引线框架、引线框架封装、以及它们的制造方法技术

技术编号:18581230 阅读:23 留言:0更新日期:2018-08-01 14:58
本发明专利技术提供一种具备引线框架主体和其表面上的镀膜的引线框架的制造方法。该制造方法具有如下的镀敷工序:以与引线框架主体的第一主面相对的方式配置与极性反转电源连接的第一电极,并且以与第一主面相反侧的第二主面相对的方式配置与脉冲电源连接的第二电极,进行镀敷处理,在第一主面、第二主面、以及引线框架主体的侧面上形成镀膜。

Lead frame, lead frame package, and manufacturing method thereof

The invention provides a manufacturing method for a lead frame with a lead frame body and a coating on the surface thereof. The manufacturing process has a plating process as follows: a first electrode connected with the polarity reversal power supply is configured in a manner opposite to the first main face of the lead frame body, and a second electrode connected to the pulse power supply is arranged in a manner opposite to the second main face of the first main side of the first main face, and the plating process is performed on the first main plane. A coating is formed on the sides of the second main surface and the main body of the lead frame.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】引线框架、引线框架封装、以及它们的制造方法
本专利技术涉及一种引线框架、引线框架封装、以及它们的制造方法。
技术介绍
引线框架封装具备:引线框架、搭载于其上的半导体芯片、以及密封半导体芯片的密封树脂。在引线框架封装的制造中,用热固化性树脂覆盖引线框架、和搭载于其上的半导体芯片,并对其加热而使其固化。为了确保引线框架封装的可靠性,已知一种使引线框架的表面粗化,从而提高引线框架与密封树脂的粘着性的技术。在引线框架封装中,有搭载半导体芯片的焊盘或引线端子从封装表面露出的类型。在该类型的情况下,若露出的部分被粗化,则在用树脂进行密封时,树脂会容易漏到露出面而产生树脂毛边。通常难以在制造工序中去除这样的树脂毛边,存在露出面被树脂覆盖的问题。另外,在将引线框架封装搭载于基板时,引线框架封装与基板通过焊料导通。在该情况下,引线框架在一个主面与密封树脂接触,并在另一主面与焊料接触。因此,要求各主面与密封树脂及焊料的粘着性优异。因此,在专利文献1中提出了一种方案:在工件的一个主面析出粗化镀膜,并在另一主面析出平滑镀膜,从而防止树脂毛边,并提高与树脂及焊料的粘着性。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利公开2014-221941号公报
技术实现思路
(一)要解决的技术问题引线框架通常具有通过冲裁加工或蚀刻处理等形成的凹凸结构以及贯通孔。形成有凹凸结构以及贯通孔的引线框架具有一对主面和与其正交的侧面。密封树脂有时不仅设置在引线框架的主面上,也会设置在侧面上。因此,在专利文献1中提出了在侧面上也设置镀膜的方案。然而,在专利文献1的技术中,难以调整引线框架的侧面的粗糙度。因此,本专利技术的目的在于,提供一种能够容易地调整侧面的粗糙度的引线框架的制造方法。另外,本专利技术的目的在于,提供一种可靠性优异的引线框架、引线框架封装及其制造方法。(二)技术方案本专利技术提供一种引线框架的制造方法,其是具备引线框架主体和其表面上的镀膜的引线框架的制造方法,具有如下的镀敷工序:以与引线框架主体的第一主面相对的方式配置与极性反转电源连接的第一电极,并且以与第一主面相反侧的第二主面相对的方式配置与脉冲电源连接的第二电极,进行镀敷处理,在第一主面、第二主面、以及引线框架主体的侧面上形成镀膜。上述制造方法具有如下的镀敷工序:使用与极性反转电源连接的第一电极和与脉冲电源连接的第二电极,在引线框架主体的第一主面和第二主面上形成镀膜。因此,能够分别在第一主面和第二主面上形成粗糙度相互不同的镀膜。因此,在进行树脂密封时,使一对主面中粗糙度大的一方的主面与树脂接触,并使粗糙度小的一方的主面露出,从而能够获得具有高可靠性的引线框架。其理由为:粗糙度大的一方的主面是与树脂的粘着性优异的一方,粗糙度小的一方的主面容易除去树脂毛边且与焊料的接合面积足够大而能够提高散热性。另外,由于使用脉冲电源进行了镀敷处理,因此在引线框架主体的侧面上主要是在脉冲电源的关断期间通过与极性反转电源连接的第一电极形成镀膜。例如通过延长关断期间,可进一步促进使用与极性反转电源连接的第一电极进行的镀敷形成。这样,能够使引线框架的第一主面与侧面的粗糙度充分地接近。由此,能够容易地调整侧面的粗糙度。也可以是,第一主面上的镀膜具有比第二主面上的镀膜大的粗糙度。利用脉冲电源可确保构成镀膜的成分(金属离子)的扩散时间,并能够充分地抑制烧焦的发生。因此,相较于使用直流电源的情况,能够提高施加的电流密度,并充分地减小在镀敷工序中析出的镀膜的晶体粒径。这样,在第二主面上,能够形成组织精细且平滑性足够优异的镀膜。通过具备这样的镀膜,可抑制在镀膜表面形成的氧化膜剥离。因此,能够进一步提高引线框架的可靠性。另外,通过使用脉冲电源,可促进在引线框架主体的侧面使用极性反转电源进行的镀膜形成。因此,能够在引线框架主体的侧面上形成具有比在第二主面上足够大的粗糙度的镀膜。这样,能够使引线框架的侧面的树脂的粘着性提高,制造可靠性更加优异的引线框架。也可以是,镀敷工序中的脉冲电源的占空比为0.2~0.85。这样,能够充分地确保第一主面上的镀膜的粗糙度与第二主面上的镀膜的粗糙度的差异,并使第一主面上与侧面上的镀膜的粗糙度充分地接近。也可以是,镀敷工序中的脉冲电源的平均电流密度为1~10A/dm2。这样,能够充分地抑制镀敷烧焦的发生,并在短时间内形成镀膜。在镀敷工序中,优选为,在将第一主面、第二主面以及侧面上的镀膜的粗糙度分别记为S1、S2、以及S3时,S1为1.4以上,S2为1.0~1.2,以及S3为1.3以上。这样,能够使第二主面上的树脂毛边的除去变得容易,并在用密封树脂覆盖侧面的情况下,进一步提高第一主面及侧面上的镀膜与密封树脂的粘着性。另外,能够充分地抑制水蒸气等成分从侧面与密封树脂的界面侵入。因此,能够获得可靠性更高的引线框架。本专利技术还提供一种引线框架封装的制造方法,所述引线框架封装使用通过上述的制造方法制造的引线框架,所述引线框架封装的制造方法具有:在引线框架的第一主面上设置半导体芯片的工序;以覆盖半导体芯片、和引线框架的第一主面以及侧面,并且具有比引线框架的第一主面以及侧面小的粗糙度的第二主面的至少一部分露出的方式,至少将半导体芯片以树脂密封的工序。在该引线框架封装的制造方法中,使用了通过上述的引线框架的制造方法制造的引线框架。并且具有如下工序:以覆盖半导体芯片、和引线框架的第一主面以及侧面,并且具有比引线框架的第一主面小的粗糙度的第二主面的至少一部分露出的方式用树脂进行密封的工序。在该工序中,以具有比被树脂覆盖的第一主面以及侧面小的粗糙度的第二主面的至少一部分露出的方式,至少将半导体芯片以树脂密封。第二主面由于具有比第一主面以及侧面小的粗糙度,因此能够将树脂毛边充分地除去,并使与焊料的接合面积足够大。第一主面以及侧面由于具有比第二主面大的粗糙度而与树脂的粘着性优异。因此,通过本制造方法得到的引线框架封装具有高可靠性。本专利技术提供一种引线框架,其是具备引线框架主体、和其表面上的镀膜的引线框架,其中,在将第一主面、该第一主面相反侧的第二主面、以及侧面的粗糙度分别记为S1、S2、以及S3时,S1为1.4以上,S2为1.0~1.2,以及S3为1.3以上。该引线框架由于第二主面的粗糙度S2比第一主面的粗糙度S1足够小,因此能够容易地除去树脂毛边。另外,由于不仅是第一主面,侧面也具有较大的粗糙度S3,因此在第一主面以及侧面,与密封树脂的粘着性优异。因此,能够使第一主面以及侧面被密封树脂覆盖,并使第二主面充分地露出。这样,能够形成可靠性优异的引线框架封装。本专利技术提供一种引线框架封装,其具备:上述的引线框架;引线框架的第一主面上的半导体芯片;以覆盖半导体芯片、和引线框架的第一主面以及侧面,并且具有比引线框架的第一主面以及侧面小的粗糙度的第二主面的至少一部分露出的方式设置的密封树脂。这样的引线框架封装由于第二主面散热性优异且第一主面以及侧面与密封树脂的粘着性优异,因此具有高可靠性。(三)有益效果本专利技术能够提供一种能够容易地调整侧面的粗糙度的引线框架的制造方法。另外,本专利技术能够提供一种可靠性优异的引线框架、引线框架封装及其制造方法。附图说明图1是引线框架封装的截面图。图2是引线框架封装的仰视图。图3是将引线框架的截面的一部分放大表示的截面图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种引线框架的制造方法,其是具备引线框架主体和其表面上的镀膜的引线框架的制造方法,具有如下的镀敷工序:以与引线框架主体的第一主面相对的方式配置与极性反转电源连接的第一电极,并且以与所述第一主面相反侧的第二主面相对的方式配置与脉冲电源连接的第二电极,进行镀敷处理,在所述第一主面、所述第二主面、以及所述引线框架主体的侧面上形成所述镀膜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.18 JP 2015-2255421.一种引线框架的制造方法,其是具备引线框架主体和其表面上的镀膜的引线框架的制造方法,具有如下的镀敷工序:以与引线框架主体的第一主面相对的方式配置与极性反转电源连接的第一电极,并且以与所述第一主面相反侧的第二主面相对的方式配置与脉冲电源连接的第二电极,进行镀敷处理,在所述第一主面、所述第二主面、以及所述引线框架主体的侧面上形成所述镀膜。2.根据权利要求1所述的引线框架的制造方法,其特征在于,所述第一主面上的所述镀膜具有比所述第二主面上的镀膜大的粗糙度。3.根据权利要求1或2所述的引线框架的制造方法,其特征在于,所述镀敷工序中的所述脉冲电源的占空比为0.2~0.85。4.根据权利要求1至3中任一项所述的引线框架的制造方法,其特征在于,所述镀敷工序中的所述脉冲电源的平均电流密度为1~10A/dm2。5.根据权利要求1至4中任一项所述的引线框架的制造方法,其特征在于,在将所述第一主面、所述第二主面、以及所述侧面上的所述镀膜的粗糙度分别记为S1、...

【专利技术属性】
技术研发人员:久保公彦古野绫太
申请(专利权)人:株式会社三井高科技
类型:发明
国别省市:日本,JP

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