半导体结构制造技术

本申请公开一种半导体结构，其中半导体结构包含阶状的结晶基板，其具有较高阶状物、较低阶状物、与阶状隆起。第一鳍状物包含具有第一晶格常数的结晶结构。第一鳍状物形成于较低阶状物上。第二鳍状物包含具有第二晶格常数的结晶结构，且第二晶格常数不同于第一晶格常数。第二鳍状物可形成于较高阶状物上，并与第一鳍状物分隔。第二结晶结构可形成于结晶结构上，且鳍状物的顶部对齐。第一鳍状物与第二鳍状物之组成可为相同材料(具有不同高度及不同通道应力值)。第一鳍状物可作为互补式金氧半鳍状场效晶体管的n型金氧半鳍状物，而第二鳍状物可作为互补式金氧半鳍状场效晶体管的p型金氧半鳍状物。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本公开实施例关于半导体结构，更特别关于同时形成不同高度之鳍状物的方法。
技术介绍
由于集成电路的尺寸缩小，且对集成电路速度的需求增加，晶体管需具有较高驱动电流及较小尺寸。因此发展鳍状场效晶体管，其具有垂直的半导体鳍状物于基板上。半导体鳍状物用以形成源极与漏极区，以及源极区与漏极区之间的通道区。形成浅沟槽隔离区以定义半导体鳍状物。鳍状场效晶体管亦包含栅极堆迭，其形成于半导体鳍状物的侧壁与上表面上。虽然现有的鳍状场效晶体管装置与其形成方法适用于其发展目的，但仍无法完全适用于所有方面。举例来说，目前亟需更弹性化的整合制程以形成鳍状物与隔离结构。
技术实现思路
本公开一实施例提供的半导体结构，包括：阶状的结晶基板，其包含较高阶状物、较低阶状物、与阶状隆起；第一鳍状物，包含具有第一晶格常数的结晶结构，且第一鳍状物形成于较低阶状物上；以及第二鳍状物，包含具有第二晶格常数的结晶结构，第一晶格常数不同于第二晶格常数，且第二鳍状物形成于较高阶状物上且与第一鳍状物分隔。附图说明图1至图8是一些实施例中，鳍状物场效晶体管的鳍状物于制作方法的中间阶段的剖视图。图9至图11是一些实施例中，鳍状物场效晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：一阶状的结晶基板，其包含一较高阶状物、一较低阶状物、与一阶状隆起；一第一鳍状物，包含具有一第一晶格常数的结晶结构，且该第一鳍状物形成于该较低阶状物上；以及一第二鳍状物，包含具有一第二晶格常数的结晶结构，该第一晶格常数不同于该第二晶格常数，且该第二鳍状物形成于该较高阶状物上且与该第一鳍状物分隔。

【技术特征摘要】
2016.10.24 US 15/332,0551.一种半导体结构，包括：一阶状的结晶基板，其包含一较高阶状物、一较低阶状物、与一阶状隆起；一第一鳍状物，包含具...

【专利技术属性】
技术研发人员：李承翰，马志宇，张世杰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71