半导体存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体存储装置具备：第1电极层，设置于导电层上；第2电极层，设置于所述导电层与所述第1电极层之间；第1绝缘层，设置于所述第1电极层与所述第2电极层之间；以及导电性的支柱层，在从所述导电层朝向所述第1电极层的第1方向上，贯通第1电极层、所述第2电极层及所述第1绝缘层而延伸。所述支柱层的贯通所述第1绝缘层的部分的外周具有沿着所述导电层的表面的第2方向上的第1宽度，所述支柱层的贯通所述第2电极层的部分的外周具有所述第2方向上的第2宽度，且所述第2宽度比所述第1宽度宽。

Semiconductor storage device

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置[相关申请]本申请享受以美国临时专利申请62/384,352号(申请日：2016年9月7日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
实施方式涉及一种半导体存储装置。
技术介绍
具备三维配置的存储单元的非易失性半导体存储装置的开发正在推进。例如，NAND(NotAnd，与非)型半导体存储装置具有存储单元阵列，该存储单元阵列包含积层于源极层上的多条字线及贯通这些字线的半导体通道。为了扩大这种半导体存储装置的存储容量，有效的方法是增加所述字线的积层数。然而，如果增加字线的积层数，那么难以控制贯通所述字线而到达源极层的半导体通道的下端的位置。
技术实现思路
实施方式提供一种能够提高半导体通道的深度的控制性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1电极层，设置于导电层上；第2电极层，设置于所述导电层与所述第1电极层之间；第1绝缘层，设置于所述第1电极层与所述第2电极层之间；以及导电性的支柱层，在从所述导电层朝向所述第1电极层的第1方向上，贯通第1电极层、所述第2电极层及所述第1绝缘层而延伸。所述支柱层的贯通所述第1绝缘层的部分的外周具有沿着所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储装置，其特征在于具备：第1电极层，设置于导电层上；第2电极层，设置于所述导电层与所述第1电极层之间；第1绝缘层，设置于所述第1电极层与所述第2电极层之间；以及导电性的支柱层，在从所述导电层朝向所述第1电极层的第1方向上，贯通第1电极层、所述第2电极层及所述第1绝缘层而延伸；且所述支柱层的贯通所述第1绝缘层的部分的外周具有沿着所述导电层的表面的第2方向上的第1宽度，所述支柱层的贯通所述第2电极层的部分的外周具有所述第2方向上的第2宽度，所述第2宽度比所述第1宽度宽。

【技术特征摘要】
2016.09.07 US 62/384,352;2017.01.18 US 15/408,9521.一种半导体存储装置，其特征在于具备：第1电极层，设置于导电层上；第2电极层，设置于所述导电层与所述第1电极层之间；第1绝缘层，设置于所述第1电极层与所述第2电极层之间；以及导电性的支柱层，在从所述导电层朝向所述第1电极层的第1方向上，贯通第1电极层、所述第2电极层及所述第1绝缘层而延伸；且所述支柱层的贯通所述第1绝缘层的部分的外周具有沿着所述导电层的表面的第2方向上的第1宽度，所述支柱层的贯通所述第2电极层的部分的外周具有所述第2方向上的第2宽度，所述第2宽度比所述第1宽度宽。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第1电极层包含金属，且所述第2电极层包含半导体。3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其特征在于：所述第2电极层含有硅。4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：在所述第1方向上，所述第2电极层比所述第1电极层厚。5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：还具备设置于所述导电层与所述第2电极层之间的第2绝缘层，且所述支柱层在所述第1方向上贯通所述第2绝缘层，所述支柱层在贯通所述第2绝缘层的部分的外周，具有比所述第1宽度宽且比所述第2宽度窄的所述第2方向的宽度。6.一种半导体存储装置，其特征在于：具备存储单元部及周边部，所述存储单元部包括：多个电极层，沿着第1方向而积层；及导电性的支柱层，在所述第1方向上贯通所述多个电极层；所述周边部包括：第1层，设置于所述存储单元部的周围；及第2层与第3层，沿着所述第1方向，交替地积层于所述第1层上；且就特定的蚀刻条件来讲，所述第1层的蚀刻速度比所述第2层及所述第3层慢。7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于：所述多个电极层包含第1电极层、及在所述第1方向上积层于所述第1电极层上的第2电极层，所述存储单元部还具备层间绝缘层，该层间绝缘层设置于所述第1电极层与所述第2电极层之间，由与所述第2层及所述第3层中任一层相同...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒井伸也，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP