一种高性能多元非晶金属氧化物薄膜晶体管的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高性能多元非晶金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，多元非晶金属氧化物薄膜晶体管由下自上依次包括衬底、IAZO有源层、源电极和漏电极，源电极和漏电极生长在IAZO有源层上，包括：(1)清洗衬底；(2)使用射频磁控溅射法在衬底上生长所述IAZO有源层；(3)使用电子束蒸发，在IAZO有源层表面生长源电极和漏电极，即得。采用射频磁控溅射法的制备工艺，可以制备与靶材组分相近、致密、均一性良好的半导体薄膜材料，与现有的平板显示工艺相兼容，有利于IAZO TFT的低温制备。

【技术实现步骤摘要】
一种高性能多元非晶金属氧化物薄膜晶体管的制备方法
本专利技术涉及一种高性能多元非晶金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，属于半导体材料与器件

技术介绍
近年来，薄膜晶体管(TFT)作为下一代显示器的开关和驱动元件，已经成为人们的研究热点并得到广泛应用。目前，硅基TFT依然是市场的主角，然而，传统的非晶硅TFT迁移率低、稳定性差，多晶硅薄TFT成本高、均一性差、难以大面积生产，同时它们在可见光波段不透明，已经无法满足未来显示器件高像素、高响应、低功耗、柔性化和透明化的要求。金属氧化物薄膜晶体管因迁移率高、制备温度低、工艺简单、可柔性、透明等优点开始进入人们的视野。尤其是在2004年，Hosono研究小组首次在Nature上报道了室温下制备的以非晶IGZO为有源层的透明柔性TFT，器件的场效应迁移率达到了6-9cm2/Vs，并且首次解释了非晶材料独特的导电机制[NomuraK.,OhtaH.,TakagiA.,KamiyaT.,HiranoM.andHosonoH.Room-temperaturefabricationoftransparentflexiblethin-filmtra本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高性能多元非晶金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述多元非晶金属氧化物薄膜晶体管由下自上依次包括衬底、IAZO有源层、源电极和漏电极，所述源电极和漏电极生长在所述IAZO有源层上，包括：(1)清洗所述衬底；(2)使用射频磁控溅射法在所述衬底上生长所述IAZO有源层；(3)使用电子束蒸发，在所述IAZO有源层表面生长源电极和漏电极，即得。

【技术特征摘要】
1.一种高性能多元非晶金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述多元非晶金属氧化物薄膜晶体管由下自上依次包括衬底、IAZO有源层、源电极和漏电极，所述源电极和漏电极生长在所述IAZO有源层上，包括：(1)清洗所述衬底；(2)使用射频磁控溅射法在所述衬底上生长所述IAZO有源层；(3)使用电子束蒸发，在所述IAZO有源层表面生长源电极和漏电极，即得。2.根据权利要求1所述的一种高性能多元非晶金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，使用射频磁控溅射法在所述衬底上生长IAZO有源层，包括：A、打开射频磁控溅射腔室门，放入所述衬底、IAZO陶瓷靶，关闭腔室门；B、抽真空，直到腔室内真空度低于8×10-6Torr；C、往腔室内通入Ar，0.5-1.5分钟后停止充气，此操作重复2-4次；D、设置溅射功率为88-92W，通入Ar，调节气体流速至19-21SCCM，保持室内工作气压为3.65-3.70mTorr；E、溅射13–14分钟，关闭溅射电源；F、等待20–40分钟后，取出样品，关闭仪器，溅射过程结束。3.根据权利要求2所述的一种高性能多元非晶金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤C中，往腔室内通入高纯Ar，1分钟后停止充气，此操作重复3次；所述步骤D中，设置溅射功率为90W，通入Ar，调节气体流速至20SCCM，保持室内工作气压为3.68mTorr；所述步骤E中，溅射13分钟20秒，关闭溅射电源；所述步骤F中，等待30分钟后，取出样品，关闭仪器，溅射过程结束。4.根据权利要求1所述的一种高性能多元非晶金属氧化物薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯先进，徐伟东，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：山东,37