光刻残留物的检测方法、半导体器件制备方法技术

本发明专利技术涉及一种光刻残留物的检测方法、半导体器件制备方法。所述检测方法包括：光刻前，在晶圆的表面上形成检测辅助材料层；对带有所述检测辅助材料层的所述晶圆进行光刻；对光刻后的所述晶圆去除所述检测辅助材料层，对于没有光刻残留物的位置，所述检测辅助材料层则被去除，对于有光刻残留物的位置，所述检测辅助材料层则与光刻残留物一起被保留，如此形成台阶；对所述晶圆进行缺陷检测。本发明专利技术所述方法可以用来检测光刻步骤的光酸或显影液等透明液体残留物，无论是较严重的还是较轻微的液体残留物，都可以被该方法检测到，因此可以防止残留物对后续离子注入的影响和晶圆的报废。

【技术实现步骤摘要】
光刻残留物的检测方法、半导体器件制备方法
本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及光刻残留物的检测方法、半导体器件制备方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，半导体器件的制备趋于微型化，目前已经发展到纳米级别，同时常规器件的制备工艺逐渐成熟。目前芯片制造过程中要经过很多离子注入步骤，例如为了有效的防止短沟道效应，在集成电路制造工艺中引入了轻掺杂漏工艺(LDD)，然后进行源漏注入等等。每一步注入步骤都要先通过光刻版和光刻步骤把需要注入的区域定义好，光刻步骤包括涂胶、曝光和显影等3个关键环节。其中光刻胶为有机材料，在曝光环节，光照射到的区域光阻发生反应变为光酸，在接下来的显影步骤，显影液为碱性，可以将光酸溶解去除。目前工艺中由于很多光刻步骤的透光区域过大，结合光刻机台自身的能力和波动，有时会出现曝光或显影不充分的情况，从而导致光酸，或显影液的残留。其中，所述残留物一般为液体，呈透明状，在光刻步骤后的缺陷检测步骤无法识别出来，但是该残留物会影响离子注入的深度，从而导致器件晶圆可接受测试(waferacceptancetest，WAT)和良率的异常。因此，需要对目前所述制备方法做进一步的改进，以便消除上述问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。为了克服目前存在的问题，本专利技术一方面提供了一种光刻残留物的检测方法，所述检测方法包括：光刻前，在晶圆的表面上形成检测辅助材料层；对带有所述检测辅助材料层的所述晶圆进行光刻；对光刻后的所述晶圆去除所述检测辅助材料层，对于没有光刻残留物的位置，所述检测辅助材料层则被去除，对于有光刻残留物的位置，所述检测辅助材料层则与光刻残留物一起被保留，如此形成台阶；对所述晶圆进行缺陷检测。可选地，所述检测辅助材料层为氧化硅薄膜。可选地，所述检测辅助材料层为氮氧化硅或氮化硅薄膜。可选地，所述检测辅助材料层的厚度为300埃。可选地，所述光刻前，在晶圆的表面上形成所述检测辅助材料层，为采用炉管或CVD的方法沉积。可选地，所述对光刻后的晶圆去除所述检测辅助材料层，为采用酸液腐蚀。可选地，所述酸液为氢氟酸。可选地，所述酸液为磷酸。可选地，所述对晶圆进行缺陷检测，为所述台阶在缺陷检测仪器下呈现出亮白光而被检测出来。本专利技术还提供了一种半导体器件的制备方法，所述方法包括上述的光刻残留物的检测方法，然后进行离子注入。本专利技术为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种光刻残留物的检测方法，在所述方法中在晶圆上采用炉管或CVD的方法沉积一层检测辅助材料层，厚度为300埃左右，然后进行光刻工艺，包括涂胶，曝光，显影。然后带胶进行酸腐蚀，酸腐蚀后，晶圆表面有光刻残留物的位置，检测辅助材料层会保留下来，无残留物的位置，检测辅助材料层会被去除，使有残留物和无残留物的区域形成台阶，该台阶可以被缺陷检测步骤识别出来。本专利技术所述方法可以用来检测光刻步骤的光酸或显影液等透明液体残留物，无论是较严重的还是较轻微的液体残留物，都可以被该方法检测到，因此可以防止残留物对后续离子注入的影响和晶圆的报废。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的方法及原理。在附图图1示出了本专利技术所述光刻残留物的检测方法的流程图；图2示出了本专利技术一实施例中的光刻残留物的检测方法的相关步骤形成的结构的剖视图；图3示出了本专利技术一实施例中的光刻残留物的检测方法的相关步骤形成的结构的剖视图；图4示出了本专利技术一实施例中的光刻残留物的检测结果的效果示意图；图5示出了本专利技术另一实施例中的光刻残留物的检测结果的效果示意图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。为了彻底理解本专利技术，将在下列的描述中提出详细的结构以及步骤，以便阐释本专利技术提出的技术方案。本专利技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本专利技术还可以具有其他实施方式。实施例一本专利技术为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种光刻残留物的检测方法，下面结合附图对所述方法做进一步的说明，图1示出了本专利技术所述光刻残留物的检测方法的流程图；图2示出了本专利技术一实施例中的光刻残留物的检测方法的相关步骤形成的结构的剖视图；图3示出了本专利技术一实施例中的光刻残留物的检测方法的相关步骤形成的结构的剖视图；图4示出了本专利技术一实施例中的光刻残留物的检测结果的效果示意图；图5示出了本专利技术一实施例中的光刻残留物的检测结果的效果示意图。本专利技术提供一种光刻残留物的检测方法，如图1所示，该检测方法的主要步骤包括：步骤S1：光刻前，在晶圆的表面上形成检测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻残留物的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：光刻前，在晶圆的表面上形成检测辅助材料层；对带有所述检测辅助材料层的所述晶圆进行光刻；对光刻后的所述晶圆去除所述检测辅助材料层，对于没有光刻残留物的位置，所述检测辅助材料层则被去除，对于有光刻残留物的位置，所述检测辅助材料层则与光刻残留物一起被保留，如此形成台阶；对所述晶圆进行缺陷检测。

【技术特征摘要】
1.一种光刻残留物的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：光刻前，在晶圆的表面上形成检测辅助材料层；对带有所述检测辅助材料层的所述晶圆进行光刻；对光刻后的所述晶圆去除所述检测辅助材料层，对于没有光刻残留物的位置，所述检测辅助材料层则被去除，对于有光刻残留物的位置，所述检测辅助材料层则与光刻残留物一起被保留，如此形成台阶；对所述晶圆进行缺陷检测。2.根据权利要求1所述的光刻残留物的检测方法，其特征在于，所述检测辅助材料层为氧化硅薄膜。3.根据权利要求1所述的光刻残留物的检测方法，其特征在于，所述检测辅助材料层为氮氧化硅或氮化硅薄膜。4.根据权利要求1所述的光刻残留物的检测方法，其特征在于，所述检测辅助材料层的厚度为300埃。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李健，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32