【技术实现步骤摘要】
背照式图像传感器及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种背照式图像传感器及其形成方法。
技术介绍
图像传感器是一种将光信号转化为电信号的半导体器件。图像传感器分为互补金属氧化物(CMOS)图像传感器和电荷耦合器件(CCD)图像传感器。CMOS图像传感器具有工艺简单、易与其它器件集成、体积小、重量轻、功耗小和成本低等优点。目前，CMOS图像传感器已经广泛应用于静态数码相机、数码摄像机、医疗用摄像装置和车用摄像装置等。CMOS图像传感器包括前照式(FSI)图像传感器和背照式(BSI)图像传感器。在背照式图像传感器中，光从图像传感器的背面入射到图像传感器中的感光二极管上，从而将光能转化为电能。随着器件集成度的提高，图像传感器中像素单元密度随之增大，相邻像素单元之间的串扰(crosstalk)和暗电流(darkcurrent)不断增大，影响了图像传感器的性能。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种背照式图像传感器及其形成方法，减小暗电流，以提高背照式图像传感器的性能。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种背照式图像传感器的形成方法，包括：衬底，所述...
【技术保护点】
1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述衬底包括像素区和隔离区，所述隔离区与所述像素区相邻，且所述隔离区围绕所述像素区；位于所述衬底隔离区内的隔离凹槽，所述隔离凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽顶部位于第一表面，所述第一凹槽底部与第二凹槽顶部相通，且在平行于衬底表面方向上，所述第一凹槽尺寸大于所述第二凹槽尺寸；位于隔离凹槽内的隔离层。
【技术特征摘要】
1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述衬底包括像素区和隔离区，所述隔离区与所述像素区相邻，且所述隔离区围绕所述像素区；位于所述衬底隔离区内的隔离凹槽，所述隔离凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽顶部位于第一表面，所述第一凹槽底部与第二凹槽顶部相通，且在平行于衬底表面方向上，所述第一凹槽尺寸大于所述第二凹槽尺寸；位于隔离凹槽内的隔离层。2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，在平行于衬底表面方向上，所述第二凹槽的尺寸与所述第一凹槽的尺寸比例为1:20～1:2；所述第一凹槽在平行于衬底表面方向上的尺寸为100nm～1000nm；所述第二凹槽在平行于衬底表面方向上的尺寸为50nm～300nm。3.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述第一凹槽尺寸与所述第二凹槽尺寸的差为50nm～950nm。4.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述第一凹槽深度与隔离凹槽深度的比例为1:500～1:2；所述第一凹槽深度为30nm～600nm。5.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述衬底还包括感光结构，所述感光结构位于像素区的衬底内，且所述第二表面暴露出所述感光结构。6.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述衬底还包括浅沟槽隔离层，所述浅沟槽隔离层位于隔离区的衬底内，且所述衬底的第二表面暴露出浅沟槽隔离层。7.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，还包括：位于衬底第一表面上的隔离栅格层、滤光层和透镜层，所述隔离栅格层位于隔离区的衬底表面，所述滤光层位于像素区的衬底第一表面，所述滤光层位于隔离栅格层之间，所述透镜层位于滤光层表面。8.一种如权利要求1至7所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述衬底包括像素区和隔离区，所述隔离区与所述像素区相邻，且所述隔离区围绕所述像素区；在所述隔离区的衬底内形成隔离凹槽，所述隔离凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽顶部位于第一表面，所述第一凹槽底部与第二凹槽顶部相通，且在平行于衬底表面方向上，所述第一凹槽尺寸大于所述第二凹槽尺寸；在所述隔离凹槽内形成隔离层。9.根据权利要求8所述的背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，所述隔离凹槽的形成方法包括：在衬底第一表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层具有第一开口和位于第一开口底部的第二开口...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄增智，李天慧，黄晓橹，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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