应用于半导体存储器的ZQ校准控制制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体存储器的ZQ校准控制器，包括：温度传感器，用于检测半导体存储器的温度；温度控制单元，用于从温度传感器处获取并存储半导体存储器的第一温度值和第二温度值，计算第一温度值和第二温度值的偏差，在偏差超过阈值时发送启动ZQ校准的信号；ZQ校准单元，用于在收到启动ZQ校准的信号时，对半导体存储器进行ZQ校准，并在ZQ校准结束时发送ZQ校准结束的信号给温度控制单元。本发明专利技术通过增加温度控制单元可实现半导体存储器根据自身温度变化自动启动ZQ校准，从而改善输出端阻值，以维持信号的完整性，也减轻控制器的编程负担，节省成本，节省功耗；对输出端口的输出阻值的控制更加灵活有效。

ZQ calibration control applied to semiconductor memory

The present invention provides a ZQ calibration controller, a semiconductor memory device includes a temperature sensor for detecting the temperature of the semiconductor memory; the temperature control unit for the first temperature from the temperature sensor at the capture and storage of the semiconductor memory value and the second value of the temperature, the first temperature deviation calculation value and second temperature value, the signal deviation exceeds the threshold value send ZQ start calibration; ZQ calibration unit used in the received signal to start the ZQ calibration, calibration of ZQ semiconductor memory, and send in the calibration of ZQ ZQ at the end of the end of the calibration signal to a temperature control unit. The control unit can realize semiconductor memory automatically start the ZQ calibrated according to the temperature variation of temperature increase, thereby improving the output resistance, in order to maintain the integrity of the signal, but also reduce the burden of programming controller, saving cost, saving power consumption; control the output resistance to the output port of the more flexible and effective.

【技术实现步骤摘要】
应用于半导体存储器的ZQ校准控制
本专利技术涉及半导体存储
，尤其涉及一种半导体存储器及其ZQ校准控制器和ZQ校准控制方法。
技术介绍
对DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)来说，输出端的上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值的大小和匹配影响输出信号的完整性。在DRAM应用中，通常使用ZQ校准(ZQcalibration)来调节输出上拉/下拉的能力(即调节输出端的上拉/下拉的电阻值)。如图1所示，在半导体存储器系统上电后，半导体存储器的控制器10会发送一个ZQ校准命令(ZQCL，ZQLongCalibration，ZQ长类型校准)给ZQ校准单元20，ZQ校准单元20进行ZQ校准，以校准输出的上拉/下拉强度(即校准输出端的上拉/下拉的电阻值大小)，并将输出上拉电阻设置参数和输出下拉电阻设置参数复制给DQ管脚的输出驱动单元30。随着DRAM在系统中工作状态发生变化(比如高速频繁读写和低速间隔读写)，芯片温度会随时发生变化，从而影响输出端的上拉/下拉电阻值，使输出端的上拉/下拉电阻可能会再次出现不匹配，影响输出信号的完整性，需要控制器10周期性的重复发送ZQ校准命令(ZQCS，ZQShortCalibration，ZQ短类型校准)给ZQ校准单元20，进行ZQ校准。如果温度变化率不恒定，会导致控制器10更新不及时，或者冗余更新太多，功耗过大。因此，如何及时有效的改善DRAM输出端的输出阻值，以维持输出信号的完整性，是亟待解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种半导体存储器及其ZQ校准控制器和ZQ校准控制方法，以至少解决现有技术中的以上技术问题。作为本专利技术的一个方面，提供了一种半导体存储器的ZQ校准控制器，包括：温度传感器，用于检测所述半导体存储器的温度；温度控制单元，连接于所述温度传感器，用于从所述温度传感器处获取并存储所述半导体存储器的第一温度值和第二温度值，计算所述第一温度值和所述第二温度值的偏差，在所述偏差超过阈值时发送启动ZQ校准的信号；及，所述ZQ校准单元，连接于所述温度控制单元，令所述温度控制单元串接于所述温度传感器和所述ZQ校准单元之间，所述ZQ校准单元用于在收到所述温度控制单元启动ZQ校准的信号时，对所述半导体存储器进行ZQ校准，并在ZQ校准结束时发送ZQ校准结束的信号给所述温度控制单元；其中，所述第一温度值是所述温度控制单元在预设的采样周期下获取的由所述温度传感器所检测的所述半导体存储器的温度；所述第二温度值是所述温度控制单元在收到所述ZQ校准单元发送的ZQ校准结束的信号时获取的所述温度传感器所检测的所述半导体存储器的温度。优选地，所述温度控制单元包括：第一寄存器、第二寄存器、计算子单元、比较子单元和控制子单元；所述第一寄存器，连接于所述温度传感器与所述控制子单元之间，用于在所述控制子单元的触发下从所述温度传感器处获取和存储所述第一温度值；所述第二寄存器，连接于所述温度传感器与所述ZQ校准单元之间，用于在收到所述ZQ校准单元发出的ZQ校准结束的信号时从所述温度传感器处获取和存储所述第二温度值；所述计算子单元，连接于所述第一寄存器和所述第二寄存器的输出端，用于计算所述第一温度值与所述第二温度值的偏差；所述比较子单元，连接于所述计算子单元和所述控制子单元之间，用于比较所述偏差与所述阈值，并将比较结果输出给所述控制子单元；及，所述控制子单元，连接于所述第一寄存器和所述ZQ校准单元之间，用于以所述采样周期触发所述第一寄存器，以及在所述偏差超过所述阈值时发送启动ZQ校准的信号给所述ZQ校准单元。优选地，所述阈值的设定取决于以下参数的至少之一：ZQ校准的最小变量、电阻的温度相关系数、电压变化幅度、电阻的电压相关系数，所述阈值介于2～6℃，包含端点值。优选地，在所述半导体存储器和所述ZQ校准单元都处于空闲状态下，所述ZQ校准单元在收到启动ZQ校准的信号时对所述半导体存储器进行ZQ校准。优选地，所述ZQ校准单元对所述半导体存储器进行ZQ校准包括进行第一时长的ZQ长类型校准和进行第二时长的ZQ短类型校准，所述第一时长大于第二时长，当ZQ校准单元收到所述温度控制单元发出的启动ZQ校准的信号时，所述ZQ校准单元对所述半导体存储器进行ZQ短类型校准。作为本专利技术的另一个方面，本专利技术还提供一种半导体存储器，包括以上所述的ZQ校准控制器。作为本专利技术的另一个方面，本专利技术还提供一种用于半导体存储器的ZQ校准的控制方法，包括：从温度传感器处获取并存储所述半导体存储器的第一温度值和第二温度值，并计算所述第一温度值和所述第二温度值的偏差，在所述偏差超过阈值时启动ZQ校准；其中，在预设的采样周期下获取所述温度传感器所检测的所述半导体存储器的温度，此温度值为第一温度值；在所述ZQ校准结束时获取所述温度传感器所检测的所述半导体存储器的温度，此温度值为第二温度值。优选地，所述阈值的设定取决于以下参数的至少之一：ZQ校准的最小变量、电阻的温度相关系数、电压变化幅度、电阻的电压相关系数，所述阈值介于2～6℃，包括端点值。优选地，所述方法还包括：在所述半导体存储器和用于执行ZQ校准的装置都处于空闲状态下，才在所述偏差超过阈值时启动ZQ校准。优选地，所述ZQ校准包括：进行第一时长的ZQ长类型校准和进行第二时长的ZQ短类型校准，所述第一时长大于第二时长；在所述偏差超过阈值时启动的ZQ校准为对所述半导体存储器进行ZQ短类型校准。本专利技术采用上述技术方案，具有如下优点：本专利技术的ZQ校准控制器通过增加一个温度控制单元可实现半导体存储器根据自身温度变化自动启动ZQ校准，从而改善输出端口的输出阻值，以维持信号的完整性，也减轻控制器的编程负担，节省成本，节省功耗；对输出端口的输出阻值的控制更加灵活有效。上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本专利技术进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。附图说明在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本专利技术公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本专利技术范围的限制。图1为现有技术中ZQ校准控制器的组成结构示意图；图2为本专利技术实施例ZQ校准控制器的组成结构示意图；图3为本专利技术实施例ZQ校准控制器的温度控制单元的组成结构示意图。附图标记10：控制器20：ZQ校准单元30：输出驱动100：温度传感器200：温度控制单元210：第一寄存器220：第二寄存器230：计算子单元240：比较子单元250：控制子单元260：逻辑门300：ZQ校准单元400：DQ输出驱动500：DQ管脚具体实施方式在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本专利技术的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。此外，本专利技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。本专利技术实施例利用半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器的ZQ校准控制器，其特征在于，包括：温度传感器，用于检测半导体存储器的温度；温度控制单元，连接于所述温度传感器，用于从所述温度传感器处获取并存储所述半导体存储器的第一温度值和第二温度值，计算所述第一温度值和所述第二温度值的偏差，在所述偏差超过阈值时发送启动ZQ校准的信号；及，ZQ校准单元，连接于所述温度控制单元，令所述温度控制单元串接于所述温度传感器和所述ZQ校准单元之间，所述ZQ校准单元用于在收到所述温度控制单元启动ZQ校准的信号时，对所述半导体存储器进行ZQ校准，并在ZQ校准结束时发送ZQ校准结束的信号给所述温度控制单元；其中，所述第一温度值是所述温度控制单元在预设的采样周期下获取的由所述温度传感器所检测的所述半导体存储器的温度；所述第二温度值是所述温度控制单元在收到所述ZQ校准单元发送的ZQ校准结束的信号时获取的所述温度传感器所检测的所述半导体存储器的温度。

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器的ZQ校准控制器，其特征在于，包括：温度传感器，用于检测半导体存储器的温度；温度控制单元，连接于所述温度传感器，用于从所述温度传感器处获取并存储所述半导体存储器的第一温度值和第二温度值，计算所述第一温度值和所述第二温度值的偏差，在所述偏差超过阈值时发送启动ZQ校准的信号；及，ZQ校准单元，连接于所述温度控制单元，令所述温度控制单元串接于所述温度传感器和所述ZQ校准单元之间，所述ZQ校准单元用于在收到所述温度控制单元启动ZQ校准的信号时，对所述半导体存储器进行ZQ校准，并在ZQ校准结束时发送ZQ校准结束的信号给所述温度控制单元；其中，所述第一温度值是所述温度控制单元在预设的采样周期下获取的由所述温度传感器所检测的所述半导体存储器的温度；所述第二温度值是所述温度控制单元在收到所述ZQ校准单元发送的ZQ校准结束的信号时获取的所述温度传感器所检测的所述半导体存储器的温度。2.根据权利要求1所述的ZQ校准控制器，其特征在于，所述温度控制单元包括：第一寄存器、第二寄存器、计算子单元、比较子单元和控制子单元；所述第一寄存器，连接于所述温度传感器与所述控制子单元之间，用于在所述控制子单元的触发下从所述温度传感器处获取和存储所述第一温度值；所述第二寄存器，连接于所述温度传感器与所述控制子单元之间，用于在收到所述ZQ校准单元发出的ZQ校准结束的信号时从所述温度传感器处获取和存储所述第二温度值；所述计算子单元，连接于所述第一寄存器和所述第二寄存器的输出端，用于计算所述第一温度值与所述第二温度值的偏差；所述比较子单元，连接于所述计算子单元和所述控制子单元之间，用于比较所述偏差与所述阈值，并将比较结果输出给所述控制子单元；及，所述控制子单元，连接于所述第一寄存器和所述ZQ校准单元之间，用于以所述采样周期触发所述第一寄存器，以及在所述偏差超过所述阈值时发送启动ZQ校准的信号给所述ZQ校准单元。3.根据权利要求1所述的ZQ校准控制器，其特征在于，所述阈值的设定取决于以下参数的至...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34