一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法技术

本申请公开了一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法，其中，所述影像传感芯片的封装结构通过封装层、基底和影像传感芯片构成了一个用于设置影像感应区的密闭空腔，并且通过在缓冲层中设置第一凹槽的方式，避免与外界接触的缓冲层与密闭空腔的直接接触，而由于作为缓冲层的材料的吸水性能一般较强，将与外界接触的缓冲层与密闭空腔隔绝，可以避免外界水分通过缓冲层进入影像传感芯片的封装结构的密闭空间，从而解决了外界水分容易通过影像传感芯片的封装结构进入密闭空腔中，而对影像传感芯片的影像感应区产生不良影响的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法
本申请涉及半导体封装
，更具体地说，涉及一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法。
技术介绍
影像传感芯片是一种能够感受外部光线并将其转换成电信号的传感芯片。在影像传感芯片制作完成后，再通过对影像传感芯片进行一系列的封装工艺，从而形成封装好的影像传感芯片，以用于诸如数码相机、数码摄像机等各种电子设备。在影像传感芯片的封装结构中，需要为影像传感芯片的影像感应区提供一个密闭空腔，并为该密闭空腔提供良好的放水防潮特性，以使影像传感芯片的影像感应区免受外界水汽的侵蚀。但在现有技术中的封装结构中，外界的水分容易通过封装结构进入该密闭空腔中，而对影像传感芯片的影像感应区产生不良影响。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本申请提供了一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法，以解决外界水分容易通过影像传感芯片的封装结构进入密闭空腔中而对影像传感芯片的影像感应区产生不良影响的问题。为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：一种影像传感芯片的封装结构，包括：基底；位于所述基底表面的缓冲层；贯穿所述缓冲层的第一凹槽，所述第一凹槽暴露出部分所述基底表面；覆盖所述缓冲层和所述第一凹槽暴露出的基底表面的金属层；贯穿所述金属层和所述缓冲层的第二凹槽，所述第二凹槽暴露出部分所述基底表面；所述第一凹槽位于所述第二凹槽的周缘；倒装于所述基底上的影像传感芯片，所述影像传感芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面中设置有影像感应区和环绕所述影像感应区的第一焊盘，所述第一焊盘和所述金属层电连接，所述影像感应区朝向所述第二凹槽；至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层。可选的，所述缓冲层和所述金属层在所述基底上的正投影部分或全部覆盖所述基底的布线区表面。可选的，所述封装层为覆盖所述影像传感芯片的第二表面、所述第一凹槽暴露出的基底表面和所述金属层的塑封层。可选的，所述封装层为覆盖所述影像传感芯片的第二表面、所述第一凹槽暴露出的基底表面、所述金属层和所述基底裸露表面的塑封层。可选的，还包括贯穿所述塑封层的连接端子，所述连接端子与所述金属层电性连接。可选的，所述连接端子的高度大于所述塑封层的高度。可选的，所述封装层为覆盖所述第一凹槽暴露出的基底表面以及所述影像传感芯片侧壁的点胶层。可选的，还包括：设置于所述金属层上的连接端子，所述连接端子的高度大于所述影像传感芯片与所述金属层之间的垂直距离。可选的，还包括：位于所述第一焊盘与所述金属层之间的金属凸块，所述金属凸块与所述金属层和所述第一焊盘均电性连接。可选的，所述第一凹槽与所述第二凹槽之间设置有部分所述缓冲层。可选的，所述第一凹槽与所述第二凹槽贯通。一种影像传感芯片的封装方法，包括：提供一基底，所述基底包括多个功能区和位于相邻所述功能区之间的切割道，所述功能区包括透光区和位于所述透光区两侧的布线区；形成至少部分覆盖所述布线区的缓冲层，并对所述缓冲层进行处理，形成贯穿所述缓冲层，且暴露出部分所述基底表面的第一凹槽；形成覆盖所述缓冲层和所述第一凹槽暴露出的基底表面的金属层；对所述金属层及所述缓冲层进行处理，以形成贯穿所述金属层和所述缓冲层的第二凹槽，所述第二凹槽暴露出部分所述基底表面；所述第一凹槽位于所述第二凹槽的周缘；提供影像传感芯片，所述影像传感芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面中设置有影像感应区和环绕所述影像感应区的第一焊盘，所述第一焊盘和所述金属层电连接，并将所述影像传感芯片倒装在所述功能区上，以使所述影像感应区朝向所述第二凹槽；形成至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层；沿所述切割道对所述基底进行切割。可选的，所述形成至少部分覆盖所述布线区的缓冲层包括：形成部分或全部覆盖所述布线区表面的缓冲层。可选的，所述形成至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层包括：形成覆盖所述影像传感芯片的第二表面、所述第一凹槽暴露出的基底表面和所述金属层的塑封层；或形成覆盖所述影像传感芯片的第二表面、所述第一凹槽暴露出的基底表面、所述金属层和所述基底裸露表面的塑封层。可选的，所述形成至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层之后，所述沿所述切割道对所述基底进行切割之前还包括：对所述塑封层进行处理，以形成多个暴露出所述金属层的第三凹槽，所述第三凹槽位于所述影像传感芯片的周缘；在所述第三凹槽中填充导电材料，以形成位于所述第三凹槽中，且与所述金属层电性连接的连接端子。可选的，所述形成至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层包括：形成覆盖所述第一凹槽暴露出的基底表面以及所述影像传感芯片侧壁的点胶层。可选的，所述形成至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层之后，所述沿所述切割道对所述基底进行切割之前还包括：在所述金属层上形成与所述金属层电性连接的连接端子。从上述技术方案可以看出，本申请实施例提供了一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法，其中，所述影像传感芯片的封装结构通过封装层、基底和影像传感芯片构成了一个用于设置影像感应区的密闭空腔，并且通过在缓冲层中设置第一凹槽的方式，避免与外界接触的缓冲层与密闭空腔的直接接触，而由于作为缓冲层的材料的吸水性能一般较强，将与外界接触的缓冲层与密闭空腔隔绝，可以避免外界水分通过缓冲层进入影像传感芯片的封装结构的密闭空间，从而解决了外界水分容易通过影像传感芯片的封装结构进入密闭空腔中，而对影像传感芯片的影像感应区产生不良影响的问题。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请的一个实施例提供的一种影像传感芯片的封装结构的剖面结构示意图；图2为图1沿Z轴负向的俯视结构示意图；图3为本申请的另一个实施例提供的一种影像传感芯片的封装结构的剖面结构示意图；图4为图3沿Z轴负向的俯视结构示意图；图5为本申请的又一个实施例提供的一种影像传感芯片的封装结构的剖面结构示意图；图6为本申请的再一个实施例提供的一种影像传感芯片的封装结构的剖面结构示意图；图7-图18为本申请的一个实施例提供的一种影像传感芯片的封装方法的流程示意图。具体实施方式正如
技术介绍
所述，现有技术中的影像传感芯片的封装结构难以避免外界水分进入密闭空腔中，从而对影像传感芯片的影像感应区产生不良影响。主要原因如下：现有技术中的影像传感芯片的基底上设置有缓冲层，缓冲层上设置有连接影像传感芯片的焊盘的金属层，影像传感芯片通过倒装的方式将焊盘与金属层电连接，最后通过在影像传感芯片的两侧设置封装层的方式形成影像传感芯片与基底之间的密闭空腔结构。但是由于作为缓冲层的材料的吸湿性能均较强，在这种封装结构中，外界水汽容易被缓冲层吸收，并沿着缓冲层扩散进入密闭空腔中，从而使得该封装结构的防水防潮本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种影像传感芯片的封装结构，其特征在于，包括：基底；位于所述基底表面的缓冲层；贯穿所述缓冲层的第一凹槽，所述第一凹槽暴露出部分所述基底表面；覆盖所述缓冲层和所述第一凹槽暴露出的基底表面的金属层；贯穿所述金属层和所述缓冲层的第二凹槽，所述第二凹槽暴露出部分所述基底表面；所述第一凹槽位于所述第二凹槽的周缘；倒装于所述基底上的影像传感芯片，所述影像传感芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面中设置有影像感应区和环绕所述影像感应区的第一焊盘，所述第一焊盘和所述金属层电连接，所述影像感应区朝向所述第二凹槽；至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层。

【技术特征摘要】
1.一种影像传感芯片的封装结构，其特征在于，包括：基底；位于所述基底表面的缓冲层；贯穿所述缓冲层的第一凹槽，所述第一凹槽暴露出部分所述基底表面；覆盖所述缓冲层和所述第一凹槽暴露出的基底表面的金属层；贯穿所述金属层和所述缓冲层的第二凹槽，所述第二凹槽暴露出部分所述基底表面；所述第一凹槽位于所述第二凹槽的周缘；倒装于所述基底上的影像传感芯片，所述影像传感芯片包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面中设置有影像感应区和环绕所述影像感应区的第一焊盘，所述第一焊盘和所述金属层电连接，所述影像感应区朝向所述第二凹槽；至少覆盖所述影像传感芯片的侧壁、所述第一凹槽暴露出的基底表面和部分所述金属层的封装层。2.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述缓冲层和所述金属层在所述基底上的正投影部分或全部覆盖所述基底的布线区表面。3.根据权利要求2所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述封装层为覆盖所述影像传感芯片的第二表面、所述第一凹槽暴露出的基底表面和所述金属层的塑封层。4.根据权利要求2所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述封装层为覆盖所述影像传感芯片的第二表面、所述第一凹槽暴露出的基底表面、所述金属层和所述基底裸露表面的塑封层。5.根据权利要求3或4任一项所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，还包括贯穿所述塑封层的连接端子，所述连接端子与所述金属层电性连接。6.根据权利要求5所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述连接端子的高度大于所述塑封层的高度。7.根据权利要求2所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述封装层为覆盖所述第一凹槽暴露出的基底表面以及所述影像传感芯片侧壁的点胶层。8.根据权利要求7所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，还包括：设置于所述金属层上的连接端子，所述连接端子的高度大于所述影像传感芯片与所述金属层之间的垂直距离。9.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，还包括：位于所述第一焊盘与所述金属层之间的金属凸块，所述金属凸块与所述金属层和所述第一焊盘均电性连接。10.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述第一凹槽与所述第二凹槽之间设置有部分所述缓冲层。11.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述第一凹槽与所述第二凹槽贯通。12.一种影像传感芯片的封装方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底包括多个功能区和位于相邻所述功能区之间的切割道，所述功能区包括透...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡津津，王之奇，
申请(专利权)人：苏州晶方半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32