半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术关于一种半导体装置，为一种改善散热及降低阻值的封装结构。半导体装置包含基板、晶片、第一夹片及第二夹片。晶片包含共汲极的第一晶体管及第二晶体管，且共汲极连该基板。第一夹片连接第一晶体管的源极；第二夹片连接第二晶体管的源极，第一夹片及第二夹片彼此电性分离。

Semiconductor device

The utility model relates to a semiconductor device, which is a packaging structure for improving heat dissipation and reducing resistance. The semiconductor device comprises a substrate, a wafer, a first clip and a two clip. The chip comprises a first transistor and a two transistor of the common collector, and a common collector is connected to the substrate. The first clip connects the source of the first transistor, the second clip connects the source of the second transistor, and the first and second clips are electrically separated from each other.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本技术一般系关于半导体装置，具体而言，本技术关于共汲极的晶体管晶片的封装结构。
技术介绍
目前现有的共汲极集成电路的封装结构大多采用打线焊接方式连接集成电路接脚与晶片的各个接触垫而达成电性连接，因此散热效果较差，且阻值相对较高，直接影响晶片的源极-源极导通电阻(Rsson)。另一方面来说，晶圆级晶片尺寸封装(WLCSP)结构是将晶片直接焊接在印刷电路板上，虽然尺寸可较小且有较低的元件阻值，但是不利于表面封装技术的制程使用。
技术实现思路
鉴于现有技术的问题，本技术的一目的在于提供一种半导体装置，具有低导通电阻及高散热效果的封装结构。本技术的另一目的在于提供一种半导体装置装置，其利用多个金属夹片分别连接共汲极的晶体管晶片的源极及闸极，有效简化制程。本技术的又一目的在于提供一种半导体装置，其利用金属夹片作为封装结构的接脚，连接共汲极的多个晶体管的源极，以提升电性连接的可靠度及散热效果。于一实施例中，本技术提供一种半导体装置，其包含基板、晶片、第一夹片及第二夹片，晶片包含共汲极的第一晶体管及第二晶体管，共汲极连接基板；第一夹片连接第一晶体管的源极；第二夹片连接第二晶体管的源极，且第一夹片及第二夹片彼此电性分离。于一实施例中，本技术的半导体装置更包含封装材料层，封装材料层覆盖晶片、第一夹片及第二夹片于基板上。于一实施例中，第一夹片及第二夹片至少其中一个的顶表面至少部分裸露于封装材料层外。于一实施例中，第一夹片及第二夹片至少其中一个具有接脚部裸露于封装材料层外。于一实施例中，本技术的半导体装置更包含第三夹片及第四夹片，第三夹片连接第一晶体管的闸极，且第四夹片连接第二晶体管的闸极。于一实施例中，本技术的半导体装置更包含封装材料层，封装材料层覆盖晶片、第一夹片、第二夹片、第三夹片及第四夹片于基板上。于一实施例，第三夹片及第四夹片至少其中一个的顶表面至少部分裸露于封装材料层外。于一实施例，第三夹片及第四夹片至少其中一个具有接脚部裸露于封装材料层外。于一实施例，本技术的半导体装置更包含第一导线及第二导线，第一导线连接第一晶体管的闸极，且第二导线连接第二晶体管的闸极。于一实施例，本技术的半导体装置更包含第一接触部及第二接触部，第一夹片及第二夹片分别连接第一接触部及第二接触部，以电连接第一晶体管的源极与第一接触部，且电连接第二晶体管的源极与第二接触部。相较于现有技术，根据本技术所公开的半导体装置采用夹片来进行共汲极的两个晶体管的源极及/或闸极的电性连接，可在一次制程中使所有夹片连接完成，简化制程步骤，有效改善晶片的源极-源极导通电阻(Rsson)，并且提升散热效果。再者，本技术所公开的半导体装置可直接采用夹片的部分作为封装结构的接脚，减少电性连接的焊接位置，亦可有效改善现有技术中因焊接不良而导致开路或电性连接不良的现象。关于本技术的优点与精神可以通过以下的技术详述及所附附图得到进一步的了解。附图说明图1为本技术的一实施例的半导体装置的平面图。图1A为图1的半导体装置的一实施例的侧视图。图1B为图1的半导体装置的另一实施例的侧视图。图2为本技术的另一实施例的半导体装置的平面图。图2A为图2的半导体装置的一实施例的侧视图。图2B为图2的半导体装置的另一实施例的侧视图。图3为本技术的又一实施例的半导体装置的平面图。图3A为图3的半导体装置的一实施例的侧视图。图3B为图3的半导体装置的另一实施例的侧视图。图4为本技术的另一实施例的半导体装置的平面图。图4A为图4的半导体装置的一实施例的侧视图。图4B为图4的半导体装置的另一实施例的侧视图。主要元件符号说明：1、2、3、4半导体装置110基板112第一接触部114第二接触部116第三接触部118第四接触部20晶片22共汲极210第一晶体管212源极214闸极220第二晶体管222源极224闸极31第一夹片312垂直段314水平段316顶表面32第二夹片322垂直段324水平段326顶表面33第一导线34第二导线40、40’封装材料层41第三夹片42第四夹片51第一夹片512接脚部514水平段516顶表面52第二夹片522接脚部524水平段526顶表面61第三夹片62第四夹片具体实施方式现在将详细参考本技术的示范性实施例，并在附图中说明所述示范性实施例的实例。为简化附图起见，一些常见惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示之。另外，在附图及实施方式中所使用相同或类似标号的元件/构件是用来代表相同或类似部分。在下述诸实施例中，当元件被指为“连接”或“耦接”至另一元件时，其可为直接连接或耦接至另一元件，或可能存在介于其间的元件或特定材料，例如：胶体或焊料。如图1及图1A所示，于一实施例，半导体装置1包含基板110、晶片20、第一夹片31及第二夹片32。晶片20包含共汲极22的第一晶体管210及第二晶体管220，且共汲极22连接基板110。第一夹片31连接第一晶体管210的源极212，第二夹片32连接第二晶体管220的源极222，且第一夹片31及第二夹片32彼此电性分离。具体而言，在晶片20中，第一晶体管210及第二晶体管220较佳为两个尺寸相同且共用汲极22的金氧半场效晶体管(MOSFETs)，且两个金氧半场效晶体管的源极及闸极相互分离。换句话说，第一晶体管210的源极212及闸极214与第二晶体管220的源极及闸极224彼此分离。于此实施例，第一晶体管210的源极212及闸极214与第二晶体管220的源极及闸极224较佳与第一晶体管210及第二晶体管220的共汲极22分别位于晶片20的相对表面。例如，第一晶体管210及第二晶体管220的共汲极22位于晶片20的下表面，且第一晶体管210的源极212及闸极214与第二晶体管220的源极222及闸极224位于晶片20的上表面，而使得共汲极22的第一晶体管210及第二晶体管220形成单一半导体晶片结构。基板110可为与晶片20的第一晶体管210及第二晶体管220的共汲极22形成电连接的导线架、接合垫、或接点板。晶片20设置于基板110上，且较佳通过例如导电粘着层(例如焊锡)使得第一晶体管210及第二晶体管220的共汲极22电连接基板110。半导体装置1更包含第一接触部112、第二接触部114、第三接触部116及第四接触部118。第一接触部112、第二接触部114、第三接触部116及第四接触部118可为与晶片20的第一晶体管210及第二晶体管220的源极212/222及闸极214/224形成电连接的导线架、接合垫、或接点板，第一接触部112电连接第一晶体管210的源极212，第二接触部114电连接第二晶体管220的源极222，第三接触部116电连接第一晶体管210的闸极214，第四接触部118电连接第二晶体管220的闸极224。具体而言，第一夹片31设置于第一晶体管210及第一接触部112上，使得第一晶体管210的源极212可通过第一夹片31与第一接触部112形成电性连接。于一实施例中，第一夹片31可通过导电粘着层与第一晶体管210的源极212形成电性连接并可通过导电粘着层与第一接触部112形成电性连接。类似地，第二夹片32设置于第二晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一基板；一晶片，包含共汲极的一第一晶体管及一第二晶体管，其中该共汲极连接该基板；一第一夹片，连接该第一晶体管的源极；以及一第二夹片，连接该第二晶体管的源极，其中该第一夹片及该第二夹片彼此电性分离。

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一基板；一晶片，包含共汲极的一第一晶体管及一第二晶体管，其中该共汲极连接该基板；一第一夹片，连接该第一晶体管的源极；以及一第二夹片，连接该第二晶体管的源极，其中该第一夹片及该第二夹片彼此电性分离。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包含一封装材料层，其中该封装材料层覆盖该晶片、该第一夹片及该第二夹片于该基板上。3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该第一夹片及该第二夹片至少其中一个的顶表面至少部分裸露于该封装材料层外。4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该第一夹片及该第二夹片至少其中一个具有一接脚部裸露于该封装材料层外。5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包含一第三夹片及一第四夹片，其中该第三夹片连接该第一晶体管的闸极，且该第四夹片连接该第二晶体管的闸极。6.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘子玄，黄水木，杨胜程，
申请(专利权)人：力祥半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71