【技术实现步骤摘要】
一种氮化铝膜的制备方法
本专利技术涉及氮化铝薄膜，具体为一种可实现原子级平整、无应力的氮化铝膜的制备方法。
技术介绍
氮化铝(AlN)是一种具有宽直接带隙的Ⅲ-Ⅴ族半导体，具有高热导率、高机械强度、高化学稳定性和强的抗辐照能力等性质，在光电子、高温大功率器件和高频宽带通讯器件应用方面有着广阔的前景。另外，AlN还可以与氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)混合形成三元或四元化合物，基于此，制备出的光电器件在可见光波长到紫外光波长都有效。目前工业上采用的是异质外延(以蓝宝石或碳化硅作为衬底)技术采用两步法生长AlN薄膜，即先低温生长AlN作为缓冲层，再生长高温AlN。然而，利用两步法生长氮化铝薄膜，工艺复杂，生产成本高。然而，采用一步法生长的话，氮化铝在蓝宝石基底上成核困难，进一步成膜的难度大大增加。
技术实现思路
本专利技术的一个主要目的在提供一种氮化铝膜的制备方法，包括：提供垂直结构石墨烯纳米片；以及在所述垂直结构石墨烯纳米片上形成氮化铝膜。根据本专利技术一实施方式，所述石墨烯垂直生长于基底上，所述基底为耐高温玻璃。根据本专利技术一实施方式，所述耐高温玻璃选自石英玻璃、...
【技术保护点】
1.一种氮化铝膜的制备方法，包括：提供垂直结构石墨烯纳米片；以及在所述垂直结构石墨烯纳米片上形成氮化铝膜。
【技术特征摘要】
1.一种氮化铝膜的制备方法，包括：提供垂直结构石墨烯纳米片；以及在所述垂直结构石墨烯纳米片上形成氮化铝膜。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述石墨烯纳米片垂直生长于基底上，所述基底为耐高温玻璃。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述耐高温玻璃选自石英玻璃、蓝宝石玻璃或耐高温硼硅玻璃。4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述垂直结构石墨烯纳米片通过直流等离子体增强化学气相沉积形成于所述基底，形成温度为580℃～1000℃。5.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述垂直结构石墨烯纳米片的生长过程中，生长时间为3～15分钟；或者所使用的碳源与氢气的流量比为(20～50):20。6.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述垂直...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘忠范，慈海娜，高鹏，
申请(专利权)人：北京石墨烯研究院，北京大学，
类型：发明
国别省市：北京,11
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