可挠性电子装置制造方法及图纸

一种可挠性电子装置，包括可挠性基板以及导电结构。可挠性基板具有可弯折区以及与可弯折区相接的元件区。导电结构位于可挠性基板上且自元件区沿一延伸方向延伸至可弯折区。导电结构包括位于可弯折区上的多个开口，且在平行于延伸方向的投影面上，开口投影于投影面上的投影区域部分重迭。

【技术实现步骤摘要】
可挠性电子装置
本专利技术是有关于一种电子装置，且特别是有关于一种可挠性电子装置。
技术介绍
随着电子技术的高度发展，电子产品不断推陈出新。电子产品为了可应用于不同领域，可挠曲、轻薄以及外型不受限的特性逐渐受到重视。也就是说，电子产品逐渐被要求需要依据不同的应用方式以及应用环境而有不同的外型，且常因为使用者需求而需被加以挠曲或弯曲。然而，在可挠式电子产品在挠曲或弯曲的状态下，有可能会因为硬例而造成结构上的断裂，而可能进一步造成内部线路的断路。因此，如何使可挠式电子产品仍具有良好的制造良率(yield)及产品可靠度(reliability)，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
本专利技术提供一种可挠性电子装置，其具有较佳的良率或可靠度。本专利技术的可挠性电子装置包括可挠性基板以及导电结构。可挠性基板具有可弯折区以及与可弯折区相接的元件区。导电结构位于可挠性基板上且自元件区沿一延伸方向延伸至可弯折区。导电结构包括位于可弯折区上的多个开口，且在平行于延伸方向的投影面上，开口投影于投影面上的投影区域部分重迭。本专利技术的可挠性电子装置包括可挠性基板以及导电结构。可挠性基板具有可弯折区以及与可弯折区相接的元件区。导电结构位于可挠性基板上且自元件区沿一延伸方向延伸至可弯折区，位于可弯折区的部分导电结构在任意的一剖面上具有彼此分离的多个导电区，其中剖面的法线方向基本上相同于延伸方向。本专利技术的可挠性电子装置包括可挠式导电结构。可挠式导电结构具有一延伸方向。可挠式导电结构包括多个开口，且在平行于延伸方向的一投影面上，开口投影于投影面上的投影区域形成一连续图案。本专利技术的可挠性电子装置包括可挠式导电结构。可挠式导电结构具有一延伸方向，其中在垂直于延伸方向的任意剖面上，可挠式导电结构具有多个导电区，且多个导电区彼此分离。基于上述，本专利技术提出的一种可挠性电子装置中，其导电结构具有多个开口，且在平行于延伸方向的一投影面上，这些开口投影于投影面上的投影区域部分重迭，以使导电结构在法线方向相同于延伸方向的剖面上可以形成具有彼此分离的多个导电区。因此，可以降低导电结构断路的可能，而可以提升可挠性电子装置的良率或可靠度。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1A是依照本专利技术第一实施例的可挠性电子装置的剖面示意图。图1B是依照本专利技术第一实施例的可挠性电子装置受到外力时所具有对应的挠曲状态的剖面示意图。图1C是依照本专利技术第一实施例的可挠性电子装置的部分上视示意图。图1D是沿图1C中剖线A-A’的剖面示意图。图1E是沿图1C中剖线B-B’的剖面示意图。图2是依照本专利技术第二实施例的可挠性电子装置的部分上视示意图。图3是依照本专利技术第三实施例的可挠性电子装置的部分上视示意图。图4是依照本专利技术第四实施例的可挠性电子装置的部分上视示意图。图5是依照本专利技术第五实施例的可挠性电子装置的部分上视示意图。图6A是依照本专利技术第六实施例的可挠性电子装置的部分立体示意图。图6B是沿图6A中剖面R1的剖面示意图。图7是依照本专利技术第七实施例的可挠性电子装置的部分立体示意图。图8是依照本专利技术第八实施例的可挠性电子装置的部分立体示意图。图9是依照本专利技术第九实施例的可挠性电子装置的部分立体示意图。图10是依照本专利技术第十实施例的可挠性电子装置的部分立体示意图。图11是依照本专利技术第十一实施例的可挠性电子装置的部分立体示意图。图12A是依照本专利技术的比较例的应力分布图。图12B是依照本专利技术的测试例的应力分布图。其中，附图标记：100、100'、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100：可挠性电子装置110：可挠性基板A1：可弯折区A2：元件区111：缓冲层112：电子元件S：源极D：漏极G：栅极CH：通道层GI：栅极介电层113、113a、113b：线路层120、220、320、420、520、620、720、1120：导电结构121：延伸方向122：电流/电子流方向123：导线宽度124、224、324、424、520、624、1124：开口324a：第一子开口324b、324b'：第二子开口125：开口间距126a、226a、326a、426a、526a、626a：第一导线部分126b、226b、326b、426b、526b、626b：第二导线部分126c、326c：第三导线部分726d：第四导线部分726e：第五导线部分130：投影面131：投影区域140、640a、640b：导电区150、150b、150c：交会点1160：导电层661：第一导电层662、762：第二导电层663：导电连接件626：第一开口627：第二开口728：第三开口X、Y、Z：方向R1：剖面P1、P2：最大应力点具体实施方式图1A是依照本专利技术第一实施例的可挠性电子装置的剖面示意图。图1B是依照本专利技术第一实施例的可挠性电子装置受到外力时所具有对应的挠曲状态的剖面示意图。图1C是依照本专利技术第一实施例的可挠性电子装置的部分上视示意图。图1D是沿图1C中剖线A-A’的剖面示意图。图1E是沿图1C中剖线B-B’的剖面示意图。具体而言，为求清晰，图1C至图1D仅绘示了位于可弯折区A1的部分导电结构。请同时参照图1A至图1C。在本实施例中，可挠性电子装置100可以包括可挠性基板110、缓冲层111、电子元件112以及导电结构120。可挠性基板110具有可弯折区A1、元件区A2以及联机区A3，元件区A2与联机区A3彼此分离，且可弯折区A1连接于元件区A2与联机区A3之间。缓冲层111覆盖可挠性基板110，电子元件112与导电结构120配置于缓冲层111上，且电子元件112可以与导电结构120电性连接。可挠性基板110的材料例如是聚亚酰胺(polyimide；PI)或其他可挠性材料，以使具有可挠性基板110的可挠性电子装置100可以在受到外力时对应地被挠曲或弯曲。举例而言，如图1A与图1B所示，在图1A中可挠性电子装置100的一端受到垂直于可挠性基板110方向(如：图1A中的Z方向)的外力时，可以使部分的可挠性基板110(如：可挠性基板110的可弯折区A1)对应地被挠曲或弯曲，且使位于可弯折区A1上的缓冲层111与导电结构120也可以具有对应的挠曲或弯曲，以构成如图1B所示具有挠曲或弯曲状态的可挠性电子装置100’。一般而言，在可挠性电子装置100的设计上，可以借由元件或膜层的配置，以使可挠性电子装置100所产生的挠曲或弯曲形变可以较为集中于部分的区域(如：可挠性基板110的可弯折区A1)。举例而言，相较于位于可挠性基板110的元件区A2及/或联机区A3上的缓冲层111b，位于可挠性基板110的可弯折区A1上的缓冲层111a可以具有较薄的厚度，以使可挠性基板110的可弯折区A1相较于元件区A2及/或联机区A3可以具有较大的挠曲或弯曲。除此之外，在可挠性基板110的可弯折区A1上，导电结构120也可以借由本实施例或以下任何实施例中的设计方式，以降低导电结构120因挠曲或弯曲所受到的应力，而降低产生断线而导致断路的可能。在一些可行的实施例中，在可挠性基板110的可弯折区A1上，导电结构120也可以直接覆盖在可挠性基板110上。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可挠性电子装置，其特征在于，包括：一可挠性基板，具有一可弯折区以及与该可弯折区相接的一元件区；以及一导电结构，位于该可挠性基板上且自该元件区沿一延伸方向延伸至该可弯折区，该导电结构包括位于该可弯折区上的多个开口，且在平行于该延伸方向的一投影面上，该些开口投影于该投影面上的投影区域部分重迭。

【技术特征摘要】
2017.11.15 TW 1061395681.一种可挠性电子装置，其特征在于，包括：一可挠性基板，具有一可弯折区以及与该可弯折区相接的一元件区；以及一导电结构，位于该可挠性基板上且自该元件区沿一延伸方向延伸至该可弯折区，该导电结构包括位于该可弯折区上的多个开口，且在平行于该延伸方向的一投影面上，该些开口投影于该投影面上的投影区域部分重迭。2.根据权利要求1所述的可挠性电子装置，其特征在于，该些开口投影于该投影面上的投影区域形成一连续图案。3.根据权利要求1所述的可挠性电子装置，其特征在于，该些开口投影于该投影面上的投影区域不完全重迭。4.根据权利要求1所述的可挠性电子装置，其特征在于，该些开口的间距小于10微米。5.根据权利要求1所述的可挠性电子装置，其特征在于，该投影面更垂直于该可挠性基板的该可弯折区。6.根据权利要求1所述的可挠性电子装置，其特征在于，该些开口包括一第一子开口以及相邻于该第一子开口的多个第二子开口，其中该第一子开口与该些第二子开口投影于该投影面上的投影区域部分重迭，且该些第二子开口在该投影面上所形成的投影区域完全重迭。7.根据权利要求6所述的可挠性电子装置，其特征在于，该第一子开口的轮廓与该些第二子开口的轮廓分别为不同的几何形状。8.根据权利要求1所述的可挠性电子装置，其特征在于，部分的该些开口的轮廓具有相同的形状。9.根据权利要求1所述的可挠性电子装置，其特征在于，该些开口沿该延伸方向交错配置。10.根据权利要求1所述的可挠性电子装置，其特征在于，更包括：一缓冲层，位于该可挠性基板与该导电结构之间。11.根据权利要求10所述的可挠性电子装置，其特征在于，该缓冲层更填充于该些开口。12.根据权利要求1所述的可挠性电子装置，其特征在于，该些开口包括多个第一开口以及多个第二开口，且该导电结构包括：第一导电层，具有该些第一开口；第二导电层，其中该第一导电层位于该可挠性基板以及该第二导电层之间；以及多个导电连接件，连接于该第一导电层与该第二导电层之间，且该第一导电层、该些导电连接件与该第二导电层构成该些第二开口，其中该些第一开口与该些第二开口部分重迭。13.根据权利要求1所述的可挠性电子装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：林恭正，蔡志鸿，薛芷苓，陈佳楷，许庭毓，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71