一种芯片镜面抛光研磨工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种芯片镜面抛光研磨工艺，包括如下步骤：S1、将硅片通过吸盘进行固定，然后对硅片进行超声清洗，去除硅片表面的粉尘颗粒后，对粉尘颗粒进行收集清洁处理；S2、使用抛光磨轮对硅片进行磨片处理，采用冷却水系统边打磨边向硅片喷水冷却，直至硅片表面达到粗抛的粗糙度；S3、对粗抛后的硅片进行烘干，然后采用胆碱工艺对硅片进行清洗。本发明专利技术提供的一种芯片镜面抛光研磨工艺，与传统技术相比，该方法采用胆碱清洗代替氢氧化钠清洗，硅片表面的划痕大为改观，改善表面加工质量；加装INNERNOZZLE水冷系统，改善硅片表面的冷却效果；提高产品厚度均匀性，提高产品平整度；不用蜡，减少清洗试剂污染，降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片镜面抛光研磨工艺
本专利技术属于硅片材料加工
，更具体地说，尤其涉及一种芯片镜面抛光研磨工艺。
技术介绍
现有的芯片镜面抛光研磨工艺一般为一下两种：一、有蜡：来料—贴片—磨片—抛光—取片—去蜡—清洗—检验。二、无蜡+抛光：来料—清洗—无蜡磨片—贴片—抛光—取片—去蜡—清洗—检验。以上两种工艺工序多，成本高，去蜡试剂涉及环保问题，不易清洗干净，产品成本率低，精度低。为此，提供一种工艺来提高产品厚度均匀性，提高产品平整度，同时，不用蜡，减少清洗试剂污染，降低成本，就尤为重要了。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种芯片镜面抛光研磨工艺。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种芯片镜面抛光研磨工艺，包括如下步骤：S1、将硅片通过吸盘进行固定，然后对硅片进行超声清洗，去除硅片表面的粉尘颗粒后，对粉尘颗粒进行收集清洁处理；S2、使用抛光磨轮对硅片进行磨片处理，采用冷却水系统边打磨边向硅片喷水冷却，直至硅片表面达到粗抛的粗糙度；S3、对粗抛后的硅片进行烘干，然后采用胆碱工艺对硅片进行清洗。优选的，所述步骤S2中DFG8540无腊磨片机的抛光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片镜面抛光研磨工艺，其特征在于：包括如下步骤：S1、将硅片通过吸盘进行固定，然后对硅片进行超声清洗，去除硅片表面的粉尘颗粒后，对粉尘颗粒进行收集清洁处理；S2、使用抛光磨轮对硅片进行磨片处理，采用冷却水系统边打磨边向硅片喷水冷却，直至硅片表面达到粗抛的粗糙度；S3、对粗抛后的硅片进行烘干，然后采用胆碱工艺对硅片进行清洗。

【技术特征摘要】
1.一种芯片镜面抛光研磨工艺，其特征在于：包括如下步骤：S1、将硅片通过吸盘进行固定，然后对硅片进行超声清洗，去除硅片表面的粉尘颗粒后，对粉尘颗粒进行收集清洁处理；S2、使用抛光磨轮对硅片进行磨片处理，采用冷却水系统边打磨边向硅片喷水冷却，直至硅片表面达到粗抛的粗糙度；S3、对粗抛后的硅片进行烘干，然后采用胆碱工艺对硅片进行清洗。2.权利要求1所述的一种芯片镜面抛光研磨工艺，其特征在于：所述步骤S2中DFG8540无腊磨片机的抛光磨轮高压粗抛压力/时间为28-35psi/7分钟。3.权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王小波，陈浩平，谢崇平，
申请(专利权)人：无锡芯坤电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32