The invention relates to a back illuminated image sensor and method of improving back illumination image sensor sensitivity, the backside illuminated image sensor includes a semiconductor substrate; a hole layer on the backside of the semiconductor substrate; in the semiconductor substrate, and the depletion region near the hole in the floor; N area away from the depletion layer hole on one side of the photocarrier collection area; P type isolation zone surrounding the photocarrier collection area; the potential hole layer, the isolation region and the photocarrier collection area were second and three, the first potential potential potential. The depletion of electrons and holes in the vertical direction of migration, gathered in the electronic photocarrier collection area, hole through the hole layer. In the invention, the increase of the thickness of the semiconductor substrate is not limited by the injection depth of the isolation region, thereby increasing the thickness of the semiconductor substrate and improving the sensitivity of the image sensor.
【技术实现步骤摘要】
背照式图像传感器及提高背照式图像传感器灵敏度的方法
本专利技术涉及图像传感器
,尤其涉及一种背照式图像传感器及提高背照式图像传感器灵敏度的方法。
技术介绍
CMOS(互补型金属氧化物半导体)图像传感器被广泛地应用于数码相机、移动手机、儿童玩具、医疗器械、汽车电子、安防及其航空航天等诸多领域。CMOS图像传感器的广泛应用驱使其尺寸向越来越小的方向发展。然而像素(Pixel)尺寸的缩小使得感光二极管(Photodiode)的灵敏度(Sensitivity)下降,导致图像质量在低照度下出现很大程度的恶化,为了提高小尺寸(pixel尺寸小于1.4um)图像传感器的感光灵敏度,现有CMOS图像传感器制造技术中出现了背照式像素结构,其优点在于感光区以上由于没有金属布线的遮挡而使得感光灵敏度大幅度提高。然而,现有背照式图像传感器也存在其不足之处,背照式传感器的结构参考图1中所示,背照式传感器包括位于衬底1中的载流子收集区2、围绕载流子收集区2的隔离区3、浮置扩散区4以及转移晶体管栅极5,背照式传感器的感光器件厚度一般为2μm~3μm,短波长可见光,例如蓝光可以被感光器件完全吸收,然而长波长可见光,例如红光需要在感光器件更深处至5μm~6μm才能够被大部分吸收,造成大约有一半的红光没有被感光器件吸收,而引起长波长可见光红光浪费的现象,因此红色像素的感光灵敏度低。为了增强长波长可见光的吸收,现有技术中通常将衬底1的厚度增加,同时使得隔离区3的注入深度增大。但是,进行较大深度的离子注入的工艺难度较大。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种背照式图像传感器及提高背照式图 ...
【技术保护点】
一种提高背照式图像传感器灵敏度的方法,其特征在于,所述背照式图像传感器包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底背面的空穴层;位于所述半导体衬底中,且靠近所述空穴层的耗尽区;位于所述耗尽区背离所述空穴层一侧的N型的光生载流子收集区;包围所述光生载流子收集区的P型的隔离区;所述空穴层、所述隔离区和所述光生载流子收集区的电势分别为第一电势、第二电势及第三电势,使所述耗尽区中的电子和空穴沿竖直方向迁移,电子聚集于所述光生载流子收集区,空穴通过所述空穴层导出,提高图像传感器的灵敏度。
【技术特征摘要】
1.一种提高背照式图像传感器灵敏度的方法,其特征在于,所述背照式图像传感器包括:半导体衬底;位于所述半导体衬底背面的空穴层;位于所述半导体衬底中,且靠近所述空穴层的耗尽区;位于所述耗尽区背离所述空穴层一侧的N型的光生载流子收集区;包围所述光生载流子收集区的P型的隔离区;所述空穴层、所述隔离区和所述光生载流子收集区的电势分别为第一电势、第二电势及第三电势,使所述耗尽区中的电子和空穴沿竖直方向迁移,电子聚集于所述光生载流子收集区,空穴通过所述空穴层导出,提高图像传感器的灵敏度。2.根据权利要求1所述的提高背照式图像传感器灵敏度的方法,其特征在于,所述第一电势、所述第二电势及所述第三电势依次升高,使得空穴向所述空穴层迁移,电子向所述光生载流子收集区迁移。3.根据权利要求1所述的提高背照式图像传感器灵敏度的方法,其特征在于,所述空穴层上的第一电势为-5V~0V,所述隔离区上的第二电势为-1.0V~0V,所述光生载流子收集区上的第三电势为1.0V~2.5V。4.根据权利要求1所述的提高背照式图像传感器灵敏度的方法,其特征在于,所述耗尽区为N型低浓度掺杂结构或本征结构。5.根据权利要求1所述的提高背照式图像传感器灵敏度的方法,其特征在于,所述空穴层的形成方法包括:在所述半导体衬底背面形成硼离子注入区,并对所述硼离子注入区进行激光退火工艺,所述硼离子注入区形成所述空穴层。6.根据权利要求1所述的提高背照式图像传感器灵敏度的方法,其特征在于,所述空穴层的形成方法包括:依次在所述半导体衬底背面沉积一介质层和一负电荷层,以在所述半导体衬底上形成所述空穴层。7.根据权利要求1所述的提...
【专利技术属性】
技术研发人员:李杰,
申请(专利权)人:格科微电子上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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