温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提出一种回收碳化硅衬底的方法，包括：采用干法刻蚀去除所述碳化硅衬底上的部分外延层；采用湿法刻蚀去除剩余的外延层；清洗所述碳化硅衬底表面并吹干。本申请所提出的碳化硅衬底的回收方法，能够加快去除外延层的速率，加快了回收效率，并且无需使用抛...
该专利属于苏州汉骅半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州汉骅半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。