrate surface. The recovery method of silicon carbide substrate proposed in this application can speed up the removal rate of epitaxy layer and speed up the recovery efficiency, and does not need to use polishing and grinding process, will not reduce the thickness of silicon carbide substrate and reduce the difficulty of subsequent process.

【技术实现步骤摘要】
回收碳化硅衬底的方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种回收碳化硅衬底的方法。
技术介绍
近年来，基于氮化物的HEMT(高电子迁移率晶体管)已经在移动，卫星，雷达通信等领域得到应用。在用于氮化物材料沉积的主流衬底(例如蓝宝石，硅，碳化硅等)中，由于碳化硅的制造成本较高且市场上的供应有限，所以碳化硅衬底的成本通常是其他类型衬底的10倍以上。并且，虽然碳化硅衬底具有很高的成本，但是目前主要的高性能HEMT器件均需要使用碳化硅衬底，碳化硅衬底由于对HEMT器件性能方面的高要求而无法被其它衬底代替。因此，在测试之后或氮化物材料沉积失败后对碳化硅衬底进行回收具有显著的经济效益。回收可再用于HEMT外延的碳化硅衬底在技术上非常具有挑战性，因为回收的碳化硅衬底不仅需要表面光滑而且衬底表面不能有任何微量的化学污染。目前常规的碳化硅回收技术涉及机械减薄和抛光，由于各种抛光剂与研磨液的使用，很容易引入化学污染。此外，常规回收方法由于使用研磨与抛光工艺会使碳化硅衬底的厚度变薄，而衬底厚度变化会引起随后的氮化物外延参数(例如外延过程中衬底表面温度)的变化，进而影响最终器件的性能。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种回收碳化硅衬底的方法，其特征在于，包括：采用干法刻蚀去除所述碳化硅衬底上的部分外延层；采用湿法刻蚀去除剩余的外延层；清洗所述碳化硅衬底表面并吹干。

【技术特征摘要】
1.一种回收碳化硅衬底的方法，其特征在于，包括：采用干法刻蚀去除所述碳化硅衬底上的部分外延层；采用湿法刻蚀去除剩余的外延层；清洗所述碳化硅衬底表面并吹干。2.根据权利要求1所述的回收碳化硅衬底的方法，其特征在于，所述干法刻蚀为ICP干法刻蚀或者RIE干法刻蚀。3.根据权利要求1所述的回收碳化硅衬底的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀采用10％-50％的KOH溶液。4.根据权利要求3所述的回收碳化硅衬底的方法，其特征在于，在所述KOH溶液中加入乙二醇，并将溶液加热到100℃以上。5.根据权利要求1所述的回收碳化硅衬底的方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪贤锋，范谦，何伟，
申请(专利权)人：苏州汉骅半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32