The invention provides a method for removing the oxide layer on the electrode surface, including soaking silicon wafer with ammonium fluoride corrosion solution, ammonium fluoride corrosion solution including saturated ammonium fluoride solution and hydrofluoric acid, and the volume ratio of saturated ammonium fluoride solution to hydrofluoric acid is 7:1 12:1. The beneficial effect of the present invention is to remove the oxide layer on the surface of silicon wafer by chemical method without mechanical stress and reduce the fragmentation rate of silicon wafer; the overall process of the method of removing the oxide layer on the surface is simple, the process variables are few, the process window is large enough, the production capacity is easy to expand and the stable control of production is convenient; and the reaction process adopts normal temperature conditions to facilitate the control of homogeneity.
【技术实现步骤摘要】
一种去除电极面氧化层的方法
本专利技术属于硅片生产
，尤其是涉及一种去除电极面氧化层的方法。
技术介绍
在硅片生产技术中，目前大多数采用物理方法(打砂)或者化学方法来去除电极面的氧化层。在打砂的过程中，存在如下问题：1.打砂压力过大会导致硅片破裂，打砂压力过小会导致氧化层残留；2.打砂压力还要与链速进行匹配，工艺窗口很小。用化学方法去除电极面氧化层，存在如下问题：1.通常要结合物理方法，设计的工艺变量较多，工艺过程复杂，并且产能低下，生产稳定性控制困难；2.破片率高，反应过程的均一性难控制；
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种利用化学方法去除硅片电极面氧化层的方法改善现有去除电极面氧化层工艺变量多，工艺窗口小，反应过程均一性差的问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：一种去除电极面氧化层的方法，包括用氟化铵腐蚀液浸泡硅片，所述氟化铵腐蚀液包括饱和氟化铵溶液和氢氟酸，所述饱和氟化铵溶液与所述氢氟酸的体积比为7:1-12:1。进一步地，所述饱和氟化铵溶液与所述氢氟酸的体积比为10:1。进一步地，所述用氟化铵腐蚀液浸泡硅片的时间为10-30min。...
【技术保护点】
1.一种去除电极面氧化层的方法，其特征在于：包括用氟化铵腐蚀液浸泡硅片，所述氟化铵腐蚀液包括饱和氟化铵溶液和氢氟酸，所述饱和氟化铵溶液与所述氢氟酸的体积比为7:1‑12:1。
【技术特征摘要】
1.一种去除电极面氧化层的方法，其特征在于：包括用氟化铵腐蚀液浸泡硅片，所述氟化铵腐蚀液包括饱和氟化铵溶液和氢氟酸，所述饱和氟化铵溶液与所述氢氟酸的体积比为7:1-12:1。2.根据权利要求1所述的一种去除电极面氧化层的方法，其特征在于：所述饱和氟化铵溶液与所述氢氟酸的体积比为10:1。3.根据权利要求1所述的一种去除电极面氧化层的方法，其特征在于：所述用氟化铵腐蚀液浸泡硅片...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁效峰，王彦君，孙晨光，徐长坡，陈澄，武卫，王鹏，杨玉聪，韩义胜，王浩，张妍，
申请(专利权)人：天津环鑫科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12
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