电子装置及其制造方法制造方法及图纸

在具备电子部件(12)、密封树脂体(11)、至少一部分配置于密封树脂体的内部的第1部件(19)、以及在密封树脂体的内部经由软钎料(21、22)与第1部件连接的第2部件(16、25)的电子装置中，第1部件具有使用金属材料形成的基材(191c)、以及在基材的表面中的至少第1部件的与对置面(191a)相反的背面(191b)侧的表面上设置的覆膜(191d)，该对置面(191a)与第2部件对置。覆膜具有在基材的表面设置的金属薄膜(191e)、以及设置于金属薄膜上并由与金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物形成的凹凸氧化膜(191f)。凹凸氧化膜在第1部件的背面被设置成在第1部件、软钎料、以及第2部件的层叠方向上的投影视下，至少与第1部件的对置面上的与软钎料连接的连接区域(194)的全域重叠。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子装置及其制造方法关联申请的相互引用本申请基于2016年4月13日提出申请的日本申请号2016－80578号，在此引用其记载内容。
本申请涉及树脂密封型的电子装置及其制造方法。
技术介绍
以往已知有如下的树脂密封型的电子装置，其具备电子部件、密封电子部件的密封树脂体、至少一部分配置于密封树脂体的内部的第1部件、以及在密封树脂体的内部经由软钎料与第1部件连接的第2部件。在这样的电子装置中，在密封树脂体的成形后，使用超声波探伤装置(SAT：ScanningAcousticTomograph)在第1部件、软钎料、以及第2部件的层叠方向上，从第1部件侧检查软钎料。具体而言，检查软钎料中的空隙等。若在第1部件中的与第2部件对置的对置面的相反一侧的背面中的、与在层叠方向的投影视下的第1部件的对置面上的软钎料的连接区域重叠的部分产生密封树脂体的剥离，则超声波分别在密封树脂体与空气的界面、空气与第1部件的界面反射。因此，无法高精度地检查软钎料。与此相对，例如如专利文献1公开那样，已知使金属部件的表面粗化，并利用相对于密封树脂体的锚固效应，抑制密封树脂体从金属部件的表面剥离的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013－71312号公报
技术实现思路
然而，在上述的以往的技术中，存在第1部件中的软钎料的连接区域的背面部分腐蚀的隐患。例如由于在密封树脂体中残存的氯类化合物，而腐蚀金属部件。另外，若水分从外部穿过密封树脂体与第1部件的界面等而侵入，则金属部件被腐蚀。这样，若产生腐蚀，则即使金属表面被粗化，也会产生密封树脂体的剥离。即，无法通过超声波探伤装置高精度地检查软钎料。本申请的目的在于提供能够通过超声波探伤装置高精度地检查软钎料的电子装置及其制造方法。根据本申请的第一方式，具备：电子部件；密封树脂体，密封电子部件；第1部件，至少一部分配置于密封树脂体的内部；以及第2部件，在密封树脂体的内部经由软钎料与第1部件连接。第1部件具有：使用金属材料形成的基材；以及覆膜，被设置在基材的表面中的至少第1部件的与第2部件对置的对置面的相反一侧的背面侧的表面上。覆膜具有被设置在基材的表面上的金属薄膜、以及被设置在金属薄膜上且由与金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成的凹凸氧化膜。凹凸氧化膜在第1部件的背面被设置成，在第1部件、软钎料、以及第2部件的层叠方向上投影观察的情况下，至少与第1部件的对置面上的与软钎料连接的连接区域的全域重叠。据此，在第1部件中，在与软钎料连接的连接区域的背面部分形成有凹凸氧化膜。凹凸氧化膜的表面连续地呈凹凸状，通过锚固效应以及接触面积增加的效果，能够抑制密封树脂体的剥离。因此，能够利用超声波探伤检查来从第1部件侧高精度地检查软钎料。另外，由于在金属薄膜上形成有凹凸氧化膜，因此能够通过凹凸氧化膜防止第1部件的腐蚀。由此，能够抑制伴随腐蚀产生的密封树脂体的剥离，进而能够利用超声波探伤检查来高精度地检查软钎料。此外，如后述那样，凹凸氧化膜是通过对金属薄膜照射脉冲振荡的激光而形成的膜。根据本申请的第二的方式涉及具备电子部件、密封电子部件的密封树脂体、至少一部分配置于密封树脂体的内部的第1部件、以及在密封树脂体的内部经由软钎料与第1部件连接的第2部件的电子装置的制造方法。在该电子装置中，第1部件具有：使用金属材料形成的基材；以及覆膜，被设置在基材的表面中的至少第1部件的与第2部件对置的对置面的相反一侧的背面侧的表面上，覆膜具有被设置在基材的表面上的金属薄膜、以及被设置在金属薄膜上且由与金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成的凹凸氧化膜，凹凸氧化膜在第1部件的背面被设置成，在第1部件、软钎料、以及第2部件的层叠方向上投影观察的情况下，至少与第1部件的对置面上的与软钎料连接的连接区域的全域重叠。该电子装置的制造方法具备：准备形成有金属薄膜的基材；以至少包含金属薄膜的表面中的、第1部件的背面侧的表面上的连接区域的背面部分全域的方式，照射脉冲振荡的激光，从而形成凹凸氧化膜；经由软钎料将第1部件与第2部件连接；在凹凸氧化膜的形成、以及第1部件与第2部件的连接之后，成形出密封树脂体；以及在成形出密封树脂体之后，使用超声波探伤装置(33)在层叠方向上从第1部件侧检查软钎料。据此，通过对金属薄膜照射脉冲振荡的激光，能够形成表面呈连续地凹凸的凹凸氧化膜。因此，与上述相同地，能够抑制密封树脂体从第1部件的连接区域的背面部分剥离。因此，能够利用超声波探伤检查来从第1部件侧高精度地检查软钎料。另外，由于在金属薄膜上形成凹凸氧化膜，因此能够利用凹凸氧化膜防止第1部件的腐蚀。由此，能够抑制伴随腐蚀产生的密封树脂体的剥离，进而能够利用超声波探伤检查来高精度地检查软钎料。附图说明关于本申请的上述目的及其他的目的、特征、优点通过参照附图且进行下述的详细的记叙而更加明确。图1为表示适用第1实施方式的半导体装置的电力转换装置的概略结构的图。图2为表示第1实施方式的半导体装置的概略结构的俯视图。图3为在图2所示的半导体装置中，省略了密封树脂体的图。图4为沿着图2的IV-IV线的剖视图。图5为沿着图2的V-V线的剖视图。图6为从对置面侧观察第2散热片的仰视图。图7为从散热面侧观察第2散热片的俯视图。图8为沿着图7的VIII-VIII线的剖视图。图9为表示半导体装置的制造方法的俯视图，与图7对应。图10为表示半导体装置的制造方法的剖视图，与图4对应。图11为表示半导体装置的制造方法的剖视图，与图4对应。图12为表示半导体装置的制造方法的剖视图，与图4对应。图13为表示第2实施方式的半导体装置的概略结构的剖视图，与图4对应。图14为在第3实施方式的半导体装置中，从散热面侧观察第2散热片的俯视图，与图7对应。图15为在第4实施方式的半导体装置中，从散热面侧观察第2散热片的俯视图，与图7对应。具体实施方式参照附图对多个实施方式进行说明。在多个实施方式中，对于功能性以及/或者构造性对应的部分赋予相同的附图标记。以下，将半导体芯片的厚度方向表示为Z方向，将与Z方向正交、2个半导体芯片的排列方向表示为X方向。另外，将与Z方向以及X方向这两个方向正交的方向表示为Y方向。只要未特别说明，则将沿着由上述的X方向以及Y方向规定的XY面的形状设为平面形状。(第1实施方式)首先，基于图1，对适用半导体装置的电力转换装置的一例进行说明。图1所示的电力转换装置1构成为将从直流电源2(电池)供给的直流电压转换为三相交流，并向三相交流方式的马达3输出。这样的电力转换装置1例如搭载于电动汽车、混合动力车。此外，电力转换装置1也能够将由马达3发电的电力转换为直流并对直流电源2充电。图2所示的附图标记4为平滑电容器。电力转换装置1具有三相逆变器。三相逆变器具有设置在与直流电源2的正极(高电位侧)连接的高电位电源线5、以及与负极(低电位侧)连接的低电位电源线6之间的三相的上下臂。并且，各相的上下臂分别由半导体装置10构成。即，通过一个半导体装置10构成一相的上下臂。半导体装置10具备IGBT元件、以及以反并联的方式与该IGBT元件连接的回流用的FWD元件。在本实施方式中，在后述的半导体芯片12中分别构成有IGBT元件以及FWD元件。然而，IGBT元件与FWD元件也可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子装置，具备：电子部件(12)；密封树脂体(11)，密封所述电子部件；第1部件(19)，至少一部分配置于所述密封树脂体的内部；以及第2部件(16、25)，在所述密封树脂体的内部经由软钎料(21、22)与所述第1部件连接，所述第1部件具有：使用金属材料形成的基材(191c)；以及覆膜(191d)，被设置在所述基材的表面中的至少所述第1部件的与所述第2部件对置的对置面(191a)的相反一侧的背面(191b)侧的表面上，所述覆膜具有被设置在所述基材的表面上的金属薄膜(191e)、以及被设置在所述金属薄膜上且由与所述金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成的凹凸氧化膜(191f)，所述凹凸氧化膜在所述第1部件的所述背面被设置成，在所述第1部件、所述软钎料、以及所述第2部件的层叠方向上投影观察的情况下，至少与所述第1部件的所述对置面上的与所述软钎料连接的连接区域(194)的全域重叠。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.13 JP 2016-0805781.一种电子装置，具备：电子部件(12)；密封树脂体(11)，密封所述电子部件；第1部件(19)，至少一部分配置于所述密封树脂体的内部；以及第2部件(16、25)，在所述密封树脂体的内部经由软钎料(21、22)与所述第1部件连接，所述第1部件具有：使用金属材料形成的基材(191c)；以及覆膜(191d)，被设置在所述基材的表面中的至少所述第1部件的与所述第2部件对置的对置面(191a)的相反一侧的背面(191b)侧的表面上，所述覆膜具有被设置在所述基材的表面上的金属薄膜(191e)、以及被设置在所述金属薄膜上且由与所述金属薄膜的主成分的金属相同的金属的氧化物构成的凹凸氧化膜(191f)，所述凹凸氧化膜在所述第1部件的所述背面被设置成，在所述第1部件、所述软钎料、以及所述第2部件的层叠方向上投影观察的情况下，至少与所述第1部件的所述对置面上的与所述软钎料连接的连接区域(194)的全域重叠。2.如权利要求1所述的电子装置，其中，在所述层叠方向上，所述密封树脂体的厚度设置为，覆盖所述第1部件的所述背面(191b)的部分比覆盖所述第2部件的与所述第1部件对置的对置面(16a、25a)的相反一侧的背面(16b、25b)的部分薄。3.如权利要求1或2所述的电子装置，其中，所述电子装置形成构成三相逆变器的3组上下臂中的1组，所述电子部件是在所述层叠方向上的一面(12a)以及与所述一面相反一侧的背面(12b)分别设置有电极(13a、13b)的半导体芯片(12)，所述半导体芯片具有构成上臂的上臂芯片(12H)、以及构成下臂的下臂芯片(12L)，该下臂芯片(12L)在与所述层叠方向正交的正交方向上与所述上臂芯片排列配置成彼此的所述一面在所述层叠方向上成为相同侧；所述电子装置具备：第1散热片(14)以及作为所述第1部件的第2散热片，该第1散热片(14)以及第2散热片是为了将所述半导体芯片的热进行散热而被配置成在所述层叠方向上分别夹持所述半导体芯片的一对散热片，该第1散热片(14)在所述层叠方向上配置于所述一面侧，并与所述一面的电极电连接，该第2散热片在所述层叠方向上配置于所述背面侧，并包括与所述背面的电极电连接的主体部(190)、以及从所述主体部沿所述正交方向延伸设置的延伸设置部(191)；以及作为所述第2部件的接头部(16)以及主端子(25)，以在所述层叠方向上与所述延伸设置部对置的方式相对于所述延伸设置部被配置于所述半导体芯片侧，且经由所述软钎料与所述延伸设置部电连接，该接头部(16)与所述上臂...

【专利技术属性】
技术研发人员：大岛正范，林英二，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：日本,JP