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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种开关系统，应用于一极低温环境下；开关系统包括：全耗尽型的SOI器件，包括源极、栅极、漏极以及衬底；温度反馈电路，包括一温度采样端和一电压输出端；电压输出端连接衬底；温度反馈电路通过温度采样端采集外部环境...
该专利属于上海新储集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新储集成电路有限公司授权不得商用。

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