图像传感器及其形成方法技术

一种图像传感器及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行碳离子注入，以在所述半导体衬底内形成碳化物层；生长外延层，所述外延层覆盖所述半导体衬底。本发明专利技术方案可以利用碳化物层对金属粒子的吸附能力，降低外延层内的金属污染，提高图像传感器的品质。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种图像传感器及其形成方法。
技术介绍
目前CMOS图像传感器(CMOSImageSensors，CIS)器件在摄像头领域得到了广泛应用，为了获得更佳的拍摄效果，对于CIS器件的性能要求也越来越高。其中，白像素(WhitePixel)以及暗电流(DarkCurrent)被视为评价CIS器件性能的关键参数。具体地，在半导体制造工艺中，金属杂质污染是导致白像素数量增加的主要原因。更具体地，由于金属粒子的影响，会导致在没有光线照射到像素单元上时，像素点自身也会产生电荷，随着电荷不断增多并聚集在一起，就形成了暗电流。对于一个像素单元而言，当暗电流值超过了通过捕获光子产生的光电流后，该像素点就会被控制电路默认为白像素。由上可知，图像传感器对金属污染非常敏感，亟需一种图像传感器的形成方法，可以通过金属污染，有效的改善图像传感器的品质。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种图像传感器及其形成方法，可以利用碳化物层对金属粒子的吸附能力，降低外延层内的金属污染，提高图像传感器的品质。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行碳离子注入，以在所述半导体衬底内形成碳化物层；生长外延层，所述外延层覆盖所述半导体衬底。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行碳离子注入，以在所述半导体衬底内形成碳化物层；生长外延层，所述外延层覆盖所述半导体衬底。2.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述碳化物层位于所述半导体衬底的顶部，或者所述碳化物层距离所述半导体衬底的顶部表面具有预设距离。3.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底，所述碳化物层的材料为碳化硅。4.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在生长所述外延层之前，还包括：采用退火工艺对所述碳化物层进行退火。5.根据权利要求4所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的工艺参数为：退火温度为800摄氏度至1200摄氏度；退火时长为5s至60s。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：田成俊，洪纪伦，倪明明，吴孝哲，吴宗祐，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32