一种用于提高自旋磁随机存储器读取可靠性的电路制造技术

本发明专利技术涉及一种用于提高自旋磁随机存储器读取可靠性的电路，包括读取列选开关、灵敏放大器、读使能开关、读写隔离开关。读写隔离开关连接于写入驱动电路和存储位单元之间。读使能开关包括第一读使能开关和第二读使能开关，第一读使能开关连接于所述灵敏放大器的输入端和存储位单元之间，第二读使能开关连接于所述地线和存储位单元之间。读取列选开关连接于灵敏放大器的输出端。该用于提高自旋磁随机存储器读取可靠性的电路中，灵敏放大器输入端与地线之间的等效电阻相应减小，灵敏放大器的读取电流提高，从而提高了灵敏放大器两输入端的匹配性，提高了自旋转移力矩磁随机存储器的读取可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁随机存储器
，尤其涉及自旋转力矩磁随机存储器(STT-MRAM:Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory)
，具体涉及一种用于提高自旋磁随机存储器读取可靠性的电路。
技术介绍
存储器是电子系统中用于记忆的部件，被用于存储计算机程序和各种数据。随机存储器数据能够进行数据的写入和读取。自旋转移力矩磁随机存储器具备低功耗、低操作电压、高密度、高速度、读写操作次数理论不受限制的优点，有望成为真正意义上的“通用存储器”。自旋转移力矩磁随机存储器是目前研究最广泛的新型随机存储器，其一般采用一个存储阵列和相应外围电路组成。存储阵列中具有多个存储单元，如图1所示，每个存储单元包括一个磁隧道结(MTJ:Magnetic Tunnel Junct1n) Ml I和一个字线选择晶体管M12。其中磁隧道结Mll包括磁矩方向可变的自由层M111、磁矩方向固定的参考层M113以及设置在自由层Ml 11和参考层Ml 13之间的绝缘层Ml 12，字线选择晶体管的一端与参考层Ml 13相连接，自由层Mlll和参考层M11本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于提高自旋磁随机存储器读取可靠性的电路，其与写入驱动电路(M22)相连接且连接于存储位单元(M440)两端，包括读取列选开关(M410)、灵敏放大器(M420)、读使能开关、读写隔离开关，其特征在于：所述读写隔离开关连接于写入驱动电路(M22)和存储位单元(M440)之间；所述读使能开关包括第一读使能开关(M431)和第二读使能开关(M432)，所述第一读使能开关(M431)连接于所述灵敏放大器(M420)的输入端和存储位单元(M440)之间，所述第二读使能开关(M432)连接于所述地线(GND)和存储位单元(M440)之间；所述读取列选开关(M410)连接于所述灵敏放大器(M420)的...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张丽，庄奕琪，汤华莲，赵巍胜，刘礼文，
申请(专利权)人：西安电子科技大学宁波信息技术研究院，
类型：发明
国别省市：浙江;33