半导体封装制造技术

公开了一种半导体封装，包括：半导体芯片；在半导体芯片上的第一外部电容器，包括第一电极和第二电极；在半导体芯片上的第二外部电容器，包括第一电极图案和第二电极图案；以及在半导体芯片上的导电图案，电连接到第一外部电容器的第一电极和第二外部电容器的第一电极图案。第一外部电容器的第二电极与第二外部电容器的第二电极图案绝缘。

Semiconductor Packaging

A semiconductor package is disclosed, including: a semiconductor chip; a first external capacitor on a semiconductor chip, including a first electrode and a second electrode; a second external capacitor on a semiconductor chip, including a first electrode pattern and a second electrode pattern; and a conductive pattern on a semiconductor chip, electrically connected to the first and second external electrodes of the first external capacitor. The first electrode pattern of the capacitor. The second electrode of the first external capacitor is insulated from the second electrode pattern of the second external capacitor.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装相关申请的交叉引用本申请要求于2017年6月19日提交的韩国专利申请No.10-2017-0077432的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术构思的实施例涉及半导体封装，更具体地涉及包括电容器的半导体封装。
技术介绍
对于半导体器件的高集成度，已经提出了一种用于堆叠多个半导体芯片的方法，其中多芯片封装具有安装在单个半导体封装中的多个半导体芯片或者堆叠的不同芯片作为一个系统操作的系统级封装。对于高性能半导体器件，需要增强电源完整性。可以通过分析期望的电源/电流是否理想地从源传输到集成电路来评估电源完整性(PI)。正在进行研究以通过滤除半导体器件的电源电压或接地电压的噪声来改善电源完整性。
技术实现思路
本专利技术构思的一些实施例提供了一种具有增强的电源完整性的半导体封装。本专利技术构思的目的不限于上述目的；从以下描述中，本领域技术人员将清楚地理解上面未提及的其他目的。根据本专利技术构思的示例性实施例，一种半导体封装可以包括：半导体芯片；第一外部电容器，在所述半导体芯片上并包括第一电极和第二电极；第二外部电容器，在所述半导体芯片上并包括第一电极图案和第二电极图案；以及导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装，包括：半导体芯片；第一外部电容器，在所述半导体芯片上并包括第一电极和第二电极；第二外部电容器，在所述半导体芯片上并包括第一电极图案和第二电极图案；以及导电图案，在所述半导体芯片上并且电连接到所述第一外部电容器的所述第一电极和所述第二外部电容器的所述第一电极图案，其中所述第一外部电容器的所述第二电极与所述第二外部电容器的所述第二电极图案绝缘。

【技术特征摘要】
2017.06.19 KR 10-2017-00774321.一种半导体封装，包括：半导体芯片；第一外部电容器，在所述半导体芯片上并包括第一电极和第二电极；第二外部电容器，在所述半导体芯片上并包括第一电极图案和第二电极图案；以及导电图案，在所述半导体芯片上并且电连接到所述第一外部电容器的所述第一电极和所述第二外部电容器的所述第一电极图案，其中所述第一外部电容器的所述第二电极与所述第二外部电容器的所述第二电极图案绝缘。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中：所述第二电极电连接到第一电源端子，以及所述第二电极图案电连接到与所述第一电源端子不同的第二电源端子。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述半导体芯片包括：接地通孔，耦接到所述导电图案；第一电源通孔，电连接到所述第二电极；以及第二电源通孔，电连接到所述第二电极图案。4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中所述半导体芯片还包括第一内部电容器，所述第一内部电容器包括第一端子和第二端子，其中所述第一端子和所述第二端子分别电连接到所述接地通孔和所述第一电源通孔。5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中所述半导体芯片还包括第二内部电容器，所述第二内部电容器包括第一电极端子和第二电极端子，其中所述第一电极端子和所述第二电极端子分别电连接到所述接地通孔和所述第二电源通孔。6.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：第一电源图案，在所述半导体芯片上并且耦接到所述第二电极；以及第二电源图案，在所述半导体芯片上并且耦接到所述第二电极图案，其中当在平面图中查看时，所述导电图案设置在所述第一电源图案与所述第二电源图案之间并且与所述第一电源图案和所述第二电源图案间隔开。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述导电图案电连接到接地端子。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述半导体芯片包括彼此堆叠的多个半导体芯片。9.根据权利要求8所述的半导体封装，还包括：基板；以及在所述基板上的电子器件，其中所述多个半导体芯片安装在所述基板上并且与所述电子器件横向间隔开。10.一种半导体封装，包括：半导体芯片；第一金属图案和第二金属图案，布置在所述半导体芯片上并且彼此电绝缘；导电图案，在所述半导体芯片上；第一外部电容器，在所述半导体芯片上；以及第二外部电容器，在所述半导体芯片上，其中所述第一外部电容器的第一电极通过所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑祥楠，金逸俊，姜善远，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR