引线框架及其制造方法技术

提供引线框架及其制造方法，能防止连接杆变形，并且抑制切割产生的切断飞边和旋转刀具的磨损，由此能提高良好品质的半导体装置的生产率，经济性良好地制造高品质的半导体装置。提供包括在纵向、横向或者纵横方向彼此邻接的多个单位引线框架(12)的引线框架(10)及其制造方法。单位引线框架(12)包括元件装载部、具备端子部(14、15)的引线(11)和连接杆(13)。引线(11)配置在所述元件装载部的周围。借助连接杆(13)将邻接的所述单位引线框架(12)的引线(11)彼此连接。所述连接杆(13)的主体(13a)上一体设有第一加强部(16)和第二加强部(17)，第一加强部(16)与所述引线(11)的连接侧端部(18)连接；第二加强部(17)把在连接杆的长边方向上相邻的所述第一加强部(16)彼此连接，且宽度比所述连接杆主体(13a)的宽度窄。所述第一加强部(16)具有在其厚度方向上凹陷的凹部(21)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】引线框架及其制造方法
本专利技术涉及半导体装置的制造所采用的引线框架及其制造方法。
技术介绍
作为半导体装置，已知具有将多个半导体装置统一树脂封装的MAP(MoldAlleyProcess)类型的QFN(QuadFlatNon-leaded)型半导体装置。所述QFN型半导体装置所采用的引线框架中，多个单位引线框架在纵向、横向或者纵横方向彼此邻接配置。而且，借助连接杆将邻接的单位引线框架的引线彼此连接。另外，统一树脂封装的QFN型半导体装置在树脂封装后被单片化。所述单片化例如利用旋转刀具对邻接的QFN型半导体装置进行切割。可是在切割时，在除去连接杆时会产生切断飞边或者旋转刀具的磨损。因此，如图2A和图2B所示，为了控制这种情况，连接杆80的背面侧或表面侧利用半蚀刻而加工成薄壁(例如参照日本专利公开公报特开2001-320007号)。另外，附图标记81为单位引线框架。附图标记82为引线。图2B中用阴影线绘出的部分表示半蚀刻的部位。双点划线表示用旋转刀具切断的切割线。被所述切割线夹着的部位是被切割除去的部位(其他的图中也相同)。此外，作为QFN型半导体装置所采用的引线框架，如图3B所示，已知长引线类型的引线框架85，其相比于图3A所示的通常的QFN型半导体装置所采用的引线框架83具有更长的内部引线84。另外，图3A和图3B分别表示了引线框架83和引线框架85的背面侧。图3A中的附图标记86为引线框架83所含的单位引线框架的内部引线。此外，内部引线86和内部引线84都利用半蚀刻而成为薄壁。在引线框架85所含的单位引线框架中，承载IC芯片(半导体元件)的底座(元件装载部)87与内部引线84之间的距离变短。因此，可以使电连接IC芯片和内部引线84的接合线(未图示)变短。由此，具有能防止树脂封装时的导线布置导致的短路的优点。而且，还具有伴随接合线的使用量的减少而削减材料成本的优点。专利文献1：日本专利公开公报特开2001-320007号在长引线类型的引线框架85中，为了抑制切断飞边的产生，连接杆88为薄壁且内部引线84较长。因此，如图4A所示，引线框架85容易以连接杆88为基点在板厚方向上变形。此外，如图4B所示，连接杆88容易在水平面内弯曲。如此，产生了引线框架85容易变形的状况。另外，还可以考虑不将连接杆形成薄壁，为了抑制切断飞边的发生，采用降低切割速度进行生产的对策。可是此时，QFN型半导体装置的生产率降低。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而完成的。本专利技术的目的是提供能防止连接杆变形，并且抑制切割产生的切断飞边和旋转刀具的磨损的引线框架及其制造方法。按照本专利技术，由于提高了良好品质的半导体装置的生产率，所以能经济性良好地制造高品质的半导体装置。用于实现上述目的的第一实施方式的引线框架包括在纵向、横向或者纵横方向彼此邻接配置的多个单位引线框架，所述单位引线框架具有：位于所述单位引线框架的中央的元件装载部；配置在所述元件装载部的周围的引线；以及连接杆，所述引线具有端子部和连接侧端部，所述端子部位于所述引线的表面和背面，借助连接杆将邻接的所述单位引线框架的所述引线彼此连接，所述连接杆包括连接杆主体、第一加强部和第二加强部，所述第二加强部的宽度比所述连接杆主体的宽度窄，所述第一加强部与所述连接杆主体的背面侧和/或表面侧一体化，并与所述引线的所述连接侧端部连接，而且所述第一加强部具有在其厚度方向凹陷的凹部，所述第二加强部与所述连接杆主体一体化，且把在所述连接杆的所述长边方向上相邻的第一加强部彼此连接。在第一实施方式的引线框架中，优选所述引线的所述连接侧端部包括连接部主体和第三加强部，所述第三加强部位于所述连接部主体的表面侧，且宽度比所述连接部主体的宽度窄。在这种情况下，所述第三加强部与所述第一加强部或所述连接杆主体一体化。在此，优选所述第三加强部具有0.02mm以上且0.08mm以下的宽度。此外，优选所述第三加强部配置成与切割时的切割区域的边缘交叉，所述第三加强部的两端分别与所述切割区域的边缘分开0.05mm以上。在第一实施方式的引线框架中，优选所述凹部的宽度在所述连接杆主体的宽度以下。用于实现上述目的的第二实施方式的引线框架的制造方法是第一实施方式的引线框架的制造方法，对引线框架件中的形成连接杆的区域的背面侧和/或表面侧进行半蚀刻，形成连接杆主体、第一加强部、在所述第一加强部上向其厚度方向凹陷的凹部以及宽度比所述连接杆主体的宽度窄的第二加强部，所述第一加强部形成在所述连接杆的与引线的连接侧端部连接的区域，在所述连接杆主体的、位于在所述连接杆的长边方向上相邻的所述第一加强部之间的区域内，以将相邻的所述第一加强部彼此连接的方式形成所述第二加强部。第二实施方式的引线框架的制造方法中，优选对所述引线框架件中的所述引线的所述连接侧端部的表面侧进行半蚀刻，形成连接部主体以及宽度比所述连接部主体的宽度窄的第三加强部。此时，所述第三加强部与所述第一加强部或所述连接杆主体一体形成。按照本实施方式的引线框架及其制造方法，连接杆具有连接杆主体、第一加强部和第二加强部。第二加强部把在所述连接杆的长边方向上相邻的第一加强部彼此连接，且宽度比连接杆主体的宽度窄。因此，可以维持连接杆的强度，并且减少切割除去的连接杆量(金属量)。进而，第一加强部具有在其厚度方向凹陷的凹部。由于第一加强部的厚度相应地变薄，因而可以进一步减少切割除去的连接杆量。因此，不仅可以防止连接杆变形，并且可以抑制切割产生的切断飞边和旋转刀具的磨损。其结果，由于提高了良好品质的半导体装置的生产率，所以能经济性良好地制造高品质的半导体装置。此外，连接杆上连接的引线的连接侧端部可以在其连接部主体的表面侧具有第三加强部。此时，第三加强部与第一加强部或连接杆主体一体化，且宽度比连接部主体的宽度窄。因此，可以进一步减少切割除去的部分。其结果，可以进一步提高抑制切断飞边和旋转刀具磨损的效果。附图说明图1A是表示本专利技术一个实施方式的引线框架的连接杆附近的表面侧的俯视图。图1B是表示本专利技术一个实施方式的引线框架的连接杆附近的背面侧的仰视图。图1C是图1A的X1-X1箭头方向断面图。图1D和图1E分别是图1B的X2-X2箭头方向断面图和X3-X3箭头方向断面图。图2A是表示第一现有例的引线框架的连接杆附近的表面侧的俯视图。图2B是表示第一现有例的引线框架的连接杆附近的背面侧的仰视图。图3A和图3B分别是表示第二现有例和第三现有例的引线框架所含的一个单位引线框架的背面侧及其附近的仰视图。图4A是引线框架的侧断面图，表示第三现有例的引线框架的连接杆附近的变形状态。图4B是表示引线框架的背面侧的仰视图，表示第三现有例的引线框架的连接杆附近的变形状态。附图标记说明10：引线框架11：引线12：单位引线框架13：连接杆13a：连接杆主体14、15：端子部16：第一加强部17：第二加强部18：连接侧端部18a：连接部主体19、20：半蚀刻部21：凹部22：第三加强23、24：半蚀刻部25：切割区域具体实施方式接着，参照附图说明本专利技术的更具体的实施方式，以供理解本专利技术。如图1A～图1E所示，本专利技术一个实施方式的引线框架10用于制造QFN型半导体装置(以下也简称为半导体装置)。所述引线框架10包含彼此邻接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种引线框架，其特征在于，包括在纵向、横向或者纵横方向彼此邻接配置的多个单位引线框架，所述单位引线框架具有：位于所述单位引线框架的中央的元件装载部；配置在所述元件装载部的周围的引线；以及连接杆，所述引线具有端子部和连接侧端部，所述端子部位于所述引线的表面和背面，借助所述连接杆将邻接的所述单位引线框架的所述引线彼此连接，所述连接杆包括连接杆主体、第一加强部和第二加强部，所述第二加强部的宽度比所述连接杆主体的宽度窄，所述第一加强部与所述连接杆主体的背面侧和/或表面侧一体化，并与所述引线的所述连接侧端部连接，而且所述第一加强部具有在其厚度方向凹陷的凹部，所述第二加强部与所述连接杆主体一体化，且把在所述连接杆的长边方向上相邻的所述第一加强部彼此连接。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.01.19 JP 2016-0080451.一种引线框架，其特征在于，包括在纵向、横向或者纵横方向彼此邻接配置的多个单位引线框架，所述单位引线框架具有：位于所述单位引线框架的中央的元件装载部；配置在所述元件装载部的周围的引线；以及连接杆，所述引线具有端子部和连接侧端部，所述端子部位于所述引线的表面和背面，借助所述连接杆将邻接的所述单位引线框架的所述引线彼此连接，所述连接杆包括连接杆主体、第一加强部和第二加强部，所述第二加强部的宽度比所述连接杆主体的宽度窄，所述第一加强部与所述连接杆主体的背面侧和/或表面侧一体化，并与所述引线的所述连接侧端部连接，而且所述第一加强部具有在其厚度方向凹陷的凹部，所述第二加强部与所述连接杆主体一体化，且把在所述连接杆的长边方向上相邻的所述第一加强部彼此连接。2.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，所述引线的所述连接侧端部包括连接部主体和第三加强部，所述第三加强部位于所述连接部主体的表面侧，且宽度比所述连接部主体的宽度窄，所述第三加强部与所述第一加强部或所述连接杆主体一体化。3.根据权利要求2所述的引线框架，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：石桥贵弘，
申请(专利权)人：株式会社三井高科技，
类型：发明
国别省市：日本,JP