一种开关系统及动态随机存储器技术方案

本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种开关系统，应用于一极低温环境下；开关系统包括：全耗尽型的SOI器件，包括源极、栅极、漏极以及衬底；温度反馈电路，包括一温度采样端和一电压输出端；电压输出端连接衬底；温度反馈电路通过温度采样端采集外部环境的温度信号，并根据采集到的温度信号生成用于调节衬底中电压的一调节电压；温度反馈电路通过一电压输出端与SOI器件的衬底连接，用于输出调节电压至衬底中；SOI器件在调节电压的调节下进行工作；能够避免低温环境造成的器件中载流子冻结的情况产生，进而避免翘曲效应的产生，提高器件性能。

【技术实现步骤摘要】
一种开关系统及动态随机存储器
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种开关系统及动态随机存储器。
技术介绍
SOI(Silicon-On-Insulator绝缘衬底上的硅，简称SOI)技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层，如图1所示。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor互补金属氧化物半导体，简称CMOS)电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势，因此可以说SOI将有可能成为深亚微米的低压、低功耗集成电路的主流技术。通常根据在绝缘体上的硅膜厚度将SOI分成薄膜全耗尽结构和厚膜部分耗尽结构。由于SOI的介质隔离，制作在厚膜SOI结构上的器件正、背界面的耗尽层之间不互相影响，在它们中间存在一中性体区，这一中性体区的存在使得硅体处于电学浮空状态，产生了两个明显的寄生效应，一个是翘曲效应，另一个是器件源漏之间形成的基极开路N本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种开关系统，其特征在于，应用于一极低温环境下；所述开关系统包括：全耗尽型的SOI器件，包括源极、栅极、漏极以及衬底；温度反馈电路，包括一温度采样端和一电压输出端；所述电压输出端连接所述衬底；所述温度反馈电路通过所述温度采样端采集外部环境的温度信号，并根据采集到的所述温度信号生成用于调节所述衬底中电压的一调节电压；所述温度反馈电路通过所述电压输出端与所述SOI器件的所述衬底连接，用于输出所述调节电压至所述衬底中；所述SOI器件在所述调节电压的调节下进行工作。

【技术特征摘要】
1.一种开关系统，其特征在于，应用于一极低温环境下；所述开关系统包括：全耗尽型的SOI器件，包括源极、栅极、漏极以及衬底；温度反馈电路，包括一温度采样端和一电压输出端；所述电压输出端连接所述衬底；所述温度反馈电路通过所述温度采样端采集外部环境的温度信号，并根据采集到的所述温度信号生成用于调节所述衬底中电压的一调节电压；所述温度反馈电路通过所述电压输出端与所述SOI器件的所述衬底连接，用于输出所述调节电压至所述衬底中；所述SOI器件在所述调节电压的调节下进行工作。2.根据权利要求1所述的开关系统，其特征在于，所述温度反馈电路包括：温度传感器，通过所述温度采样端采集所述外部环境中的温度信号；所述温度传感器通过一温度采集输出端将所述温度信号输出；处理器，通过一温度采集输入端与所述温度传感器的所述温度采集输出端连接，以接收所述温度信号，并根据所述温度信号生成一控制信号；所述处理器通过一控制输出端将所述控制信号输出；基准电压源，通过一控制接收端与...

【专利技术属性】
技术研发人员：王本艳，黄添益，陈邦明，景蔚亮，
申请(专利权)人：上海新储集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31