自旋转移力矩存储器中的写操作制造技术

描述用于自旋转移力矩(STT)存储器中的写操作的设备、系统和方法。在一个实施例中，一种存储器包括：至少一个自旋转移力矩(STT)存储器装置；邻近STT存储器装置的温度传感器；以及控制器，包括至少部分含有硬件逻辑的逻辑，以监视温度传感器的输出，在温度传感器的输出未能超过阈值温度时实现第一写操作协议，以及在温度传感器的输出超过阈值温度时实现第二写操作协议。还公开并且要求保护其他实施例。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】自旋转移力矩存储器中的写操作
一般来说，本公开涉及电子领域。更具体来说，本专利技术的一些实施例一般涉及自旋转移力矩存储器中的写操作。
技术介绍
许多电子装置包括存储器系统，所述存储器系统可使用本地，快速存取存储器(其经常实施为非易失性存储器)来实现。自旋转移力矩(STT)存储器作为用于非易失性存储器系统的技术而开发。相应地，管理STT存储器系统中的写操作的技术可例如在用于电子装置的存储器系统中发现是有效用的。附图说明参考附图提供详细描述。不同图中相同的参考标号的使用指示类似或相同项。图1是按照本文所讨论的各种示例、用来实现自旋转移力矩(STT)存储器中的写操作的设备的组件的示意框图说明。图2是按照本文所讨论的各种示例的自旋转移力矩(STT)存储器的架构的示意框图。图3、图4和图5是示出按照本文所讨论的各种实施例、用来实现自旋转移力矩(STT)存储器中的写操作的方法中的操作的流程图。图6-10是按照本文所讨论的各种实施例、可适应于实现自旋转移力矩(STT)存储器中的写操作的电子装置的示意框图说明。具体实施方式在以下描述中，陈述了许多具体细节，以便提供对各种实施例的透彻了解。然而，本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器，包括：至少一个自旋转移力矩(STT)存储器装置；温度传感器，邻近于所述STT存储器装置；以及控制器，包括至少部分含有硬件逻辑的逻辑，用来：监视所述温度传感器的输出；在所述温度传感器的所述输出未能超过阈值温度时，实现第一写操作协议；以及在所述温度传感器的所述输出超过所述阈值温度时，实现第二写操作协议。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.22 US 14/5801411.一种存储器，包括：至少一个自旋转移力矩(STT)存储器装置；温度传感器，邻近于所述STT存储器装置；以及控制器，包括至少部分含有硬件逻辑的逻辑，用来：监视所述温度传感器的输出；在所述温度传感器的所述输出未能超过阈值温度时，实现第一写操作协议；以及在所述温度传感器的所述输出超过所述阈值温度时，实现第二写操作协议。2.如权利要求1所述的存储器，其中，用来实现第一写操作协议的所述逻辑还包括执行下列操作的逻辑：从主机装置接收写数据；确定所述写数据的物理存储器地址；从所述物理存储器地址中的存储器单元读数据；将从所述物理存储器地址所读的所述数据与所述写数据进行比较；以及将数据仅写到被所述写数据修改的数据单元。3.如权利要求2所述的存储器，其中，用来比较从所述物理存储器地址所读的所述数据的所述逻辑包括至少部分含有硬件逻辑的逻辑，用来：执行从所述物理地址中的存储器单元的所读数据与所述写数据的逐位XOR。4.如权利要求1所述的存储器，其中，用来实现第二写协议的所述逻辑还包括用来执行下列操作的逻辑：从主机装置接收写数据；确定所述写数据的物理存储器地址；以及将所述数据写到所述物理存储器地址。5.如权利要求4所述的存储器，其中，所述控制器还包括用来执行下列操作的逻辑：在所述温度传感器的所述输出升高到高于所述阈值时，减少写电流。6.如权利要求4所述的存储器，其中，所述控制器还包括用来执行下面操作的逻辑：在所述温度传感器的所述输出升高到高于所述阈值时，减少写脉冲持续期。7.一种电子装置，包括：处理器；至少一个自旋转移力矩(STT)存储器装置；以及控制器，包括至少部分含有硬件逻辑的逻辑，用来：监视温度传感器的输出；在所述温度传感器的所述输出未能超过阈值温度时，实现第一写操作协议；以及在所述温度传感器的所述输出超过所述阈值温度时，实现第二写操作协议。8.如权利要求7所述的电子装置，其中，用来实现第一写操作协议的所述逻辑还包括用来执行下列操作的逻辑：从主机装置接收写数据；确定所述写数据的物理存储器地址；从所述物理存储器地址中的存储器单元读数据；将从所述物理存储器地址所读的所述数据与所述写数据进行比较；以及将数据仅...

【专利技术属性】
技术研发人员：H奈伊米，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US