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本发明的半导体存储装置具备：第1电极层，设置于导电层上；第2电极层，设置于所述导电层与所述第1电极层之间；第1绝缘层，设置于所述第1电极层与所述第2电极层之间；以及导电性的支柱层，在从所述导电层朝向所述第1电极层的第1方向上，贯通第1电极层...
该专利属于东芝存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。

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