堆叠封装结构的制造方法技术

本发明专利技术提供一种堆叠封装结构的制造方法，其包含至少以下步骤。形成第一封装结构且在第一封装结构上形成第二封装结构。第一封装结构包含电路载体以及设置于电路载体上的晶粒。形成第一封装结构包含：在电路载体上提供导电中介板，通过密封体密封导电中介板，以及移除密封体和导电中介板的板的一部分。导电中介板包含板体、从板体分别延伸到电路载体和晶粒的多个导电柱以及导电突起。导电突起设置于晶粒上，且导电柱电性连接到电路载体。第二封装结构通过导电中介板电性连接到第一封装结构。

【技术实现步骤摘要】
堆叠封装结构的制造方法
本专利技术大体上涉及封装结构的制造方法，且更具体地说涉及堆叠封装(package-on-package，POP)结构的制造方法。
技术介绍
为了使电子产品设计实现轻、薄、短且小，半导体封装技术正持续进步，以尝试开发出体积较小、重量较轻、集成度较高且更具市场竞争力的产品。举例来说，已开发例如POP等3D堆叠技术以满足较高封装密度的要求。因此，如何以较低制造成本实现更薄的POP结构已经变为本领域中的研究人员的挑战。
技术实现思路
本专利技术提供一种堆叠封装(POP)结构的制造方法，其减少所述结构的总体厚度和制造成本。本专利技术提供一种POP结构的制造方法。所述方法至少包含以下步骤。形成第一封装结构且在第一封装结构上形成第二封装结构。第一封装结构包含电路载体以及设置于电路载体上的晶粒。形成第一封装结构包含：在电路载体上提供导电中介板，通过密封体密封导电中介板，以及移除密封体的一部分和导电中介板的板体。导电中介板包含板体、多个导电柱以及从板体分别延伸到电路载体和晶粒的导电突起。导电突起设置于晶粒上，且导电柱电性连接到电路载体。第二封装结构通过导电中介板电性连接到第一封装结构。在本专利技术的一实施例中，在电路载体上提供导电中介板之后，导电突起在电路载体上的正投影面积等于晶粒在电路载体上的正投影面积。在本专利技术的一实施例中，导电中介板的板体包括中心区以及连接到中心区的外围区，导电突起形成于中心区中且导电柱形成于外围区中。在本专利技术的一实施例中，晶粒通过倒装芯片接合电性连接到电路载体。在本专利技术的一实施例中，导电中介板的导电柱通过多个导电膏连接到第一封装结构的电路载体。本专利技术提供一种POP结构的制造方法。所述方法至少包含以下步骤。形成第一封装结构且在第一封装结构上形成第二封装结构。第一封装结构包含电路载体以及设置于电路载体上的晶粒。形成第一封装结构包含：在电路载体上提供导电中介板，通过密封体密封导电中介板，以及移除密封体的一部分以及导电中介板的一部分。导电中介板包含晶粒定位区。晶粒定位区在电路载体上的正投影面积等于晶粒在电路载体上的正投影面积。密封体暴露出导电中介板的表面。第二封装结构通过导电中介板电性连接到第一封装结构。在本专利技术的一实施例中，在移除密封体的部分和导电中介板的板体的部分之后，导电柱中的每一者的顶部表面与导电突起的顶部表面共面。在本专利技术的一实施例中，在移除密封体的部分和导电中介板的板体的部分之后，在导电突起的顶部表面上形成导热界面材料。在本专利技术的一实施例中，第二封装结构包括设置于导电柱上的多个导电端子，在第一封装结构上形成第二封装之后，导电端子中的每一者的高度等于导热界面材料的厚度。在本专利技术的一实施例中，在移除密封体的部分以及导电中介板的部分之后，密封体的厚度大于导电线中的每一者的线弧高度。基于上述，由于密封体的厚度减少且导电中介板的板体也被移除以形成第一封装结构，因此从密封体暴露出的导电中介板的导电柱可以作为第一封装结构与第二封装结构之间的电性连接路径，且被密封体暴露出的导电突起可以作为散热片，以使散热效率更好。换句话说，不必在第一封装结构与第二封装结构之间设置用于电性连接其间的额外的中介板(interposer)。在移除密封体的一部分和导电中介板的板体之后，可减少封装结构的总厚度，进而实现封装小型化。形成于导电突起的顶部表面上的导热界面材料(thermalinterfacematerial)有利于将第二封装结构接合到第一封装结构，且改善第一封装结构的散热。当提供导电中介板在电路载体上时，对准窗口可以与晶粒对准。也就是，不需要形成额外的对准标记以使导电中介板与晶粒对准。因此，可以减少POP结构的总体厚度并可实现较低的制造成本。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1A到图1E是说明根据本专利技术的实施例的POP结构的制造方法的剖面示意图。图2A到图2D是说明根据本专利技术的另一实施例的POP结构的制造方法的剖面示意图。图3是说明根据本专利技术的实施例的导电中介板的立体示意图。图4A到图4E是说明根据本专利技术的又一实施例的POP结构的制造方法的剖面示意图。附图标号说明10、30：堆叠封装结构；50、130、330：导电中介板；52、132、332：板体；52a、54a、56a、132b、134a、332b、334a、S1：顶部表面；52b、132c、332c、S2：底部表面；54、134、334：导电柱；54h：高度；56：导电突起；56t、T1、T1'、T2：厚度；60：导热界面材料；100-1、100-2、100-3：第一封装结构；110：第一电路载体；112：核心层；114：顶部电路层；114a：导电衬垫；116：底部电路层；116a：导电衬垫；118：导电结构；120、320：第一晶粒；120a：有源表面；120b：非有源表面；122：导电凸块；132a、332a：对准窗口；140：导电膏；150：密封体；200：第二封装结构；202：第二晶粒；204：导电端子；210：第二电路载体；360：导电线；370：粘着层；C：中心区；H1、H2：高度；P：外围区。具体实施方式图1A到图1E是说明根据本专利技术的实施例的POP结构的制造方法的剖面示意图。参考图1A，提供第一电路载体(circuitcarrier)110且第一晶粒(die)120接合于第一电路载体110上。第一电路载体110可以具有顶部表面S1以及与顶部表面S1相对的底部表面S2。举例来说，第一电路载体110可包含核心层(corelayer)112、设置于顶部表面S1上的顶部电路层114以及设置于第一电路载体110的底部表面S2上的底部电路层116。核心层112设置于顶部电路层114与底部电路层116之间且电性连接所述顶部电路层114和底部电路层116。在一些实施例中，顶部电路层114和底部电路层116可以分别包含多个导电衬垫(conductivepad)114a和116a，用于进一步电性连接。此外，导电衬垫114a和导电衬垫116a可以通过相同材料和相同工艺形成，例如通过光刻(photolithography)和蚀刻(etching)工艺使用铜、焊料、金、镍或类似物来形成。在一些其它实施例中，导电衬垫114a和导电衬垫116a可以根据设计要求通过不同材料和/或不同工艺形成。核心层112可进一步包含多个嵌入电路层，其作为电性连接到顶部电路层114和底部电路层116的中间电路层。核心层112可以包含基底层(baselayer)以及穿透所述基底层的多个导电通孔(conductivevias)。核心层112的导电通孔的两个相对端可以电性连接到顶部电路层114的导电衬垫114a和底部电路层116的导电衬垫116a。在一些实施例中，多个导电结构118可形成于第一电路载体110的底部表面S2上。举例来说，导电结构118的材料可包含铜、锡、金、镍或其它合适的导电材料。导电结构118可以例如为导电凸块(conductivebump)、导电柱(conductivepillar)或通过植球工艺(ballplacementprocess)以及回焊工艺(reflowprocess)形成的焊球(solderball本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种堆叠封装结构的制造方法，其特征在于，包括：形成第一封装结构，其中所述第一封装结构包括电路载体以及设置于所述电路载体上的晶粒，形成所述第一封装结构包括：在所述电路载体上提供导电中介板，其中所述导电中介板包括板体、从所述板体分别延伸到所述电路载体和所述晶粒的多个导电柱以及导电突起，所述导电突起设置于所述晶粒上，且所述导电柱电性连接到所述电路载体；通过密封体密封所述导电中介板；以及移除所述密封体的一部分和所述导电中介板的所述板体；以及在所述第一封装结构上形成第二封装结构，其中所述第二封装结构通过所述导电中介板电性连接到所述第一封装结构。

【技术特征摘要】
2016.10.21 US 62/410,851;2017.10.13 US 15/782,8621.一种堆叠封装结构的制造方法，其特征在于，包括：形成第一封装结构，其中所述第一封装结构包括电路载体以及设置于所述电路载体上的晶粒，形成所述第一封装结构包括：在所述电路载体上提供导电中介板，其中所述导电中介板包括板体、从所述板体分别延伸到所述电路载体和所述晶粒的多个导电柱以及导电突起，所述导电突起设置于所述晶粒上，且所述导电柱电性连接到所述电路载体；通过密封体密封所述导电中介板；以及移除所述密封体的一部分和所述导电中介板的所述板体；以及在所述第一封装结构上形成第二封装结构，其中所述第二封装结构通过所述导电中介板电性连接到所述第一封装结构。2.根据权利要求1所述的堆叠封装结构的制造方法，其特征在于，在所述电路载体上提供所述导电中介板之后，所述导电突起在所述电路载体上的正投影面积与所述晶粒在所述电路载体上的正投影面积重叠。3.根据权利要求1所述的堆叠封装结构的制造方法，其特征在于，在移除所述密封体的所述部分和所述导电中介板的所述板体之后，所述密封体至少暴露出所述导电柱中的每一者的顶部表面以及所述导电突起的顶部表面。4.根据权利要求3所述的堆叠封装结构的制造方法，其特征在于，所述导电突起的厚度小于所述导电柱中的每一者的高度，在移除所述密封体的所述部分和所述导电中介板的所述板体之后，所述导电柱中的每一者的所述顶部表面与所述导电突起的所述顶部表面共面。5.根据权利要求3所述的堆叠封装结构的制造方法，其特征在于，在移除所述密封体的所述部分和所述导电中介板的所述板体之后，在所述导电突起的所述顶部表面上形成导热界面材料，所述第二封装结构包括设置于所述导电柱上的多个导电端子，在所述第一封装结构上形成所述第二封装之...

【专利技术属性】
技术研发人员：王启安，徐宏欣，
申请(专利权)人：力成科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71