一种光检测电路及光检测方法技术

本发明专利技术提供了一种光检测电路及光检测方法，所述电路包括：第一开关组、第二开关组、感光电路、第一开关管、第二开关管、第三开关管以及运放缓冲器；其中，所述第一开关组的第一端连接电源电压，第二端连接感光电路的负极和所述第一开关管的控制端；所述第一开关管的第一导通端连接电源电压，第二导通端连接所述第二开关管的第一导通端、所述第二开关管的控制端和所述第三开关管的控制端；所述第二开关组的第一端连接电源电压，第二端连接所述第三开关管的第一导通端和所述运放缓冲器的输入端。可见，本发明专利技术实施例提供了一种能够对光照进行检测的光检测电路，并且电路结构简单，成本低，检测效果较好。

【技术实现步骤摘要】
一种光检测电路及光检测方法
本专利技术涉及电子
，尤其是涉及一种光检测电路及光检测方法。
技术介绍
随着芯片的应用越来越广泛，用户将很多重要信息放入各种芯片中，例如银行卡芯片、手机SIM卡、社保卡等等，因此芯片的安全问题也愈发重要。目前，芯片存在一定的安全隐患：攻击者为了不破坏芯片的外界封装，借助于先进的半导体测试设备探测芯片的内部连线，从而干扰芯片的正常工作，达到窃取芯片上信息的目的。专利技术人发现，攻击者在借助于半导体测试设备探测芯片的内部连线时，通常会都芯片进行照射，因此通过光检测电路检测有无光照的发生，从而解决上述安全隐患，提高安全性。因此，如何提高一种光检测电路对光照进行检测，是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题在于提供一种光检测电路及光检测方法，已实现对光照进行检测。为此，本专利技术解决技术问题的技术方案是：本专利技术提供了一种光检测电路，包括：第一开关组、第二开关组、感光电路、第一开关管、第二开关管、第三开关管以及运放缓冲器；其中，所述第一开关组包括至少两个串联的开关管，所述第一开关组中各个开关管的控制端连接地，所述第一开关组的第一端连接电源电压，第二端连接感光电路的负极和所述第一开关管的控制端，所述感光电路的正极连接地；所述第一开关管的第一导通端连接电源电压，第二导通端连接所述第二开关管的第一导通端、所述第二开关管的控制端和所述第三开关管的控制端，所述第二开关管的第二导通端连接地；所述第二开关组包括至少两个串联的开关管，所述第二开关组中各个开关管的控制端连接地，所述第二开关组的第一端连接电源电压，第二端连接所述第三开关管的第一导通端和所述运放缓冲器的输入端，所述第三开关管的第二导通端连接地，所述运放缓冲器的输出端为所述光检测电路的输出端。可选的，还包括：第四开关管；其中，所述第四开关管串联在第一开关组的第二端和所述感光电路的正极之间，所述第四开关管的控制端用于输入控制电压，所述控制电压用于控制所述光检测电路的开关状态。可选的，所述第一开关组包括第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管；其中，所述第一PMOS管的源极为所述第一开关组的第一端，所述第一PMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的源极，所述第二PMOS管的漏极连接所述第三PMOS管的源极，所述第三PMOS管的漏极作为所述第一开关组的第二端；所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极连接地。可选的，所述第四开关管包括第四PMOS管；其中，所述第四PMOS管的源极连接所述第一开关组的第二端，所述第四PMOS管的漏极连接所述感光电路的正极，所述第四PMOS管的栅极用于输入所述控制电压。可选的，所述第一开关管包括第五PMOS管，所述第二开关管包括第一NMOS管，所述第三开关管包括所述第二NMOS管；其中，所述第五PMOS管的栅极连接所述第一开关组的第二端，所述第五PMOS管的源极连接电源电压，所述第五PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的栅极和漏极，以及所述第二NMOS管的栅极，所述第一NMOS管的源极连接地，所述第二NMOS管的漏极连接所述第二开关组的第二端，所述第二NMOS管的源极连接地。可选的，所述第二开关组包括第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管和第九PMOS管；其中，所述第六PMOS管的源极为所述第二开关组的第一端，所述第六PMOS管的漏极连接所述第七PMOS管的源极，所述第七PMOS管的漏极连接所述第八PMOS管的源极，所述第八PMOS管的漏极连接所述第九PMOS管的源极，所述第九PMOS管的漏极作为所述第二开关组的第二端；所述第六PMOS管的栅极、所述第七PMOS管的栅极、所述第八PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极连接地。可选的，所述运放缓冲器包括第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第十PMOS管和第十一PMOS管；其中，所述第四NMOS管的栅极为所述运放缓冲器的输入端，所述第四NMOS管的漏极连接第十PMOS管的漏极和栅极，以及所述第十一PMOS管的栅极，所述第十PMOS管的源极和所述第十一PMOS管的源极连接电源电压，所述第十一PMOS管的漏极连接所述第五NMOS管的漏极和栅极，并作为所述运放缓冲器的输出端；所述第四NMOS管的源极和所述第五NMOS管的源极连接所述第三NMOS管的漏极，所述第三NMOS管的栅极连接所述第三开关管的控制端，所述第三NMOS管的源极连接地。可选的，所述感光电路包括至少一个并联的光电二极管。本专利技术还提供了一种芯片电路，包括：芯片，以及上述任一光检测电路。本专利技术还提供了一种光检测方法，用于上述任一光检测电路中；所述方法包括：监测所述光检测电路的输出电压是否小于预设阈值；如果是，则确定出所述光检测电路检测出光照。通过上述技术方案可知，本专利技术实施例的光检测电路包括:第一开关组、第二开关组、感光电路、第一开关管、第二开关管、第三开关管以及运放缓冲器；其中，所述第一开关组包括至少两个串联的开关管，所述第一开关组中各个开关管的控制端连接地，所述第一开关组的第一端连接电源电压，第二端连接感光电路的负极和所述第一开关管的控制端，所述感光电路的正极连接地；所述第一开关管的第一导通端连接电源电压，第二导通端连接所述第二开关管的第一导通端、所述第二开关管的控制端和所述第三开关管的控制端，所述第二开关管的第二导通端连接地；所述第二开关组包括至少两个串联的开关管，所述第二开关组中各个开关管的控制端连接地，所述第二开关组的第一端连接电源电压，第二端连接所述第三开关管的第一导通端和所述运放缓冲器的输入端，所述第三开关管的第二导通端连接地，所述运放缓冲器的输出端为所述光检测电路的输出端。可见，本专利技术实施例提供了一种能够对光照进行检测的光检测电路，并且电路结构简单，成本低，检测效果较好。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为本专利技术实施例提供的光检测电路的一种实施例的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的仿真结果的示意图；图3为本专利技术实施例提供的光检测电路的另一种实施例的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的芯片电路的一种实施例的结构示意图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术中的技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，本专利技术提供了光检测电路的一种实施例的结构示意图。本实施例的光检测电路包括第一开关组101、第二开关组102、感光电路103、第一开关管104、第二开关管105、第三开关管106以及运放缓冲器107。其中，第一开关组101包括至少两个串联的开关管，第一开关组101中各个开关管的控制端连接地agnd，第一开关组101的第一端连接电源电压avdd，第一开关组101的第二端连接感光电路103本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光检测电路，其特征在于，包括：第一开关组、第二开关组、感光电路、第一开关管、第二开关管、第三开关管以及运放缓冲器；其中，所述第一开关组包括至少两个串联的开关管，所述第一开关组中各个开关管的控制端连接地，所述第一开关组的第一端连接电源电压，第二端连接感光电路的负极和所述第一开关管的控制端，所述感光电路的正极连接地；所述第一开关管的第一导通端连接电源电压，第二导通端连接所述第二开关管的第一导通端、所述第二开关管的控制端和所述第三开关管的控制端，所述第二开关管的第二导通端连接地；所述第二开关组包括至少两个串联的开关管，所述第二开关组中各个开关管的控制端连接地，所述第二开关组的第一端连接电源电压，第二端连接所述第三开关管的第一导通端和所述运放缓冲器的输入端，所述第三开关管的第二导通端连接地，所述运放缓冲器的输出端为所述光检测电路的输出端。

【技术特征摘要】
1.一种光检测电路，其特征在于，包括：第一开关组、第二开关组、感光电路、第一开关管、第二开关管、第三开关管以及运放缓冲器；其中，所述第一开关组包括至少两个串联的开关管，所述第一开关组中各个开关管的控制端连接地，所述第一开关组的第一端连接电源电压，第二端连接感光电路的负极和所述第一开关管的控制端，所述感光电路的正极连接地；所述第一开关管的第一导通端连接电源电压，第二导通端连接所述第二开关管的第一导通端、所述第二开关管的控制端和所述第三开关管的控制端，所述第二开关管的第二导通端连接地；所述第二开关组包括至少两个串联的开关管，所述第二开关组中各个开关管的控制端连接地，所述第二开关组的第一端连接电源电压，第二端连接所述第三开关管的第一导通端和所述运放缓冲器的输入端，所述第三开关管的第二导通端连接地，所述运放缓冲器的输出端为所述光检测电路的输出端。2.根据权利要求1所述的光检测电路，其特征在于，还包括：第四开关管；其中，所述第四开关管串联在第一开关组的第二端和所述感光电路的正极之间，所述第四开关管的控制端用于输入控制电压，所述控制电压用于控制所述光检测电路的开关状态。3.根据权利要求1所述的光检测电路，其特征在于，所述第一开关组包括第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管；其中，所述第一PMOS管的源极为所述第一开关组的第一端，所述第一PMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的源极，所述第二PMOS管的漏极连接所述第三PMOS管的源极，所述第三PMOS管的漏极作为所述第一开关组的第二端；所述第一PMOS管的栅极、所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极连接地。4.根据权利要求2所述的光检测电路，其特征在于，所述第四开关管包括第四PMOS管；其中，所述第四PMOS管的源极连接所述第一开关组的第二端，所述第四PMOS管的漏极连接所述感光电路的正极，所述第四PMOS管的栅极用于输入所述控制电压。5.根据权利要求1所述的光检测电路，其特征在于，所述第一开关管包括第五PMOS管，所述第二开关管包括第一NMOS管，所述第三开关管包括所述第二NMOS管；其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：易志中，陈文强，
申请(专利权)人：泰利美信苏州医疗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32