存储器修复方案制造技术

本发明专利技术实施例涉及存储器修复方案，提供存储器装置和修复存储器的方法。第一阵列包含正常存储器单元，并且第二阵列包含修复存储器单元。所述修复存储器单元经配置以代替所述正常存储器单元使用。查找表包括存储器位单元，所述存储器位单元经配置以存储包含所述正常存储器单元的缺陷存储器单元的地址的条目集合。匹配电路经配置以评估输入存储器地址是否被存储为所述存储器位单元中的缺陷地址。所述匹配电路还经配置以基于所述评估生成用于选择所述正常存储器单元或所述修复存储器单元的选择信号。

Memory Repair Scheme

The embodiment of the present invention relates to a memory repair scheme, providing a memory device and a method for repairing a memory. The first array contains a normal memory unit, and the second array contains a repair memory unit. The repair memory unit is configured to replace the normal memory unit. The lookup table includes a memory bit unit configured to store a set of entries containing the address of the defective memory unit of the normal memory unit. The matching circuit is configured to evaluate whether the input memory address is stored as a defective address in the memory bit unit. The matching circuit is also configured to generate a selection signal for selecting the normal memory unit or the repair memory unit based on the evaluation.

【技术实现步骤摘要】
存储器修复方案
本专利技术实施例是有关存储器修复方案。
技术介绍
半导体存储器由大的个别单元阵列组成。每个单元存储1或0位数据(例如，作为电性高压或低压状态、作为电性高阻或低阻状态、作为高或低磁化状态等)。单元布置在位线和字线的交叉处。当字线以及一对位线被激活时，发生读或写周期。在字线和位线的交叉点处访问的单元从位线接收写入的数据或者将写入的数据传送到位线。可以基于单元在存储器电路中的相应位置直接访问单元。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，提供一种存储器装置，其包括：第一阵列，其包含正常存储器单元；第二阵列，其包含修复存储器单元，所述修复存储器单元经配置以代替所述正常存储器单元使用；查找表，其包括存储器位单元，所述存储器位单元经配置以存储包含所述正常存储器单元的缺陷存储器单元的地址的条目集合；以及匹配电路，其经配置以(i)评估输入存储器地址是否被存储为所述存储器位单元中的缺陷地址，以及(ii)基于所述评估生成用于选择所述正常存储器单元或所述修复存储器单元的选择信号。根据本专利技术的又一实施例，提供一种存储器装置，其包括：正常存储器单元；修复存储器单元，其经配置以代替所述正常存储器单元使用；存储器单元，其经配置以存储所述正常存储器单元的缺陷地址与所述修复存储器单元的修复地址之间的映射；以及匹配电路，其经配置以(i)评估输入存储器地址是不是所述正常存储器单元的缺陷地址，以及(ii)基于所述评估和所述映射生成用于选择所述正常存储器单元或所述修复存储器单元的选择信号。根据本专利技术的又一实施例，提供一种修复存储器的方法，所述方法包括：接收多个正常存储器单元中的存储器单元的输入存储器地址；将所述输入存储器地址的第一部分提供到经配置以存储包含所述正常存储器单元的缺陷存储器单元的地址的条目集合的查找表；将所述第一部分匹配到所述查找表的所述条目集合以生成输出；比较所述输出与所述输入存储器地址的第二部分，以评估所述输入存储器地址是否被存储为所述查找表中的缺陷地址；以及基于所述评估生成用于选择所述正常存储器单元或修复存储器单元的选择信号，所述修复存储器单元经配置以代替所述正常存储器单元使用。附图说明当结合附图阅读时，从以下详细描述最好地理解本揭示的各方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1A是描绘根据一些实施例的存储器装置的特征的框图。图1B示出根据一些实施例的整个字线行修复方案，并且图1C示出根据一些实施例的细粒度行修复方案。图2是描绘根据一些实施例的包含基于存储器位单元的查找表的存储器装置的框图。图3是描绘根据一些实施例的包含多路复用器的存储器装置的框图。图4是描绘根据一些实施例的具有组合成单个阵列的修复阵列和查找表阵列的存储器装置的框图。图5是描绘根据一些实施例的包含多级修复系统的存储器装置的框图。图6是描绘根据一些实施例的包含两级修复阵列和查找表阵列的存储器装置的框图。图7是描绘根据一些实施例的包含能够进行行修复的基于存储器位单元的查找表的存储器装置的框图。图8是描绘根据一些实施例的用于修复存储器的实例方法的步骤的流程图。具体实施方式以下揭示内容提供用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件以及布置的具体实例以简化本揭示。当然，这些只是实例且并不意欲为限制性的。例如，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或第二特征上的形成可包含第一特征和第二特征直接接触地形成的实施例，并且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成使得第一特征和第二特征可不直接接触的实施例。另外，本揭示可在各个实例中重复参考标号和/或字母。此重复是出于简化和清晰性的目的且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。图1A是描绘根据一些实施例的存储器装置的特征的框图。图1A的存储器装置包含具有以矩阵形式布置的多个正常存储器单元的正常阵列108(例如，主存储器阵列)。存储器装置还包含具有以矩阵形式布置的修复存储器单元(例如，冗余存储器单元)的修复阵列110(例如，冗余阵列)。在实施例中，修复阵列110的修复存储器单元经配置以代替正常存储器单元使用。确切地说，修复存储器单元经配置以在正常存储器单元发生故障(例如，具有缺陷)时代替正常存储器单元使用。举例来说，在写入操作中，如果数据将被写入到正常阵列108中确定为有缺陷的正常存储器单元上，那么数据实际上是被写入到修复阵列110的修复存储器单元上。以此方式，发生故障的正常存储器单元被修复存储器单元取代(例如，修复)。同样地，在读取操作中，如果将从正常阵列108中确定为有缺陷的正常存储器单元读取数据，那么实际上是从修复阵列110的修复存储器单元读取数据。在一些实施例中，正常阵列108包括存储器单元。在实施例中，正常阵列108的存储器单元包括动态随机存取存储器(DRAM)单元、静态随机存取存储器(SRAM)单元、快闪存储器单元、磁性随机存取存储器(MRAM)单元、电阻式随机存取存储器(RRAM)单元、电子熔丝(eFUSE)存储器单元、eFlash存储器单元或其它类型的存储器单元。在一些实施例中，修复阵列110包括DRAM存储器单元、SRAM存储器单元、快闪存储器单元、MRAM存储器单元、RRAM存储器单元、eFUSE存储器单元、eFlash存储器单元或其它类型的存储器单元。图1A的存储器装置进一步包含基于存储器位单元的查找表104，所述基于存储器位单元的查找表104经配置以存储包含正常阵列108的有缺陷存储器单元的地址的条目集合。在实施例中，基于存储器位单元的查找表104经配置以存储多种其它修复信息。举例来说，在一些实施例中，基于存储器位单元的查找表104存储正常阵列108的缺陷地址和修复阵列110的修复地址之间的映射。基于存储器位单元的查找表104包括布置成阵列(例如，矩阵)的存储器位单元(例如，存储器单元)。“存储器位单元”被这样称呼是因为它存储数据的单个位(例如，逻辑“1”或逻辑“0”)。基于存储器位单元的查找表104的存储器位单元存储正常阵列108的有缺陷存储器单元的前述地址和其它修复信息。在实施例中，正常阵列108的有缺陷存储器单元的地址和修复信息由横跨基于存储器位单元的查找表104的多个存储器单元存储的数据的位表示。例如，在一些实施例中，横跨基于存储器位单元的查找表104的八(8)个存储器位单元存储大小为八(8)个位的有缺陷存储器单元的地址。同样地，在一些实施例中，横跨基于存储器位单元的查找表104的八(8)个存储器位单元存储大小为八(8)个位的修复信息。具有不同大小的地址和修复信息在本揭示的范围内。在一些实施例中，修复信息包含正常阵列108的缺陷地址和修复阵列110的修复地址之间的映射。在一些实施例中，基于存储器位单元的查找表104的存储器位单元包括SRAM单元。在实施例中，此类SRAM单元是六个晶体管(6T)SRAM单元、七个晶体管(7T)SRAM单元、八个晶体管(8T)SRAM单元、九个晶体管(9T)SRAM单元、十个晶体管(10T)SRAM单元或另一类型的SRAM单元。如在本文中进一步详细描述，SRAM单元的使用使得存储器装置的物理大小、电力消耗和时延能够最小化，同时还具有其它本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器装置，其包括：第一阵列，其包含正常存储器单元；第二阵列，其包含修复存储器单元，所述修复存储器单元经配置以代替所述正常存储器单元使用；查找表，其包括存储器位单元，所述存储器位单元经配置以存储包含所述正常存储器单元的缺陷存储器单元的地址的条目集合；以及匹配电路，其经配置以(i)评估输入存储器地址是否被存储为所述存储器位单元中的缺陷地址，以及(ii)基于所述评估生成用于选择所述正常存储器单元或所述修复存储器单元的选择信号。

【技术特征摘要】
2017.07.27 US 62/537,504;2018.07.25 US 16/044,6211.一种存储器装置，其包括：第一阵列，其包含正常存储器单元；第二阵列，其包含修复存储器单元，所述修复存储器单元经配置以...

【专利技术属性】
技术研发人员：史毅骏，李伯浩，李嘉富，池育德，陈昱霖，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71