动态随机存取存储器阵列及其版图结构、制作方法技术

本发明专利技术提供了一种动态随机存取存储器阵列及其版图结构、制作方法，有源区呈阵列式排布，同一列的相邻有源区的宽度不相同，且列方向与有源区的延伸方向相交，因此降低了制备难度，并且为后续模块的制备提供了基础，能改善开启电压较高、导通电阻较大等问题。

【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器阵列及其版图结构、制作方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种动态随机存取存储器阵列及其版图结构、制作方法。
技术介绍
集成电路已经从单一的芯片上集成数十个器件发展为集成数百万器件。传统的集成电路的性能和复杂性已经远远超过了最初的想象。为了实现在复杂性和电路密度(在一定芯片面积上所能容纳的器件的数量)方面的提高，器件的特征尺寸，也称为“几何尺寸(geometry)”，随着每一代的集成电路已经越变越小。提高集成电路密度不仅可以提高集成电路的复杂性和性能，而且对于消费者来说也能降低消费。使器件更小是有挑战性的，因为在集成电路制造的每一道工艺都有极限，也就是说，一定的工艺如果要在小于特征尺寸的条件下进行，需要更换该工艺或者器件布置；另外，由于越来越快的器件设计需求，传统的工艺和材料存在工艺限制。DRAM(DynamicRandomAccessMemory)，即动态随机存取存储器是最为常见的系统内存；该DRAM存储器为一种半导体器件，其性能已经取得很大的发展，但仍有进一步发展的需求。存储器按比例缩小是一项富有挑战性的任务，这是因为在不降低每一存储单元面积的存储能力情本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种动态随机存取存储器阵列版图结构，其特征在于，包括配置在半导体衬底中的隔离结构和多个有源区，所述有源区的长度向中心轴在延伸方向延伸；所述隔离结构配置在所述多个有源区之间；所述有源区呈阵列式排布并包括多个第一有源区以及多个第二有源区，沿一有源区长度向延伸方向排布的多个所述第一有源区与沿另一有源区长度向延伸方向排布的多个所述第二有源区相平行邻近，并且所述第一有源区与所述第二有源区在同一字线向列区域中呈现交错排布，所述第一有源区的第一宽度小于所述第二有源区的第二宽度。

【技术特征摘要】
1.一种动态随机存取存储器阵列版图结构，其特征在于，包括配置在半导体衬底中的隔离结构和多个有源区，所述有源区的长度向中心轴在延伸方向延伸；所述隔离结构配置在所述多个有源区之间；所述有源区呈阵列式排布并包括多个第一有源区以及多个第二有源区，沿一有源区长度向延伸方向排布的多个所述第一有源区与沿另一有源区长度向延伸方向排布的多个所述第二有源区相平行邻近，并且所述第一有源区与所述第二有源区在同一字线向列区域中呈现交错排布，所述第一有源区的第一宽度小于所述第二有源区的第二宽度。2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器阵列版图结构，其特征在于，所述第二宽度比所述第一宽度大20％～70％。3.如权利要求1所述的动态随机存取存储器阵列版图结构，其特征在于，还包括多条字线，配置在所述半导体衬底中，在同一列所述有源区中，两条所述字线分别与所述第一有源区和所述第二有源区相交并穿越所述第一有源区和所述第二有源区。4.一种动态随机存取存储器阵列，其特征在于，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底中通过隔离结构定义有多个有源区，所述有源区的长度向中心轴在延伸方向延伸，所述有源区呈阵列式排布并包括多个第一有源区以及多个第二有源区，沿一有源区长度向延伸方向排布的多个所述第一有源区与沿另一有源区长度向延伸方向排布的多个所述第二有源区相平行邻近，并且所述第一有源区与所述第二有源区在同一字线向列区域中呈现交错排布，所述第一有源区的第一宽度小于所述第二有源区的第二宽度；及，多条位线，所述位线包括第一位线和第二位线，皆形成于所述半导体衬底的所述有源区上，并且在同一字线向列区域中，所述第一位线在高度方向上的投影与所述第一有源区相交，所述第二位线在高度方向上的投影与所述第二有源区相交。5.如权利要求4所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，所述第二宽度比所述第一宽度大20％～70％。6.如权利要求4所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，还包括多条字线，形成在所述半导体衬底中，在同一字线向列区域中，两条所述字线分别与所述第一有源区和所述第二有源区相交并穿越所述第一有源区和所述第二有源区。7.如权利要求4所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，还包括：多个接触端，形成于所述半导体衬底的所述有源区上并位于所述位线的两侧。8.如权利要求7所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，还包括：多个电容，每个所述电容位于一个所述接触端上。9.如权利要求4所述的动态随机存取存储器阵列，其特征在于，相邻列中相邻近的两个所述有源区沿着所述有源区的长度向延伸方向共线排布，且在同一条共线上的多个所述有源区的宽度相同，且在相邻条共线之间的多个所述有源区具有不同宽度，使所述位线在高度方向上的投影与所述有源区的中心点相交并且所述位线具有直线延...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34