【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本公开涉及半导体领域，具体来说，涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
图像传感器可用于对辐射(例如，光辐射，包括但不限于可见光、红外线、紫外线等)进行感测，从而生成对应的电信号(图像)。它被广泛地应用在数码相机、安保设施、和其他成像设备中。图像传感器按照其接收辐射的方式可以分为背照式(BSI)图像传感器和前照式(FSI)图像传感器。背照式图像传感器能够从其背面接收辐射。不同于前照式图像传感器，在背照式图像传感器中，辐射从衬底的背面入射进入，而布线等可能影响辐射接收的部件基本都位于衬底的正面。对于图像传感器而言，简化制造工艺和提高成像质量是重要的挑战。因此存在对于新的技术的需求。
技术实现思路
本公开的目的之一是提供一种新颖的半导体装置及其制造方法，特别地，涉及简化制造图像传感器的工艺流程并改善图像传感器的成像质量。根据本公开的一个方面，提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括：提供器件晶片，其中该器件晶片包括衬底和形成在衬底上的器件层；在器件晶片上形成支撑层，使得支撑层和衬底位于器件层的两侧；以及将得到的半导体装置反转，在支撑层的支撑下，对...
【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：提供器件晶片，所述器件晶片包括衬底和形成在所述衬底上的器件层；在所述器件晶片上形成支撑层，使得所述支撑层和所述衬底位于所述器件层的两侧；以及将得到的半导体装置反转，在所述支撑层的支撑下，对所述半导体装置进行后续处理。
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：提供器件晶片，所述器件晶片包括衬底和形成在所述衬底上的器件层；在所述器件晶片上形成支撑层，使得所述支撑层和所述衬底位于所述器件层的两侧；以及将得到的半导体装置反转，在所述支撑层的支撑下，对所述半导体装置进行后续处理。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述后续处理包括减薄所述衬底。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述器件层包括以下结构中的一个或多个：辐射感测层、金属层和保护层。4.根据权利要1所述的方法，其特征在于：所述支撑层通过沉积处理形成。5.根据权利要4所述的方法，其特征在于：通过以...
【专利技术属性】
技术研发人员：张连谦，李志伟，冉春明，黄仁德，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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