一种承载翘曲晶圆的装置及其承载方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体行业冷板单元晶圆承载装置，具体地说是一种承载翘曲晶圆的装置及其承载方法，装置包括气缸、连接臂、吸盘、顶针、缓冲器及缓冲器安装板，连接臂的一端与气缸的输出端相连，由气缸驱动升降，连接臂的另一端连接有缓冲器安装板；缓冲器安装板上设有至少三个缓冲器，每个缓冲器上均安装有内部开有通孔的顶针，各顶针的顶端分别连接有吸附翘曲晶圆的吸盘；缓冲器安装板上安装有真空接入口，真空接入口通过缓冲器安装板内开设的真空流路与各缓冲器相连通，并通过各顶针上的通孔与各吸盘相连通；各吸盘通过缓冲器始终与翘曲晶圆接触，并通过真空接入口接入的真空吸附翘曲晶圆。本发明专利技术对翘曲晶圆起到吸附抓取作用，翘曲晶圆不易滑片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体行业冷板单元晶圆承载装置，具体地说是一种承载翘曲晶圆的装置及其承载方法。
技术介绍
翘曲晶圆因其自身存在变形量，传统的冷板单元承载翘曲晶圆的方式不能保证三个顶针都与晶圆接触；这样，在晶圆随着顶针升降过程中，晶圆就很容易滑片。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种承载翘曲晶圆的装置及其承载方法。该承载翘曲晶圆的装置能够稳定承载翘曲晶圆，解决了传统冷板单元承载翘曲晶圆，在顶针升降过程中容易滑片的问题。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：本专利技术承载翘曲晶圆的装置包括气缸、连接臂、吸盘、顶针、缓冲器及缓冲器安装板，其中连接臂的一端与所述气缸的输出端相连，由该气缸驱动升降，所述连接臂的另一端连接有缓冲器安装板；所述缓冲器安装板上设有至少三个缓冲器，每个缓冲器上均安装有内部开有通孔的顶针，各顶针的顶端分别连接有吸附翘曲晶圆的所述吸盘；所述缓冲器安装板上安装有真空接入口，该真空接入口通过缓冲器安装板内开设的真空流路与各所述缓冲器相连通，并通过各所述顶针上的通孔与各所述吸盘相连通；各所述顶针上的吸盘通过所述缓冲器始终与所述翘曲晶圆接触，并通过所述真空接入口接入的真空吸附翘曲晶圆。其中：所述缓冲器安装板上开有多个调平顶丝安装孔，每个调平顶丝安装孔均安装有调平顶丝，各所述顶针上的吸盘通过该调平顶丝的调整保持同一高度；所述缓冲器安装板上开设有数量与缓冲器相同的连接孔，各所述连接孔之间通过所述真空流路相连通；每个所述连接孔均安装有所述缓冲器，各所述缓冲器与真空流路相连通；所述缓冲器为三个，呈三角形布置。本专利技术承载翘曲晶圆的装置的承载方法为：制冷工艺开始时，所述气缸通过连接臂、缓冲器安装板带动缓冲器、顶针及吸盘升起，所述翘曲晶圆被传送到各所述吸盘的上方后，在该翘曲晶圆重力的作用下落到各个吸盘上，各所述吸盘在缓冲器的作用下分别与翘曲晶圆接触，外部真空由所述真空接入口接入，依次通过所述真空流路、缓冲器、顶针的内部通孔为各所述吸盘提供真空，使各所述吸盘吸附翘曲晶圆，所述气缸通过连接臂、缓冲器安装板带动缓冲器、顶针、吸盘及翘曲晶圆下降，制冷工艺制程继续；其中：所述缓冲器安装板上安装有多个调平顶丝，在所述翘曲晶圆被传送到各所述吸盘的上方前，通过各所述调平顶丝先将各所述吸盘调整至同一高度；各所述吸盘与翘曲晶圆1接触点在一个高度上，则各所述缓冲器在翘曲晶圆重力的作用下有个缓冲后就能承载翘曲晶圆，各所述吸盘仍处在一个高度上；各所述吸盘与翘曲晶圆接触点不在一个平面上，则各所述吸盘在缓冲器的作用下仍能与翘曲晶圆接触。本专利技术的优点与积极效果为：1.本专利技术承载翘曲晶圆的装置结构简单、反应迅速、安装方便，缓冲器的行程可以根据翘曲晶圆的变形量进行选择；利用缓冲器自带内部流路的特点，在缓冲器安装板上加工内部真空流路并引入真空，用吸盘吸附翘曲晶圆，晶圆在工艺制程随顶针升降过程中能更安全地被承载。2.本专利技术的缓冲器安装板上设置了调平顶丝，可通过调整该调平顶丝使各吸盘保持同一高度，然后再与连接臂固接。3.本专利技术的承载方法简单实用，翘曲晶圆被承载的效果稳固。附图说明图1为本专利技术的立体结构示意图；图2为本专利技术的结构主视图；图3为图2中的A—A剖视图；图4为本专利技术缓冲器安装板的剖视图；图5为本专利技术承载翘曲晶圆的工作状态图；图6为图5的俯视图；其中：1为翘曲晶圆，2为气缸，3为连接臂，4为吸盘，5为顶针，6为缓冲器，7为缓冲器安装板，8为调平顶丝安装孔，9为真空接入口，10为真空流路，11为连接孔，12为通孔。具体实施方式下面结合附图对本专利技术作进一步详述。如图1～4所示，本专利技术承载翘曲晶圆的装置包括气缸2、连接臂3、吸盘4、顶针5、缓冲器6及缓冲器安装板7，其中连接臂3的一端与气缸2的输出端相连，由该气缸2驱动升降，连接臂3的另一端下方连接有缓冲器安装板7。缓冲器安装板7上设有至少三个缓冲器6，每个缓冲器6上均安装有内部开有通孔12的顶针5，各顶针5的顶端分别连接有吸盘4。本实施例的缓冲器6为三个，呈三角形布置在缓冲器安装板7上；本实施例的缓冲器安装板7为方形，在缓冲器安装板7上开设有与缓冲器6数量相同(即三个)连接孔11，每个连接孔11内均安装一个缓冲器6。缓冲器安装板7上安装有真空接入口9，本实施例是在方形的缓冲器安装板7任意相对的两侧各安装了一个真空接入口9；缓冲器安装板7的内部开设有真空流路10，本实施例的真空流路10呈方形，分别与三个连接孔11相连通，并连通于连接孔11内的缓冲器6。三个缓冲器6上各安装了一个顶针5，每个顶针5内沿长度方向开设有通孔12；每个顶针5的顶端各安装一个吸盘4，真空接入口9接入的外部真空通过缓冲器安装板7内开设的真空流路10与各缓冲器6相连通，并通过各顶针5上的通孔12与各吸盘4相连通。各顶针5上的吸盘4通过缓冲器6始终与翘曲晶圆1接触，并通过真空接入口9接入的真空吸附翘曲晶圆1。在缓冲器安装板7上开有多个调平顶丝安装孔8(本实施例为三个)，每个调平顶丝安装孔8均安装有调平顶丝，各调平顶丝安装孔8位于连接孔11之间，各顶针5上的吸盘4通过该调平顶丝的调整保持同一高度；调整后，再将缓冲器安装板7与连接臂3之间连接的螺丝拧紧固定。本专利技术的缓冲器6为市购产品，购置于日本CKD公司，型号为PBU2-12D-HV-05-2-TB-H5。本专利技术承载翘曲晶圆的装置的承载方法为：如图5、图6所示，以缓冲器6、顶针5及吸盘4均为三个为例，制冷工艺开始时，气缸2通过连接臂3、缓冲器安装板7带动缓冲器6、顶针5及吸盘4升起，翘曲晶圆1被传送到各吸盘4的上方后，如果翘曲晶圆1上与三个吸盘4接触的A、B、C三点在同一个高度上，则三个缓冲器6在翘曲晶圆1重力的作用下有个缓冲后就能承载翘曲晶圆1，三个吸盘4仍在一个高度上；如果A、B、C三点不在一个平面上，则三个吸盘4在缓冲器6的作用下仍能与A、B、C三点接触。外部真空由真空接入口9接入，依次通过真空流路10、缓冲器6、顶针5的内部通孔12为三个吸盘4提供真空，使三个吸盘4吸附翘曲晶圆1，气缸2通过连接臂3、缓冲器安装板7带动缓冲器6、顶针5、吸盘4及翘曲晶圆1下降，制冷工艺制程继续。在翘曲晶圆1被传送到各吸盘4的上方前，通过各调平顶丝先将各吸盘4调整至同一高度。本专利技术承载翘曲晶圆1的装置，利用缓冲器6自身带缓冲作用，使翘曲晶圆1能随着自身的形变与三个吸盘4都接触，翘曲晶圆1在工艺制程升降过程中可以被稳固地承载。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种承载翘曲晶圆的装置，其特征在于：包括气缸(2)、连接臂(3)、吸盘(4)、顶针(5)、缓冲器(6)及缓冲器安装板(7)，其中连接臂(3)的一端与所述气缸(2)的输出端相连，由该气缸(2)驱动升降，所述连接臂(3)的另一端连接有缓冲器安装板(7)；所述缓冲器安装板(7)上设有至少三个缓冲器(6)，每个缓冲器(6)上均安装有内部开有通孔(12)的顶针(5)，各顶针(5)的顶端分别连接有吸附翘曲晶圆(1)的所述吸盘(4)；所述缓冲器安装板(7)上安装有真空接入口(9)，该真空接入口(9)通过缓冲器安装板(7)内开设的真空流路(10)与各所述缓冲器(6)相连通，并通过各所述顶针(5)上的通孔(12)与各所述吸盘(4)相连通；各所述顶针(5)上的吸盘(4)通过所述缓冲器(6)始终与所述翘曲晶圆(1)接触，并通过所述真空接入口(9)接入的真空吸附翘曲晶圆(1)。

【技术特征摘要】
1.一种承载翘曲晶圆的装置，其特征在于：包括气缸(2)、连接臂(3)、吸盘(4)、顶针(5)、缓冲器(6)及缓冲器安装板(7)，其中连接臂(3)的一端与所述气缸(2)的输出端相连，由该气缸(2)驱动升降，所述连接臂(3)的另一端连接有缓冲器安装板(7)；所述缓冲器安装板(7)上设有至少三个缓冲器(6)，每个缓冲器(6)上均安装有内部开有通孔(12)的顶针(5)，各顶针(5)的顶端分别连接有吸附翘曲晶圆(1)的所述吸盘(4)；所述缓冲器安装板(7)上安装有真空接入口(9)，该真空接入口(9)通过缓冲器安装板(7)内开设的真空流路(10)与各所述缓冲器(6)相连通，并通过各所述顶针(5)上的通孔(12)与各所述吸盘(4)相连通；各所述顶针(5)上的吸盘(4)通过所述缓冲器(6)始终与所述翘曲晶圆(1)接触，并通过所述真空接入口(9)接入的真空吸附翘曲晶圆(1)。2.按权利要求1所述承载翘曲晶圆的装置，其特征在于：所述缓冲器安装板(7)上开有多个调平顶丝安装孔(8)，每个调平顶丝安装孔(8)均安装有调平顶丝，各所述顶针(5)上的吸盘(4)通过该调平顶丝的调整保持同一高度。3.按权利要求1或2所述承载翘曲晶圆的装置，其特征在于：所述缓冲器安装板(7)上开设有数量与缓冲器(6)相同的连接孔(11)，各所述连接孔(11)之间通过所述真空流路(10)相连通；每个所述连接孔(11)均安装有所述缓冲器(6)，各所述缓冲器(6)与真空流路(10)相连通。4.按权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓飞，魏猛，
申请(专利权)人：沈阳芯源微电子设备有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21