包括存储器件和存储器控制器的存储系统技术方案

一种存储系统包括：存储器件，被配置成用响应于写入命令和预充电命令而调节的第一时间间隔来储存输入数据；以及控制器，被配置成产生写入命令和预充电命令，以及被配置成控制存储器件，其中，控制器根据存储器件的温度来设置第一时间间隔的变化速率，以及基于设置的变化速率和存储器件的温度来调节写入命令与预充电命令之间的时间间隔。

【技术实现步骤摘要】
包括存储器件和存储器控制器的存储系统相关申请的交叉引用本申请要求于2016年10月21日提交的申请号为10-2016-0137338的韩国专利申请的优先权，其整体内容通过引用合并于此。
示例性实施例涉及一种存储系统，更具体地，涉及一种包括用于根据温度来调节存储器件的操作时序的存储器控制器的存储系统。
技术介绍
存储系统应用于针对消费者或工业的各种电子设备，例如，计算机、蜂窝电话、个人数字助理(PDA)、数码相机、游戏机、导航设备等，并且可以用作主储存设备或辅助储存设备。用于实现存储系统的存储器件主要被分成易失性存储器件和非易失性存储器件。易失性存储器件具有快速的写入速度和读取速度，但是当电源切断时储存的数据丢失。易失性存储器件包括动态随机存取存储器(DRAM)、静态RAM(SRAM)等。可选地，非易失性存储器件具有较慢的写入速度和读取速度，但是即使当电源切断时储存的数据仍被保留。因此无论电源供应如何，为了储存要被基本上维持的数据，使用非易失性存储器件。非易失性存储器件包括只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、快闪存储器、相变随机存取存储器(PCRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电式RAM(FRAM)等。为了基本上防止存储系统的操作错误等，存储器件的制造商和供应商规定了存储器件的稳定操作的规范。这些规范是基于存储器件中可能出现的最坏的情况，但是在规范与存储器件的实际性能和状况之间可能存在差异。例如，在DRAM中，当一个存储单元正常储存数据时存在所需的物理时间。即，为了将数据写入存储单元中以及然后从存储单元无误地读取所写入的数据，需要规定的时间。这是写入恢复时间(tWR)，且与此相关的特性可以在DRAM中被规定为规范。例如，DRAM的写入恢复时间(tWR)可以规定成从写入命令的输入时间到与其相对应的预充电命令的输入时间。当写入恢复时间(tWR)特性被设置有足够裕度时，可能劣化存储器件的高速操作，但是当写入恢复时间(tWR)特性未被设置有裕度时，写入操作可能不能正常完成，且可能出现读取错误。此外，随着存储器件的工艺技术的发展以及其尺寸逐渐减小，位线或储存节点的电阻可以增加，导致储存数据所需的时间变化。具体地，由于这样的参数对存储器件的工作温度敏感，因此有必要通过优化温度的控制以及基于规范的控制来提升存储系统的性能。
技术实现思路
各种实施例针对一种存储器控制器及包括其的存储系统，该存储器控制器能够通过测量存储器件的温度并基于测量的温度调节存储器件的操作时序来优化存储器件的性能。根据本专利技术的一个实施例，一种存储系统包括：存储器件，被配置成用响应于写入命令和预充电命令而调节的第一时间间隔来储存输入数据；以及控制器，被配置成产生写入命令和预充电命令，以及被配置成控制存储器件，其中，控制器根据存储器件的温度来设置第一时间间隔的变化速率，以及基于设置的变化速率和存储器件的温度来调节写入命令与预充电命令之间的时间间隔。根据本专利技术的一个实施例，一种存储系统包括：存储器件，被配置成产生并输出基于内部温度的数字码；以及控制器，被配置成产生用于存储器件的写入操作的写入命令和预充电命令，以及被配置成控制存储器件，其中，当存储器件的内部温度增加时，控制器基于数字码而减小写入命令与预充电命令之间的时间间隔。附图说明图1是图示根据本专利技术的一个实施例的存储系统的框图。图2是描述从图1中所示的存储器件提供给控制器的温度码的配置的示图。图3是图示图1中所示的时序调度器的框图。图4是图示通过图1中所示的控制器的命令发生时序的示图。具体实施方式下面将参考附图对各种实施例进行更加详细的描述。然而，本专利技术可以以不同的形式来实现，而不应被解释为局限于本文中所阐述的实施例。相反地，提供这些实施例使得本公开将是彻底且完整的，且将本专利技术的范围充分地传递给本领域技术人员。贯穿本公开，相同的附图标记在本专利技术的各个附图和实施例中始终指代相同的部分。图1是图示根据本专利技术的一个实施例的存储系统100的框图。参考图1，存储系统100可以包括控制器200和存储器件300。存储系统100响应于来自主机(未示出)的请求而工作，以及具体地，可以储存由主机来访问的数据DATA。存储系统100可以用作主机的主储存设备或辅助储存设备。响应于来自主机的请求，控制器200可以产生用来控制存储器件300的命令CMD和地址ADD。存储器件300可以包括同步DRAM(SDRAM)。存储器件300可以同步于从控制器200提供的时钟CLK而储存数据DATA，以及提供所储存的数据DATA。根据实施例的存储器件300可以包括温度码发生器310。温度码发生器310可以监控存储器件300的内部温度，以及将监控的内部温度作为数字温度码OP与数据DATA一起提供给控制器200。将参考图2来更详细地描述由温度码发生器310产生的温度码OP的配置。控制器200提供激活命令ACT来执行存储器件300的行选择操作。在从激活命令ACT已经被提供的时间点开始经过与行访问选通(RAS)到列访问选通(CAS)的延迟时间tRCD相对应的时段之后，控制器200提供读取和写入命令RD/WT来执行存储器件300的读取操作和写入操作。这应归因于在电耦接到由行选择操作选择的行(即，字线)的存储单元的数据被存储器件300中的感测放大器(未示出)感测并放大之前所需的时间。具体地，根据实施例，考虑到从写入命令WT已经被提供的时间点开始的写入恢复时间(tWR)，控制器200可以提供预充电命令PRE，该预充电命令根据写入命令WT而禁止存储器件300中所选中的字线，以及将与其相对应的列预充电。控制器200可以包括时序调度器210，时序调度器210用于根据存储器件300的温度来设置写入恢复时间(tWR)的变化速率，以及用于基于设置的变化速率和从温度码发生器310输入的温度码OP来调节写入命令WT与预充电命令PRE之间的时间间隔。如上所述，写入恢复时间(tWR)可以对应于包括在存储器件300中的存储单元(未示出)正常储存数据所需的物理时间。这样的物理时间可以敏感地响应于存储器件300的工作温度，以及具体地，与高温相比，存储单元在低温下可以需要更长的物理时间来储存正常数据。例如，在DRAM移动产品中，当其工作温度为90℃时，写入恢复时间(tWR)特性指示大约3ns到4ns，但是当工作温度为-30℃时，写入恢复时间(tWR)可以劣化到大约12ns到15ns。因此，当存储器件300的写入恢复时间(tWR)特性被设置成低温时，高温下的性能劣化是必然的，而当存储器件300的写入恢复时间(tWR)特性被设置成高温时，低温下的写入/读取操作错误是不可避免的。就此而言，根据实施例的存储系统100可以测量存储器件300的工作温度，以及可以基于所测量的温度来灵活地控制写入恢复时间(tWR)特性。即，控制器200的时序调度器210可以基于存储器件300的工作温度来调节写入命令WT与预充电命令PRE之间与写入恢复时间(tWR)特性相对应的时间间隔。存储器件300可以用响应于从控制器200提供的写入命令WT和预充电命令PRE而调节的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储系统，包括：存储器件，被配置成用响应于写入命令和预充电命令而调节的第一时间间隔来储存输入数据；以及控制器，被配置成产生写入命令和预充电命令，以及被配置成控制存储器件，其中，控制器根据存储器件的温度来设置第一时间间隔的变化速率，以及基于设置的变化速率和存储器件的温度来调节写入命令与预充电命令之间的时间间隔。

【技术特征摘要】
2016.10.21 KR 10-2016-01373381.一种存储系统，包括：存储器件，被配置成用响应于写入命令和预充电命令而调节的第一时间间隔来储存输入数据；以及控制器，被配置成产生写入命令和预充电命令，以及被配置成控制存储器件，其中，控制器根据存储器件的温度来设置第一时间间隔的变化速率，以及基于设置的变化速率和存储器件的温度来调节写入命令与预充电命令之间的时间间隔。2.根据权利要求1所述的存储系统，其中，控制器包括：时序调度器，被配置成响应于指示存储器件的温度的数字码而根据设置的变化速率来调节写入命令与预充电命令的时间间隔。3.根据权利要求2所述的存储系统，其中，时序调度器包括：接收器，被配置成根据数字码是否被更新来接收和传送数字码；锁存器，被配置成储存从接收器传送来的数字码；解码器，被配置成将储存在锁存器中的数字码解码，以及激活多个选择信号中的对应信号；以及控制逻辑，被配置成响应于被激活的选择信号而施加多个权重中的对应权重。4.根据权利要求3所述的存储系统，其中，控制逻辑包括：多个寄存器，被配置成储存基于设置的变化速率而确定的所述多个权重。5.根据权利要求3所述的存储系统，其中，所述多个权重指示写入命令与预充电命令之间的延迟时间。6.根据权利要求3所述的存储系统，其中，时序调度器还包括：功能发生器，被配置成基于根据施加的权重的延迟时间来产生写入命令和预充电命令。7.根据权利要求2所述的存储系统，其中，存储器件包括：温度码发生器，被配置成监控温度以及将所监控的温度产生为数字码。8.根据权利要求7所述的存储系统，其中，存储器件响应于读取命令而将数字码与读取数据一起提供给控制器。9.如权利要求2所述的存储系统，其中，数字码包括：第一码，指示存储器件的温度；以及第二码，指示第一码的偏差和更新信息。10.如权利要求1所述的存储系统，其中，第一时间间隔对应于包括在存储器件中的存储单...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵龙德，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR