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一种光接收器的光路结构制造技术

技术编号:15156940 阅读:190 留言:0更新日期:2017-04-12 00:16
本实用新型专利技术提供一种光接收器的光路结构,包括:陶瓷插芯、透镜、热沉、解复用器、透镜阵列、棱镜和光电二极管阵列,所述解复用器、透镜阵列和棱镜分别设置于所述热沉上,所述透镜设置于所述解复用器远离透镜阵列的一侧,所述陶瓷插芯设置于所述透镜远离解复用器的一侧,所述棱镜设置于所述透镜阵列远离解复用器的一侧,所述光电二极管阵列为背照式的光电二极管阵列,所述光电二极管阵列设置于所述棱镜的上方。本实用新型专利技术通过背照式的光电二极管阵列使得光路的光是从其下表面入射,所以在光路中棱镜将光向上折射,使得光从背照式的光电二极管阵列的下表面垂直入射,进而改变了光路结构,能够使得产品工艺变得简单。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种接收器,尤其涉及一种工艺简单的光接收器。
技术介绍
以视频、云计算、物联网为代表的新兴业务对带宽需求剧增,推动光传输网络沿着40G、100G的路线快速升级,100G光通信网络产品和技术已经逐渐成熟。作为100GLR4模块中的关键器件之一,其光接收组件中实现分光的元件称为DEMUX(De-Multiplexer),即解复用器或分路器,DEMUX主要有两种方案,一种是AWGPLC(PlanarLightwaveCircuit)是用波导结构把输入的四种波长的混合光按波长分为四路。另外一种是采用玻璃Block-filter,四个filter每个filter都是针四个波长段定制的透射率和反射率,通过四块不同的filter把四种波长的光分开。现有的光接收器采用的是正照式的光电二极管阵列,那么,必然存在这么几个问题:第一、正照式光电二极管阵列的光敏面小一般只有20um,耦合工艺难度高;第二、组装带反射面的小棱镜的光路复杂,定位要求精度高;第三、在这种正照式结构中需要引线连接的光电二极管芯片平面低于光路所在的光轴,并且几乎所有原件都高于需要引线连接的引线连接面,那么,引线连接设备的瓷嘴需要下到更深的管壳内,使得引线连接工艺的风险加大,容易撞坏产品或者引线连接设备的瓷嘴;第四、需要深腔焊,现有的深腔焊的引线连接设备价格昂贵,增加了产品的成本。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是需要提供一种通过改变光路结构进而使得产品工艺简单化的光接收器。对此,本技术提供一种光接收器的光路结构,包括:陶瓷插芯、透镜、热沉、解复用器、透镜阵列、棱镜和光电二极管阵列,所述解复用器、透镜阵列和棱镜分别设置于所述热沉上,所述透镜设置于所述解复用器远离透镜阵列的一侧,所述陶瓷插芯设置于所述透镜远离解复用器的一侧,所述棱镜设置于所述透镜阵列远离解复用器的一侧,所述光电二极管阵列为背照式的光电二极管阵列,所述光电二极管阵列设置于所述棱镜的上方。本技术的进一步改进在于,所述棱镜包括反射面,所述反射面设置于所述棱镜远离热沉的一侧,所述光电二极管阵列贴装在所述反射面上。本技术的进一步改进在于,所述棱镜包括45度的反射面。本技术的进一步改进在于,还包括光轴,所述陶瓷插芯、透镜、解复用器和透镜阵列的中心线均与所述光轴位于同一水平线上。本技术的进一步改进在于,还包括导电金属线,所述光电二极管阵列通过导电金属线连接至外部的跨阻放大器。本技术的进一步改进在于,所述导电金属线的一端设置于所述光电二极管阵列的上表面。本技术的进一步改进在于,还包括用于连接导电金属线的焊接面,所述导电金属线的另一端设置于所述焊接面的上表面。本技术的进一步改进在于,所述焊接面的水平位置高于光轴的水平位置。本技术的进一步改进在于,所述焊接面设置于所述热沉的上表面。本技术的进一步改进在于,所述光电二极管阵列的上表面水平位置高于所述光轴的水平位置。与现有技术相比,本技术的有益效果在于:通过背照式的光电二极管阵列使得光路的光是从其下表面入射,所以在光路中棱镜将光向上折射,使得光从背照式的光电二极管阵列的下表面垂直入射,进而改变了光路结构,能够使得产品工艺变得简单,具体的优势在于:第一、通过背照式的光电二极管阵列刻蚀了透镜结构能够接收到更多的光能量,相当于增大了光电二极管的光敏面,使其从现有技术中的20um增加到30um-40um,大大降低了耦合难度;第二、带45度反射面的棱镜和背照式的光电二极管阵列之间的贴装精度要求也大大降低;第三、需要引线连接的光电二极管的平面高于光轴使得引线连接的工艺简单;第四、不需要深腔焊,使用普通的引线连接设备就可以完成导电金属线的连接工艺,大大降低了产品工艺复杂度,节约了人力和物力,降低了产品成本。附图说明图1是本技术一种实施例的结构示意图。具体实施方式下面结合附图,对本技术的较优的实施例作进一步的详细说明。如图1所示,本例提供一种光接收器的光路结构,包括:陶瓷插芯101、透镜102、热沉103、解复用器104、透镜阵列105、棱镜106和光电二极管阵列201,所述解复用器104、透镜阵列105和棱镜106分别设置于所述热沉103上,所述透镜102设置于所述解复用器104远离透镜阵列105的一侧,所述陶瓷插芯101设置于所述透镜102远离解复用器104的一侧,所述棱镜106设置于所述透镜阵列105远离解复用器104的一侧,所述光电二极管阵列201为背照式的光电二极管阵列201,所述光电二极管阵列201设置于所述棱镜106的上方。本例所述解复用器104即DEMUX,也称分路器;所述光电二极管阵列201即为PD阵列,也就是Photodiode阵列。现有技术中,正照式的光电二极管阵列设置于棱镜的下方,在接收光信号从陶瓷插芯中输出到达透镜,经过透镜被耦合进入解复用器的输入端口经过解复用器使得不同波长的光信号被分开,各通道的光通过透镜阵列汇聚再经过带反射面的棱镜的反射,光垂直向下聚焦到正照式的光电二极管阵列的上表面,所述光电二极管阵列的上表面就是光敏面,完成光电转换;这种正照式的光电二极管阵列正面感光,光敏面在光电二极管阵列的上表面,光直接入射到其上表面就可以完成光电转换。本例采用的是背照式的光电二极管阵列201,背面感光,光要从背面入射,一般都会有一个刻蚀的透镜结构,可以对光进行进一步汇聚,从而接收到更多的光能量,它的光敏面一般在刻蚀透镜和上表面之间的区域,上表面设置是一些电连接的引脚。本例从陶瓷插芯101中输出的接收光信号到达透镜102,所述光信号包括1295.56nm、1300.06nm、1304.59nm和1309.14nm四种波长的混合光,然后经过透镜102被耦合进入解复用器104的输入端口经过解复用器104使得不同波长的光信号被分开,各通道的光通过透镜阵列105汇聚再经过棱镜106的反射,光垂向上入射到背照式的光电二极管阵列201的透镜上,最后汇聚到其光敏面,完成光电转换。相对于现有技术的正照式的光电二极管阵列结构的100GLR4光接收组件而言,本例采用了背照式的光电二极管阵列201结构的100GLR4光接收组件最大的不同就是光电二极管阵列201以及光路部分结构,背照式的光电二极管阵列201的光是从其下表面入射,所以光路中棱镜106将光向上折射,使得光从背照式的光电二极管阵列201的下表面垂直入射,进而改变了光路使得产品工艺简单很多。如图1所示,本例所述棱镜106包括反射面,所述反射面设置于所述棱镜106远离热沉103的一侧,所述光电二极管阵列201贴装在所述反射面上;所述棱镜106优选包括45度的反射面;本例还包括光轴108、导电金属线110和用于连接导电金属线110的焊接面109,所述陶瓷插芯101、透镜102、解复用器104和透镜阵列105的中心线均与所述光轴108位于同一水平线上;所述光电二极管阵列201通过导电金属线110连接至外部的跨阻放大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光接收器的光路结构,其特征在于,包括:陶瓷插芯、透镜、热沉、解复用器、透镜阵列、棱镜和光电二极管阵列,所述解复用器、透镜阵列和棱镜分别设置于所述热沉上,所述透镜设置于所述解复用器远离透镜阵列的一侧,所述陶瓷插芯设置于所述透镜远离解复用器的一侧,所述棱镜设置于所述透镜阵列远离解复用器的一侧,所述光电二极管阵列为背照式的光电二极管阵列,所述光电二极管阵列设置于所述棱镜的上方。

【技术特征摘要】
1.一种光接收器的光路结构,其特征在于,包括:陶瓷插芯、透镜、热沉、解复用器、透镜阵列、棱镜和光电二极管阵列,所述解复用器、透镜阵列和棱镜分别设置于所述热沉上,所述透镜设置于所述解复用器远离透镜阵列的一侧,所述陶瓷插芯设置于所述透镜远离解复用器的一侧,所述棱镜设置于所述透镜阵列远离解复用器的一侧,所述光电二极管阵列为背照式的光电二极管阵列,所述光电二极管阵列设置于所述棱镜的上方。
2.根据权利要求1所述的光接收器的光路结构,其特征在于,所述棱镜包括反射面,所述反射面设置于所述棱镜远离热沉的一侧,所述光电二极管阵列贴装在所述反射面上。
3.根据权利要求2所述的光接收器的光路结构,其特征在于,所述棱镜包括45度的反射面。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的光接收器的光路结构,其特征在于,还包括光轴,所述陶瓷插芯、透镜、解复用器和透镜阵列的中心线均...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴帅杨海丽镇磊
申请(专利权)人:吴帅
类型:新型
国别省市:广东;44

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