一种DFN二极管的制造工艺制造技术
The manufacturing process of a DFN diode
The invention discloses a manufacturing process of a DFN diode. The following steps are included: (1) chip cutting: cutting circular wafer into square wafer; (2) wafer welding: a square wafer and lead frame is placed on a wafer welding machine for eutectic welding; (3) sticker film is attached to the bottom of the lead frame; (4) weld line: the lead frame welded with wafer in a welding line machine (5) injection: (6) electroplating: plating a layer of tin on the surface of the lead foot; (7) separation: separation of the diode from a strip lead frame to separate small units; (8) Try it on: test the diode and pack the qualified diode with the loading belt. The invention eliminates the ion pollution in the production process and greatly improves the reliability of the product under high temperature.
【技术实现步骤摘要】
一种DFN二极管的制造工艺
本专利技术涉及一种DFN二极管的制造工艺，属于二极管生产
技术介绍
在电子产业界，二极管是各种电子产品的基本元件，随着各种电子产品的小型化、轻便化发展，对二极管的小型化要求也日益突出，DFN二极管(英文全称为DiodeFlatNon-lead，中文名称为无引脚表面装贴二极管)就是因应这种要求而发展起来的。如图1所示，DFN二极管由两条引脚2、一颗晶片1(焊接于其中一条引脚2上)、一条焊线3(连接晶片和另一条引脚2)和将上述各部分封裹起来的注塑胶4组成。由于DFN二极管的体积很小，使其在电子产品应用过程中与其他电子器件的连接触点--引脚面积也很小，这就对其引脚面的可焊接性提出很高要求。由于产品体积很小，在注塑封装过程中，由于高压的作用，注塑胶会泄露到框架引脚材料表面，从而影响产品引脚面的可焊接性，进而影响产品的最终使用。为解决这一问题，目前生产采取由引线框架供应商提供已在背面预贴塑胶膜的引线框架，框架贴膜后在注塑过程中即可避免注塑材料泄漏至封装的引线脚上造成产品使用过程中焊接不良。但由于这种胶膜可承受的最高温度为200℃，因此，...
【技术保护点】
一种DFN二极管的制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)晶片切割：将圆形晶片板切割成方形晶片；(2)晶片焊接：将方形晶片及引线框架放在晶片焊接机上进行共晶焊接；(3)贴膜：在引线框架底部贴上耐热胶膜；(4)焊线：将焊有晶片的引线框架放入焊线机中在晶片与引线脚之间焊上导电连接线；(5)注塑：通过注塑模具用注塑胶将晶片‑焊线‑引线框架组合体进行封裹形成二极管体；(6)电镀：在引线脚表面镀上一层锡；(7)分离：将二极管体从条状引线框架上切割分离成独立小单元；(8)测试上带：对二极管进行测试并将合格二极管用装料带进行包装。
【技术特征摘要】
1.一种DFN二极管的制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)晶片切割：将圆形晶片板切割成方形晶片；(2)晶片焊接：将方形晶片及引线框架放在晶片焊接机上进行共晶焊接；(3)贴膜：在引线框架底部贴上耐热胶膜；(4)焊线：将焊有晶片的引线框架放入焊线机中在晶片与引线脚之间焊上导电连接线；(5)注塑：通过注塑模具用注塑胶将晶片-焊线-引线框架组合体进行封裹形成二极管体；(6)电镀：在引线脚表面镀上一层锡；(7)分离：将二极管体从条状引线框架上切割分离成独立小单元；(8)测试上带...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴善焜，
申请(专利权)人：汕尾德昌电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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