重复性缺陷的筛选方法技术

本发明专利技术的一种重复性缺陷的筛选方法，包括：获取晶圆的缺陷分布数据；以晶粒为重复单元，计算出缺陷的第一重复性合集及其在晶粒中的坐标；以光罩为重复单元，计算出缺陷的第二重复性合集，并计算第二重复性合集中各缺陷对应于以晶粒为重复单元的坐标；匹配第二重复性合集中各缺陷以晶粒重复单元的坐标与第一重复性合集中各缺陷的坐标，计算坐标相同的缺陷在各自重复性合集中重复的次数，并计算两次数的差值与第二重复性合集中次数的比值k；如果k等于零或小于设定阈值k0，则确认该缺陷为重复性缺陷。本发明专利技术中，提高筛选所得到的光罩引入缺陷信息的准确率，从而降低漏检风险，提升良率。

Screening methods for repeated defects

Including the screening method, a repetition of the present invention defects: obtaining wafer defect distribution data; to calculate the grain as a repeating unit, the first collection of repetitive defects and coordinate in the grains; to mask for repeating units, calculate the second repeated defect of sets, and calculate the defect of second repeat the collection of corresponding to grain for repeat units, each coordinate; defects of second repetitive collection to coordinate each grain defect coordinates repeating unit and the first repetition of the collection, calculation of defects of the same coordinates in their repeated collection of repetition, and calculated the ratio of the number of K and the difference of the number of collection two second in the repeatability; if K is equal to zero or less than the threshold K0, confirming the defect for repeated defect. In the invention, the accuracy rate of the defect information introduced by the screen obtained by the screening is improved, thus reducing the risk of leakage detection and improving the good rate.

【技术实现步骤摘要】
重复性缺陷的筛选方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造
，尤其涉及一种重复性缺陷的筛选方法。
技术介绍
随着超大规模集成电路ULSI(UltraLargeScaleIntegration)的飞速发展，集成电路工艺制作工艺变得越来越复杂和精细，这就要求以更高的精度和更好的均匀性形成半导体器件，而在实际集成电路生产过程，由于工艺和设备等不同因素的影响，往往在衬底表面会形成不可预期的缺陷，例如，颗粒缺陷，最终导致产品良率的降低，因此，在集成电路生产中半导体衬底的缺陷检测也变得至关重要。在半导体制造过程中，在晶圆上一些晶粒上出现低良率问题，这些低良率问题是有规律的，被称为“重复性缺陷”，且目前能够确定这些重复性缺陷是晶圆制造过程中的光罩引起的。因此，需要对重复性缺陷进行检测。目前，对缺陷扫描所得到的缺陷位置分布图作重复性缺陷筛选是缺陷检测中判断光罩引入缺陷的重要手段和依据。该方法通过比对缺陷位置分布图上的缺陷是否存在以光罩为单元的重复性从而筛选出光罩异常导致的缺陷，再通过扫描电镜复检获取图像，最后根据筛选出的缺陷图像数据分析缺陷情况。在生产过程中，如果掩模版缺陷检测机发现光罩上存在缺陷风险，除了对光罩进行缺陷扫描外，通常还会再在晶圆上确认实际曝光的缺陷情况。为了能够检测出晶圆上实际的光阻图形缺陷情况，需要采用比较严格的扫描条件来检测晶圆上的缺陷，而严格的扫描条件在能够扫描出潜在的重复性缺陷的同时，还会引入很多Nuisance(非真实缺陷的缺陷扫描结果)，其中包括机台扫描本身引入的噪声、特定工艺层引入的缺陷和特定图形引入的噪声等。通过以光罩为单元做重复性缺陷计算并筛选可以得到包含潜在光罩引入缺陷的缺陷合集，由于该缺陷合集还包括上述Nuisance，通常筛选后的合集中缺陷数目远高于实际水平。要发现包含于晶圆中光罩引入缺陷不但会耗费大量的检测机台产能而且存在随机检测带来的漏检风险，从而对光罩上可能存在的缺陷评估造成影响，并影响产品的最终良率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种重复性缺陷的筛选方法，解决现有技术中重复性缺陷检测效率低、漏检的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种重复性缺陷的筛选方法，包括：获取晶圆的缺陷分布数据；以晶粒为重复单元，计算出缺陷的第一重复性合集及其在晶粒中的坐标；以光罩为重复单元，计算出缺陷的第二重复性合集，并计算第二重复性合集中各缺陷对应于以晶粒为重复单元的坐标；匹配第二重复性合集中各缺陷以晶粒重复单元的坐标与第一重复性合集中各缺陷的坐标，计算坐标相同的缺陷在各自重复性合集中重复的次数，并计算两次数的差值与第二重复性合集中次数的比值k；如果k等于零或小于设定阈值k0，则确认该缺陷为重复性缺陷。可选的，所述第一重复性合集包括缺陷的编号、缺陷在晶粒中的坐标及重复的次数。可选的，所述第二重复性合集包括缺陷的编号、缺陷在光罩中的坐标及重复的次数。可选的，所述缺陷分布数据包括缺陷的编号、缺陷在晶圆中的坐标、晶粒的单元尺寸、光罩的规格。可选的，通过一缺陷检测设备获取所述晶圆上所有缺陷的位置，通过所述缺陷检测设备将所述缺陷坐标进行存储。可选的，获取晶圆缺陷的位置的步骤包括：通过所述缺陷检测设备对晶圆进行检测，以获取晶圆上每个晶粒的检测数据；将晶圆上的每个晶粒的检测数据与之前相邻的一个晶粒的检测数据进行比较，获得若干第一差异位置；将晶圆上的每个晶粒的检测数据与之后相邻的一个晶粒的检测数据进行比较，获得若干第二差异位置；若晶粒所对应的第一差异位置与其对应的所述第二差异位置相同，则将该第一差异位置或第二差异位置设置为该晶粒上缺陷的位置。可选的，所述光罩的规格为1mm×1mm。可选的，k0为大于0小于1之间的数。可选的，k0为0.01～0.05之间的数。与现有技术相比，本专利技术提供的重复性缺陷的筛选方法具有以下有益效果：本专利技术的重复性缺陷检测方法中，分别以晶粒和光罩为重复单元，建立第一重复性合集和第二重复性合集，计算第二重复性合集中的各缺陷对应于其在以晶粒为重复单元中的坐标，将该坐标与第一重复性合集中缺陷的坐标进行匹配，若坐标相同，则分别计算对应的缺陷在各自重复性合集中重复的次数，根据次数计算出比值k，若k等于0或小于设定阈值k0，则该缺陷为重复性缺陷。本专利技术中，能够提高筛选所得到的光罩引入缺陷信息的准确率，从而降低漏检风险，提升良率。附图说明图1为本专利技术一实施例中重复性缺陷检测方法的流程图；图2为现有技术中重复性缺陷的检测结果；图3为本专利技术中重复性缺陷的检测结果。具体实施方式下面将结合示意图对本专利技术的重复性缺陷的筛选方法进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本专利技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。本专利技术的核心思想在于，提供一种重复性缺陷的筛选方法，包括：获取晶圆的缺陷分布数据；以晶粒为重复单元，计算出缺陷的第一重复性合集及其在晶粒中的坐标；以光罩为重复单元，计算出缺陷的第二重复性合集，并计算第二重复性合集中各缺陷对应于以晶粒为重复单元的坐标；匹配第二重复性合集中各缺陷以晶粒重复单元的坐标与第一重复性合集中各缺陷的坐标，计算坐标相同的缺陷在各自重复性合集中重复的次数，并计算两次数的差值与第二重复性合集中次数的比值k；如果k等于零或小于设定阈值k0，则确认该缺陷为重复性缺陷。本专利技术中，提高筛选所得到的光罩引入缺陷信息的准确率，从而降低漏检风险，提升良率。下文结合附图1～3对本专利技术的重复性缺陷检测方法进行详细说明，图1为形检测方法的流程图，重复性缺陷的筛选方法包括如下步骤：首先，执行步骤S1，输入待分析的缺陷数据，所述缺陷数据包括晶圆(Wafer)各晶粒(Die)对应的缺陷的缺陷编号(ID)、缺陷在晶粒中对应的坐标、晶粒单元尺寸、光罩规格。本专利技术中，通过一缺陷检测设备获取所述晶圆上所有缺陷的位置，通过所述缺陷检测设备将所述缺陷坐标进行存储。具体的，获取晶圆缺陷的位置的步骤包括：通过所述缺陷检测设备对晶圆进行检测，以获取晶圆上每个晶粒的检测数据；将晶圆上的每个晶粒的检测数据与之前相邻的一个晶粒的检测数据进行比较，获得若干第一差异位置；将晶圆上的每个晶粒的检测数据与之后相邻的一个晶粒的检测数据进行比较，获得若干第二差异位置；若晶粒所对应的第一差异位置与其对应的所述第二差异位置相同，则将该第一差异位置或第二差异位置设置为该晶粒上缺陷的位置。执行步骤S2，以晶粒为重复单元，计算出缺陷的第一重复性合集，所述第一重复性合集本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种重复性缺陷的筛选方法，其特征在于，包括：获取晶圆的缺陷分布数据；以晶粒为重复单元，计算出缺陷的第一重复性合集及其在晶粒中的坐标；以光罩为重复单元，计算出缺陷的第二重复性合集，并计算第二重复性合集中各缺陷对应于以晶粒为重复单元的坐标；匹配第二重复性合集中各缺陷以晶粒重复单元的坐标与第一重复性合集中各缺陷的坐标，计算坐标相同的缺陷在各自重复性合集中重复的次数，并计算两次数的差值与第二重复性合集中次数的比值k；如果k等于零或小于设定阈值k0，则确认该缺陷为重复性缺陷。

【技术特征摘要】
1.一种重复性缺陷的筛选方法，其特征在于，包括：获取晶圆的缺陷分布数据；以晶粒为重复单元，计算出缺陷的第一重复性合集及其在晶粒中的坐标；以光罩为重复单元，计算出缺陷的第二重复性合集，并计算第二重复性合集中各缺陷对应于以晶粒为重复单元的坐标；匹配第二重复性合集中各缺陷以晶粒重复单元的坐标与第一重复性合集中各缺陷的坐标，计算坐标相同的缺陷在各自重复性合集中重复的次数，并计算两次数的差值与第二重复性合集中次数的比值k；如果k等于零或小于设定阈值k0，则确认该缺陷为重复性缺陷。2.如权利要求1所述的重复性缺陷的筛选方法，其特征在于，所述第一重复性合集包括缺陷的编号、缺陷在晶粒中的坐标及重复的次数。3.如权利要求1所述的重复性缺陷的筛选方法，其特征在于，所述第二重复性合集包括缺陷的编号、缺陷在光罩中的坐标及重复的次数。4.如权利要求1所述的重复性缺陷的筛选方法，其特征在于，所述缺陷分布数据包括缺陷的编号、缺陷在晶圆中的坐标、晶粒的单元尺寸、光罩的规格。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈超，郭贤权，许向辉，陈昊瑜，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31