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本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种多光刻层电性参数相关性分析系统和分析方法，本发明根据要进行相关分析的电性测试数据计算每层光刻层的每个电性参数与每个后续光刻层的每个关键电性参数的线性相关系数，根据所述线性相关系数确定与后续光刻层的每...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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