一种闪存、闪存工作模式的切换方法及设备技术

本发明专利技术实施例公开了一种闪存、闪存工作模式的切换方法及设备。所述闪存具备至少两种工作模式，所述闪存包括：指令获取模块，用于获取用于切换所述工作模式的模式切换指令；参数调整模块，用于根据所述模式切换指令调整闪存参数值，控制所述闪存按所述闪存参数值运行，以切换到所述模式切换指令指定的工作模式。通过本发明专利技术的技术方案，能够降低成本，增加使用灵活性。

A Switching Method and Equipment for Flash Memory and Flash Memory Working Mode

The embodiment of the present invention discloses a switching method and device for working mode of flash memory and flash memory. The flash memory has at least two working modes. The flash memory includes an instruction acquisition module for acquiring mode switching instructions for switching the working mode and a parameter adjustment module for adjusting the flash parameter values according to the mode switching instructions and controlling the flash memory to run according to the flash parameter values to switch to the mode switching instruction specified working mode. Through the technical scheme of the invention, the cost can be reduced and the flexibility of use can be increased.

【技术实现步骤摘要】
一种闪存、闪存工作模式的切换方法及设备
本专利技术实施例涉及闪存技术，尤其涉及一种闪存、闪存工作模式的切换方法及设备。
技术介绍
闪存FLASH作为一种非易失性半导体存储器，受到各种电子设备的青睐，因此，不同的电子设备对FLASH提出了不同的要求。在现有技术中，生产商们设计的FLASH芯片通常为通用FLASH，或者为了满足不同情况下的使用要求，会设计不同种类的芯片，如穿戴设备中使用低功耗的FLASH，计算机等则使用高速的FLASH等，而一种FLASH对应一种模式的方式不仅增加了设计与测试成本，而且当使用环境发生改变时，必须更换芯片，增加了使用成本，降低了FLASH使用的灵活性。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种闪存、闪存工作模式的切换方法及设备，以实现降低成本，增加使用灵活性。第一方面，本专利技术实施例提供了一种闪存，具备至少两种工作模式，该闪存包括：指令获取模块，用于获取用于切换所述工作模式的模式切换指令；参数调整模块，用于根据所述模式切换指令调整闪存参数值，控制所述闪存按所述闪存参数值运行，以切换到所述模式切换指令指定的工作模式。进一步的，所述至少两种工作模式包括：高速读取模式、高速缓存模式、连续读取模式以及低功耗模式中的至少两种；对应的，所述模式切换指令包括：高速读取模式指令、高速缓存模式指令、连续读取模式指令以及低功耗模式指令中的至少两种。进一步的，所述参数调整模块，包括：高速读取子模块，用于根据高速读取模式指令降低擦写速度，控制所述闪存按所述擦写速度运行，以切换到所述高速读取模式指令指定的高速读取模式；或，高速缓存子模块，用于根据高速缓存模式指令增大擦或写的脉冲强度并减小脉冲个数，控制所述闪存按所述脉冲强度和所述脉冲个数运行，以切换到所述高速缓存模式指令指定的高速缓存模式；或，连续读取子模块，用于根据连续读取模式指令降低读电压，控制所述闪存按所述读电压运行，以切换到所述连续读取模式指令指定的连续读取模式；或，低功耗子模块，用于根据低功耗模式指令降低闪存功耗，控制所述闪存按所述功耗运行，以切换到所述低功耗模式指令指定的低功耗模式。进一步的，所述低功耗子模块，具体用于：若闪存处于闲置状态，则根据低功耗模式指令关闭所述闪存中处于工作状态的模块，以将所述闪存的工作模式切换到所述低功耗模式指令指定的低功耗模式；若闪存处于工作状态，则根据低功耗模式指令降低所述闪存的电荷泵强度和并行度，以将所述闪存的工作模式切换到所述低功耗模式指令指定的低功耗模式。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种闪存工作模式的切换方法，包括：获取用于切换闪存的工作模式的模式切换指令；根据所述模式切换指令调整闪存参数值，控制所述闪存按所述闪存参数值运行，以切换到所述模式切换指令指定的工作模式。进一步的，所述闪存的工作模式包括：高速读取模式、高速缓存模式、连续读取模式以及低功耗模式中的至少两种；对应的，所述模式切换指令包括：高速读取模式指令、高速缓存模式指令、连续读取模式指令以及低功耗模式指令中的至少两种。进一步的，所述根据所述模式切换指令调整闪存参数值，控制所述闪存按所述闪存参数值运行，以切换到所述模式切换指令指定的工作模式，包括：根据高速读取模式指令降低擦写速度，控制所述闪存按所述擦写速度运行，以切换到所述高速读取模式指令指定的高速读取模式；或，根据高速缓存模式指令增大擦或写的脉冲强度并减小脉冲个数，控制所述闪存按所述脉冲强度和所述脉冲个数运行，以切换到所述高速缓存模式指令指定的高速缓存模式；或，根据连续读取模式指令降低读电压，控制所述闪存按所述读电压运行，以切换到所述连续读取模式指令指定的连续读取模式；或，根据低功耗模式指令降低闪存功耗，控制所述闪存按所述功耗运行，以切换到所述低功耗模式指令指定的低功耗模式。进一步的，所述根据低功耗模式指令降低闪存功耗，控制所述闪存按所述功耗运行，以切换到所述低功耗模式指令指定的低功耗模式，包括：若闪存处于闲置状态，则根据低功耗模式指令关闭所述闪存中处于工作状态的模块，以将所述闪存的工作模式切换到所述低功耗模式指令指定的低功耗模式；若闪存处于工作状态，则根据低功耗模式指令降低所述闪存的电荷泵强度和并行度，以将所述闪存的工作模式切换到所述低功耗模式指令指定的低功耗模式。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种终端设备，该设备包括本专利技术实施例中任一所述的闪存。本专利技术实施例通过在闪存中设置至少两种工作模式，并利用闪存中包括的指令获取模块和参数调整模块，根据获取的用于切换闪存的工作模式的模式切换指令，调整闪存参数值，并控制该闪存按照闪存参数值运行，利用了调整闪存参数值使得能够在一个闪存中使用并切换不同工作模式的优点，解决了现有技术中因一种闪存只能对应一种工作模式，而导致的成本高、使用灵活性低的问题，实现了降低成本，增加闪存使用灵活性的效果。附图说明图1是本专利技术实施例一提供的一种闪存的结构示意图；图2是本专利技术实施例二提供的一种闪存工作模式的切换方法的流程示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。实施例一图1为本专利技术实施例一提供的一种闪存的结构示意图。参考图1，闪存具备至少两种工作模式，该闪存包括：指令获取模块110以及参数调整模块120，下面对各模块进行具体说明。指令获取模块110，用于获取用于切换工作模式的模式切换指令。其中，模式切换指令可用于切换闪存的工作模式，闪存可以为与非闪存(NANDFLASH)。可选的，可通过指令接收模块接收外界发送的模式切换指令，也可将模式切换指令存储在寄存器中，在闪存上电时自动获取寄存器中存储的模式切换指令。获取模式切换指令的目的在于，指示闪存进行工作模式的切换，以根据外部需求切换为相应的工作模式，从而实现一个闪存就能满足多种工作模式的需求，无需使用多个闪存，节约了成本。优选的，至少两种工作模式可以包括：高速读取模式、高速缓存模式、连续读取模式以及低功耗模式中的至少两种；对应的，模式切换指令可以包括：高速读取模式指令、高速缓存模式指令、连续读取模式指令以及低功耗模式指令中的至少两种。其中，工作模式的种类包括但不限于高速读取模式、高速缓存模式、连续读取模式以及低功耗模式这四种，还可扩展为包括其他典型的模式种类；相应的，模式切换指令的种类包括但不限于高速读取模式指令、高速缓存模式指令、连续读取模式指令以及低功耗模式指令这四种，还可扩展为包括其他典型的模式所对应的模式切换指令种类，在此不作限定。可选的，可在闪存中预先设置多种不同的工作模式，一种模式切换指令可指定一种工作模式。例如：当收到高速读取模式指令时，则可将闪存当前的工作模式切换为高速读取模式；当收到高速缓存模式指令时，则可将闪存当前的工作模式切换为高速缓存模式；当收到连续读取模式指令时，则可将闪存当前的工作模式切换为连续读取模式；当收到低功耗模式指令时，则可将闪存当前的工作模式切换为低功耗模式。参数调整模块120，用于根据模式切换指令调整闪存参数值，控制闪存按闪存参数值运行，以切换到模式切换指令指定的工作模式。其中，闪存参数值包括但不限于：擦写速度、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存，其特征在于，具备至少两种工作模式，所述闪存包括：指令获取模块，用于获取用于切换所述工作模式的模式切换指令；参数调整模块，用于根据所述模式切换指令调整闪存参数值，控制所述闪存按所述闪存参数值运行，以切换到所述模式切换指令指定的工作模式。

【技术特征摘要】
1.一种闪存，其特征在于，具备至少两种工作模式，所述闪存包括：指令获取模块，用于获取用于切换所述工作模式的模式切换指令；参数调整模块，用于根据所述模式切换指令调整闪存参数值，控制所述闪存按所述闪存参数值运行，以切换到所述模式切换指令指定的工作模式。2.根据权利要求1所述的闪存，其特征在于，所述至少两种工作模式包括：高速读取模式、高速缓存模式、连续读取模式以及低功耗模式中的至少两种；对应的，所述模式切换指令包括：高速读取模式指令、高速缓存模式指令、连续读取模式指令以及低功耗模式指令中的至少两种。3.根据权利要求2所述的闪存，其特征在于，所述参数调整模块，包括：高速读取子模块，用于根据高速读取模式指令降低擦写速度，控制所述闪存按所述擦写速度运行，以切换到所述高速读取模式指令指定的高速读取模式；或，高速缓存子模块，用于根据高速缓存模式指令增大擦或写的脉冲强度并减小脉冲个数，控制所述闪存按所述脉冲强度和所述脉冲个数运行，以切换到所述高速缓存模式指令指定的高速缓存模式；或，连续读取子模块，用于根据连续读取模式指令降低读电压，控制所述闪存按所述读电压运行，以切换到所述连续读取模式指令指定的连续读取模式；或，低功耗子模块，用于根据低功耗模式指令降低闪存功耗，控制所述闪存按所述功耗运行，以切换到所述低功耗模式指令指定的低功耗模式。4.根据权利要求3所述的闪存，其特征在于，所述低功耗子模块，具体用于：若闪存处于闲置状态，则根据低功耗模式指令关闭所述闪存中处于工作状态的模块，以将所述闪存的工作模式切换到所述低功耗模式指令指定的低功耗模式；若闪存处于工作状态，则根据低功耗模式指令降低所述闪存的电荷泵强度和并行度，以将所述闪存的工作模式切换到所述低功耗模式指令指定的低功耗模式。5.一种闪存工作模式的切换方法，其特征在于，包括：获取用于切换闪存的工...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏志强，李建新，刘璐，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11