缺陷检测方法技术

本发明专利技术提供一种缺陷检测方法，包括：对第一灰度信息和第二灰度信息进行比较处理，如果所述第二灰度信息与所述第一灰度信息不匹配，优化所述待测位置并重复所述第二图像获取步骤至所述第二灰度信息与所述第一灰度信息匹配时，获取所述第二图像。所述比较处理能够判断所述第二图像中是否包括所述待处理缺陷的图像，从而能够防止由于测量误差导致所述第二图像中不具有所述待处理缺陷的图像。因此，所述检测方法能够提高缺陷捕捉成功率。

Defect detection method

The present invention provides a defect detection method, including: the first second gray information and gray information are compared, and if not, the second gray information and the first gray information, the optimal location for measurement and repeat the second step to the second image gray information and the first gray information when matching the second image acquisition. The comparison processing can determine whether the image of the defect to be processed in the second image is included, so as to prevent the image that does not have the defects to be processed in the second image due to the measurement error. Therefore, the detection method can improve the success rate of defect capture.

【技术实现步骤摘要】
缺陷检测方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种缺陷检测方法。
技术介绍
在制造晶圆的过程中，由于制造过程中难免使晶圆表面产生大量缺陷。为了保证晶圆的质量，需要对晶圆表面的缺陷进行检测。现有的缺陷检测方法包括：通过缺陷检测机台对晶圆表面进行扫描，获取晶圆表面各个缺陷的位置坐标；根据各缺陷的位置坐标，通过扫描电镜(SEM)分别对各缺陷进行拍摄，获取各缺陷的图像。扫描电镜是一种检测晶圆表面缺陷的机台，具有很高的图像的分辨率，能够清晰反映缺陷的形貌。然而，现有的缺陷检测方法的缺陷捕捉成功率较低。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种缺陷检测方法，能够提高缺陷捕捉成功率。为解决上述问题，本专利技术提供一种缺陷检测方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括检测面，所述检测面具有待处理缺陷；采用第一图像采集处理，获取所述检测面的第一图像，所述第一图像内包括与所述待处理缺陷对应的第一缺陷图像，所述第一缺陷图像包括多个第一像素；获取所述第一缺陷图像的第一灰度信息，所述第一灰度信息包括多个第一像素灰度值，各个第一像素灰度值分别与各第一像素对应；获取所述待处理缺陷相对于检测面的待测位置；在所述待测位置处进行第二图像采集处理，获取所述检测面在所述待测位置处的第二图像，第二图像包括多个第二像素，所述第二图像中第二像素的个数大于或等于所述第一图像中第一像素的个数；获取所述第二图像的第二灰度信息，所述第二灰度信息包括多个第二像素灰度值，各个第二像素灰度值分别与各第二像素对应；对所述第一灰度信息和第二灰度信息进行比较处理，当所述第二灰度信息与第一灰度信息不匹配时，对所述待测位置进行优化，获取重置位置；在所述重置位置处重复第二图像采集处理步骤至比较处理步骤，直至所述第二灰度信息与所述第一灰度信息相匹配。可选的，所述第二图像采集处理的步骤包括：通过缺陷检测机台对所述检测面进行扫描，获取所述检测面的第一图像。可选的，所述第二图像采集处理的步骤包括：通过扫描电镜对所述待测位置处的检测面进行拍摄，获取所述第二图像。可选的，所述比较处理的步骤包括：进行对比处理，所述对比处理包括：在所述第二图像中获取对比区域，所述对比区域中第二像素与所述第一缺陷图像中第一像素的个数和分布相同；分别获取所述对比区域中各第二像素的灰度与相应第一缺陷图像中第一像素的灰度之间的比值；比较各个比值是否相同。可选的，所述检测面具有多个缺陷，多个所述缺陷中具有所述待处理缺陷；所述第二图像中包括第二缺陷图像，所述第二缺陷图像与所述缺陷对应。可选的，所述第二图像中包括一个第二缺陷图像时，获取对比区域的步骤包括：使所述对比区域包括所述第二缺陷图像。可选的，所述第二图像中包括与多个缺陷对应的多个第二缺陷图像时，所述对比区域的个数与所述第二缺陷图像的个数相同；获取对比区域的步骤包括：使各对比区域分别包括一个第二缺陷图像；所述比较处理的步骤还包括：如果各比值存在差异，重复所述比较处理步骤。可选的，所述晶圆中具有半导体器件。可选的，获取所述待处理缺陷的待测位置的步骤包括：以所述晶圆中心为原点在所述检测面建立坐标系；所述待测位置包括所述待处理缺陷在所述坐标系下的坐标值。可选的，优化所述待测位置的步骤包括：改变所述待测位置的坐标值。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：本专利技术技术方案提供的缺陷检测方法中，对所述第一灰度信息和第二灰度信息进行比较处理。所述比较处理通过对第一灰度信息和第二灰度信息的比较，能够判断所述第二图像中是否包括所述待处理缺陷的图像，从而能够防止由于检测误差导致所述第二图像中不具有所述待处理缺陷的图像。因此，所述检测方法能够提高缺陷捕捉成功率。附图说明图1是本专利技术的缺陷检测方法一实施例各步骤的流程图；图2至图5是本专利技术的缺陷检测方法一实施例各步骤的结构示意图。具体实施方式缺陷检测方法具有诸多问题，例如缺陷捕捉成功率较低。现结合一种缺陷检测方法分析所述缺陷检测方法的缺陷捕捉成功率较低的原因：所述缺陷检测方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括检测面，所述检测面具有多个缺陷，所述多个缺陷中具有待处理缺陷；通过缺陷检测机台对检测面进行扫描，获取所述待处理缺陷的位置坐标；通过扫描电镜(SEM)对所述待处理缺陷的位置坐标处进行拍摄，获取缺陷图像。然而，由于缺陷检测机台精度的影响，获取的待处理缺陷的位置坐标具有一定偏差，且由于所述扫描电镜精度的限制，通过扫描电镜进行拍摄的过程中，容易导致所述缺陷图像对应的缺陷与所述待处理缺陷不相同。因此，所述检测方法的缺陷捕捉成功率较低。为了解决上述问题，本专利技术提供一种缺陷检测方法，包括：对第一灰度信息和第二灰度信息进行比较处理，如果所述第二灰度信息与所述第一灰度信息不匹配，优化所述待测位置并重复所述第二图像获取步骤至所述第二灰度信息与所述第一灰度信息匹配时，获取所述第二图像。所述比较处理能够判断所述第二图像中是否包括所述待处理缺陷的图像。因此，所述检测方法能够提高缺陷捕捉成功率，从而提高检测的产出率。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。图1是本专利技术的缺陷检测方法一实施例各步骤的流程图。本实施例中，所述缺陷检测方法包括：步骤S1，提供晶圆，所述晶圆包括检测面，所述检测面具有待处理缺陷；步骤S2，采用第一图像采集处理，获取所述检测面的第一图像，所述第一图像中包括与所述待处理缺陷对应的第一缺陷图像，所述第一缺陷图像包括多个第一像素；步骤S3，获取所述第一缺陷图像的第一灰度信息，所述第一灰度信息包括多个第一像素灰度值，各个第一像素灰度值分别与各第一像素对应；步骤S4，获取所述待处理缺陷相对于检测面的待测位置；步骤S5，在所述待测位置处进行第二图像采集处理，获取所述检测面在所述待测位置处的第二图像，第二图像包括多个第二像素，所述第二图像中第二像素的个数大于或等于所述第一图像中第一像素的个数；步骤S6，获取所述第二图像的第二灰度信息，所述第二灰度信息包括多个第二像素灰度值，各个第二像素灰度值分别与各第二像素对应；步骤S7，对所述第一灰度信息和第二灰度信息进行比较处理，当所述第二灰度信息与第一灰度信息不匹配时，执行步骤S8，对所述待测位置进行优化，获取重置位置；在所述重置位置处重复第二图像采集处理步骤至比较处理步骤，直至所述第二灰度信息与所述第一灰度信息相匹配。图2至图5是本专利技术的缺陷检测方法一实施例各步骤的结构示意图。以下根据图2至图5对所述缺陷检测方法进行详细说明。请参考图2，执行步骤S1，提供晶圆，所述晶圆包括检测面100，所述检测面100具有待处理缺陷101。所述晶圆用于形成半导体结构。在形成所述晶圆的过程中，难免使所述检测面100具有缺陷。所述缺陷包括：凹坑、划痕或凸出等。本实施例中，所述晶圆的材料为硅，所述晶圆中具有半导体器件。在其他实施例中，所述晶圆中可以不具有半导体器件。本实施例中，所述检测面100缺陷的个数为多个，多个缺陷中需要进行检测的缺陷为待处理缺陷101。在其他实施例中，所述检测面缺陷的个数可以为1个。请参考图3，执行步骤S2，采用第一图像采集处理，获取所述检测面100的第一图像110，所述第一图像110内包括与所述待处理缺陷101对应的第一缺陷图像111，所述第一缺陷图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种缺陷检测方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括检测面，所述检测面具有待处理缺陷；采用第一图像采集处理，获取所述检测面的第一图像，所述第一图像内包括与所述待处理缺陷对应的第一缺陷图像，所述第一缺陷图像包括多个第一像素；获取所述第一缺陷图像的第一灰度信息，所述第一灰度信息包括多个第一像素灰度值，各个第一像素灰度值分别与各第一像素对应；获取所述待处理缺陷相对于检测面的待测位置；在所述待测位置处进行第二图像采集处理，获取所述检测面在所述待测位置处的第二图像，第二图像包括多个第二像素，所述第二图像中第二像素的个数大于或等于所述第一图像中第一像素的个数；获取所述第二图像的第二灰度信息，所述第二灰度信息包括多个第二像素灰度值，各个第二像素灰度值分别与各第二像素对应；对所述第一灰度信息和第二灰度信息进行比较处理，当所述第二灰度信息与第一灰度信息不匹配时，对所述待测位置进行优化，获取重置位置；在所述重置位置处重复第二图像采集处理步骤至比较处理步骤，直至所述第二灰度信息与所述第一灰度信息相匹配。

【技术特征摘要】
1.一种缺陷检测方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括检测面，所述检测面具有待处理缺陷；采用第一图像采集处理，获取所述检测面的第一图像，所述第一图像内包括与所述待处理缺陷对应的第一缺陷图像，所述第一缺陷图像包括多个第一像素；获取所述第一缺陷图像的第一灰度信息，所述第一灰度信息包括多个第一像素灰度值，各个第一像素灰度值分别与各第一像素对应；获取所述待处理缺陷相对于检测面的待测位置；在所述待测位置处进行第二图像采集处理，获取所述检测面在所述待测位置处的第二图像，第二图像包括多个第二像素，所述第二图像中第二像素的个数大于或等于所述第一图像中第一像素的个数；获取所述第二图像的第二灰度信息，所述第二灰度信息包括多个第二像素灰度值，各个第二像素灰度值分别与各第二像素对应；对所述第一灰度信息和第二灰度信息进行比较处理，当所述第二灰度信息与第一灰度信息不匹配时，对所述待测位置进行优化，获取重置位置；在所述重置位置处重复第二图像采集处理步骤至比较处理步骤，直至所述第二灰度信息与所述第一灰度信息相匹配。2.如权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述第二图像采集处理的步骤包括：通过缺陷检测机台对所述检测面进行扫描，获取所述检测面的第一图像。3.如权利要求1所述的缺陷检测方法，其特征在于，所述第二图像采集处理的步骤包括：通过扫描电镜对所述待测位置处的检测面进行拍摄，获取所述第二图像。4.如权利要求1所述的缺陷检测方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：许平康，方桂芹，黄仁德，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32