【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种闪存器件，还涉及一种闪存器件的制造方法。
技术介绍
1、闪存存储器(flash memory)是一种可以区块进行抹除(erase)和重新编程(reprogram)的存储装置。闪存存储器包括具有大量存储单元的存储阵列。每个存储单元包括能够留住电荷的浮栅(floating gate)场效晶体管。存储单元通常被分数个区块(block)，通过给浮栅充电，可以随机的对区块内的各存储单元进行电编程。存储单元中的数据取决于浮栅中电荷的存在与否，而通过区块抹除操作可以将电荷从浮栅中去除。
2、业界希望能在一定面积的芯片中集成更多的存储单元，同时希望存储性能也更优。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种具有更小的闪存原胞(flash cell)的闪存器件。
2、一种闪存器件，包括：基底；绝缘结构，位于所述基底上，所述绝缘结构包括分隔部和位于所述分隔部的顶部的顶盖部；浮栅，位于所述基底上，且位于所述分隔部的两侧、所述顶盖部的下方；绝缘侧墙，位于所述浮栅的侧面；所述浮栅位于所述绝缘侧墙与所述绝缘结构之间；字线，部分位于相邻的绝缘结构之间、部分位于所述顶盖部上；所述浮栅位于所述字线和所述绝缘结构之间；位线位于所述字线下方。
3、上述闪存器件，具有新型的闪存原胞结构，位线位于字线下方，不会单独占据晶圆面积，因此原胞面积较小。
4、在其中一个实施例中，所述闪存器件还包括位于所述基底中的源极线，所述源极线位于所述绝缘
5、在其中一个实施例中，所述基底的第一表面还形成有绝缘介质层，所述分隔部、浮栅、绝缘侧墙及字线位于绝缘介质层上。
6、在其中一个实施例中，所述绝缘介质层的材质包括硅氧化物。
7、在其中一个实施例中，所述绝缘侧墙的材质包括硅氧化物。
8、在其中一个实施例中，所述绝缘介质层的材质包括硅氧化物。
9、在其中一个实施例中，所述栅极材料层的材质为多晶硅。
10、在其中一个实施例中，所述字线的材质为多晶硅。
11、在其中一个实施例中，所述绝缘结构是locos结构。
12、还有必要提供一种闪存器件的制造方法。
13、一种闪存器件的制造方法，包括：获取基底，所述基底的第一表面形成有栅极材料层，所述栅极材料层上形成有硬掩膜层；图案化所述硬掩膜层，使所述硬掩膜层形成至少两个相互分离的分立结构；在各所述分立结构侧面形成间隔结构；在相邻的间隔结构之间，下方的所述栅极材料层部分露出；以所述硬掩膜层和间隔结构作为蚀刻的阻挡层，对所述栅极材料层进行各向同性蚀刻，从而在所述栅极材料层的上表面形成凹陷；以所述硬掩膜层和间隔结构作为蚀刻的阻挡层，对所述栅极材料层进行各向异性蚀刻，形成将所述栅极材料层贯穿的蚀刻槽；所述蚀刻槽的顶部与所述凹陷连通；去除所述间隔结构；形成将所述蚀刻槽和凹陷填充的绝缘结构；去除所述硬掩膜层；以所述绝缘结构为蚀刻阻挡层，对所述栅极材料层进行蚀刻，在所述蚀刻槽的两侧形成浮栅；在所述浮栅的侧面形成绝缘侧墙；形成字线。
14、上述闪存器件的制造方法，通过自对准蚀刻形成一种具有新型闪存原胞结构的闪存器件，需要的光刻版数量较少，能够降低制造成本。
15、在其中一个实施例中，所述形成字线的步骤包括：在所述基底的第一表面淀积字线材料；光刻并蚀刻所述字线材料，从而将所述字线材料覆盖的绝缘结构部分露出，形成部分位于所述绝缘结构上、部分位于相邻的绝缘结构之间的所述字线；所述浮栅位于所述字线和所述绝缘结构之间。
16、在其中一个实施例中，所述形成将所述蚀刻槽和凹陷填充的绝缘结构的步骤包括：在所述蚀刻槽和凹陷中形成硅局部氧化结构。
17、在其中一个实施例中，所述在各所述分立结构侧面形成间隔结构的步骤包括：在所述栅极材料层及硬掩膜层上沉积硅氧化物；对所述硅氧化物进行蚀刻，去除所述硬掩膜层上的所述硅氧化物，以及所述栅极材料层上的部分所述硅氧化物，从而将所述栅极材料层部分露出。
18、在其中一个实施例中，所述绝缘侧墙的材质包括硅氧化物。
19、在其中一个实施例中，所述绝缘介质层的材质包括硅氧化物。
20、在其中一个实施例中，所述栅极材料层的材质为多晶硅。
21、在其中一个实施例中，所述字线的材质为多晶硅。
22、在其中一个实施例中，还包括在所述基底中形成位于所述字线下方的位线的步骤。
23、在其中一个实施例中，还包括在所述基底中形成位于所述绝缘结构下方的源极线的步骤。
24、在其中一个实施例中，在所述获取基底的步骤中，所述基底的第一表面还形成有绝缘介质层，所述栅极材料层形成于所述绝缘介质层上。
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1.一种闪存器件的制造方法，包括：
2.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述形成字线的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述形成将所述蚀刻槽和凹陷填充的绝缘结构的步骤包括：在所述蚀刻槽和凹陷中形成硅局部氧化结构。
4.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述在各所述分立结构侧面形成间隔结构的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，还包括在所述基底中形成位于所述字线下方的位线的步骤。
6.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，还包括在所述基底中形成位于所述绝缘结构下方的源极线的步骤。
7.一种闪存器件，其特征在于，包括：
8.跟权利要求7所述的闪存器件，其特征在于，所述绝缘侧墙的材质包括硅氧化物。
9.跟权利要求7所述的闪存器件，其特征在于，所述基底的第一表面还形成有绝缘介质层，所述分隔部、浮栅、绝缘侧墙及字线位于绝缘介质层上。
10.跟权利要求7所述的闪存器件，其
...【技术特征摘要】
1.一种闪存器件的制造方法，包括：
2.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述形成字线的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述形成将所述蚀刻槽和凹陷填充的绝缘结构的步骤包括：在所述蚀刻槽和凹陷中形成硅局部氧化结构。
4.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述在各所述分立结构侧面形成间隔结构的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，还包括在所述基底中形成位于所述字线下方的位线的步骤。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：朱文明，黄仁瑞，张文文，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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