半导体组件的回焊方法技术

一种半导体组件的回焊方法，该方法包含有：准备一半导体组件，该半导体组件包含一基板与一晶片模组，该晶片模组包含有一中介板与设置于该中介板上的至少一晶片，该中介板经由多个导电块连接于该基板的顶面，提供一掩膜于该半导体组件上方，由一发光加热装置输出一加热光束，该加热光束通过该掩膜而照射于该晶片模组，以热传导对该多个导电块进行回焊，因此，该基板受到温度影响而翘曲的程度甚低，有效避免该晶片模组的结构受到该基板的翘曲形态所影响。

【技术实现步骤摘要】
半导体组件的回焊方法
本专利技术是关于一种半导体组件的回焊方法，特别是指可降低半导体组件的翘曲的回焊方法。
技术介绍
请参考图1所示的半导体组件10，其包含有一基板12与一晶片模组11，该基板12的顶面具有多个电极垫121，该晶片模组11包含有一中介板(interposer)111与至少一晶片112，图1是以两个晶片112为例。该中介板111包含有一绝缘基材113、多个电极垫114与多个中介连接部115，该绝缘基材113包含有一顶面与一底面，该多个电极垫114分布且外露于该绝缘基材113的顶面与底面，其中于各电极垫114的周边处可具有钝化层(图中未示)，各中介连接部115位在该绝缘基材113内并连接该绝缘基材113的顶面与底面的电极垫114。该两晶片112的底面具有导电部116，导电部116通过导电块117分别连接该中介板111的顶面的电极垫114。该中介板111的底面的电极垫114通过导电块13与该基板12的顶面的电极垫121连接。在制造工艺中，可将该晶片模组11与该基板12整体一起控制在一回焊温度的环境下，例如将该半导体组件10置于回焊炉中并控制该回焊温度为摄氏260度，藉此让该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体组件的回焊方法，其特征在于，所述回焊方法包含：准备一半导体组件，所述半导体组件包含一基板与一晶片模组，所述晶片模组包含有一中介板与设置于所述中介板上的至少一晶片，所述中介板经由多个导电块连接于所述基板的顶面；提供一掩膜于所述半导体组件上方；以及由一发光加热装置输出一加热光束，所述加热光束通过所述掩膜而照射于所述晶片模组，以热传导对所述多个导电块进行回焊。

【技术特征摘要】
2016.10.21 TW 1051339941.一种半导体组件的回焊方法，其特征在于，所述回焊方法包含：准备一半导体组件，所述半导体组件包含一基板与一晶片模组，所述晶片模组包含有一中介板与设置于所述中介板上的至少一晶片，所述中介板经由多个导电块连接于所述基板的顶面；提供一掩膜于所述半导体组件上方；以及由一发光加热装置输出一加热光束，所述加热光束通过所述掩膜而照射于所述晶片模组，以热传导对所述多个导电块进行回焊。2.根据权利要求1所述的半导体组件的回焊方法，其特征在于，于准备所述半导体组件的步骤中，所述晶片模组的上表面具有多个导热区域；于提供所述掩膜于所述半导体组件上方的步骤中，所述掩膜包含有具不同透光率的多个透光部，所述多个透光部的位置分别对应于所述多个导热区域的位置；于由所述发光加热装置输出所述加热光束的步骤中，所述加热光束通过所述掩膜的所述多个透光部而分别照射于所述晶片模组的所述多个导热区域。3.根据权利要求2所述的半导体组件的回焊方法，其特征在于，于准备所述半导体组件的步骤中，各所述导热区域对应一垂直导热路径，所述多个导热区域的垂直导热路径的长度彼此不同；于提供所述掩膜于所述半导体组件上方的步骤中，所述掩膜的所述多个透光部的透光率与所述多个导热区域的垂直导热路径的长度具有正比关系。4.根据权利要求2或3所述的半导体组件的回焊方法，其特征在于，所述掩膜的各所述透光部的图案与所对应的各所述导热区域的形状为相同。5.根据权利要求2或3所述的半导体组件的回焊方法，其特征在于，所述晶片模组的所述多个导热区域包含：一第一导热区域，是...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖杰隆，彭仕良，李宏元，叶懋华，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71