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本发明提供一种去除电极面氧化层的方法，包括用氟化铵腐蚀液浸泡硅片，氟化铵腐蚀液包括饱和氟化铵溶液和氢氟酸，饱和氟化铵溶液与氢氟酸的体积比为7:1‑12:1。本发明的有益效果是采用化学方法去除硅片表面氧化层，无机械应力，降低硅片破片率；去除表...
该专利属于天津环鑫科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津环鑫科技发展有限公司授权不得商用。

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