一种多光刻层电性参数相关性分析系统和分析方法技术方案

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种多光刻层电性参数相关性分析系统和分析方法，本发明专利技术根据要进行相关分析的电性测试数据计算每层光刻层的每个电性参数与每个后续光刻层的每个关键电性参数的线性相关系数，根据所述线性相关系数确定与后续光刻层的每个关键电性参数相关的电性参数，可以帮助工程师能根据线性相关系数判定对后续光刻层关键电性性能有显著影响的前层光刻层电性参数，以便工程师可针对性地严格控制影响较大的前层光刻层电性参数，避免前层工艺的损失影响到后续工艺。

An electrical parameter correlation analysis system and analysis method for multi photolithography

The invention relates to the field of semiconductor manufacturing technology, in particular to a photoresist layer of electrical parameter correlation analysis system and analysis method of the invention, the linear correlation coefficient is calculated for each electrical parameter with each subsequent photoresist layer each layer of a photoresist layer of each of the key electrical parameters according to the electrical test data to analysis the correlation. According to the photoresist layer and subsequent electric parameters of each of the key related electrical parameters of the linear correlation coefficient, can help engineers based on the linear correlation coefficient decision has a significant impact on the subsequent key electrical properties of photoresist layer before layer photoresist layer electrical parameters, so that engineers can be targeted to strictly control the impact of the larger a photoresist layer layer of electrical parameters, avoid the influence of front layer process loss to follow-up process.

【技术实现步骤摘要】
一种多光刻层电性参数相关性分析系统和分析方法
本专利技术属于半导体制造
，具体涉及一种多光刻层电性参数相关性分析系统和分析方法。
技术介绍
化合物半导体工艺光刻层数较多，一般为17到20层不等，几乎每个关键的光刻层工艺完成后，都会对该层的电性性能进行PCM测试。目前，通常采用统计管制图、描述性统计值等统计学算法对单层光刻工艺的电性测试参数进行分析。由于化合物半导体每个光刻层涉及的电性参数较多，逐一对其进行监控管制的话无法快速、准确地找到质量异常的根本因素，导致工程师花费大量的时间在与后续光刻层的关键电性参数或最终器件的电性性能相关性不显著的电性参数的优化工作上，导致最终的器件性能迟迟无法得到改善。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种多光刻层电性参数相关性分析系统和分析方法，该系统和方法可以帮助工程师快速、准确地判定对后续光刻层关键电性性能有显著影响的前层光刻层的电性参数。为达到上述要求，本专利技术采取的技术方案是：提供一种多光刻层电性参数相关性分析系统，包括：关键参数设置模块，用于设置关键电性参数；抽样设置模块，用于设置采样规则，采样规则包括在制批次晶圆在每层光刻层需要采集本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多光刻层电性参数相关性分析系统，其特征在于，包括：关键参数设置模块，用于设置关键电性参数；抽样设置模块，用于设置采样规则，采样规则包括在制批次晶圆在每层光刻层需要采集的电性参数、光刻层的层数抽样规则及晶圆的个数抽样规则，其中层数抽样规则需要保证采集的电性参数至少包括一个关键电性参数；抽样模块，用于根据所述采样规则采集在制批次晶圆多个光刻层电性参数的电性测试数据；参数输入模块，用于读取用户输入的要进行相关分析的光刻层及每个光刻层的电性参数；相关性分析模块，用于获取要进行相关分析的电性参数的电性测试数据，并根据关键参数设置模块设置的关键电性参数识别出要进行相关分析的电性参数中的关键电性参数，并...

【技术特征摘要】
1.一种多光刻层电性参数相关性分析系统，其特征在于，包括：关键参数设置模块，用于设置关键电性参数；抽样设置模块，用于设置采样规则，采样规则包括在制批次晶圆在每层光刻层需要采集的电性参数、光刻层的层数抽样规则及晶圆的个数抽样规则，其中层数抽样规则需要保证采集的电性参数至少包括一个关键电性参数；抽样模块，用于根据所述采样规则采集在制批次晶圆多个光刻层电性参数的电性测试数据；参数输入模块，用于读取用户输入的要进行相关分析的光刻层及每个光刻层的电性参数；相关性分析模块，用于获取要进行相关分析的电性参数的电性测试数据，并根据关键参数设置模块设置的关键电性参数识别出要进行相关分析的电性参数中的关键电性参数，并根据要进行相关分析的电性参数的电性测试数据计算每层光刻层的每个电性参数与每个后续光刻层的每个关键电性参数的线性相关系数，根据所述线性相关系数确定与后续光刻层的每个关键电性参数相关的电性参数。2.根据权利要求1所述的多光刻层电性参数相关性分析系统，其特征在于，还包括数据库，用于存储抽样模块采集到的电性参数的电性测试数据。3.根据权利要求1所述的多光刻层电性参数相关性分析系统，其特征在于，还包括行为管控设置模块和管控执行模块，所述行为管控设置模块用于从所述相关性分析模块获取与后续光刻层的关键电性参数相关的电性参数，并对每个...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭渊，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51