具有接触层的发光二极管制造技术

本实用新型专利技术提供一种具有接触层的发光二极管，所述发光二极管包括：下部n型半导体层；上部n型半导体层，布置于下部n型半导体层上部；p型半导体层，夹设于下部n型半导体层与上部n型半导体层之间；活性层，夹设于下部n型半导体层与p型半导体层之间；高浓度p型半导体层，夹设于p型半导体层与上部n型半导体层之间，并以比p型半导体层高的浓度掺杂；高浓度n型半导体层，夹设于高浓度p型半导体层与上部n型半导体层之间，并以比上部n型半导体层高的浓度掺杂；第一接触层，与下部n型半导体层接触；第二接触层，与上部n型半导体层接触，第一接触层和第二接触层包括与下部n型半导体层和上部n型半导体层接触的相同物质层。

Light emitting diode with contact layer

The utility model provides a light emitting diode has a contact layer, the light emitting diode includes the lower part of the N type semiconductor layer; the upper part of the N type semiconductor layer, is arranged on the lower part of N type semiconductor layer; P type semiconductor layer is clamped between the lower part of the N type semiconductor layer and the upper part of the N type semiconductor layer; an active layer. The lower part is clamped n type semiconductor layer and P type semiconductor layer; high concentration P type semiconductor layer is clamped between the upper layer and the P type semiconductor N type semiconductor layer, and the ratio of doped P type semiconductor layer; high concentration n type semiconductor layer is clamped between the high concentration of the P type semiconductor layer and the upper n type semiconductor layer, and the doping concentration than the upper n type semiconductor layer; the first contact and the lower contact layer, N type semiconductor layer; second contact layer in contact with the upper part of the n type semiconductor layer, the first layer and the second contact The contact layer includes the same material layer that is in contact with the lower N type semiconductor layer and the upper n type semiconductor layer.

【技术实现步骤摘要】
具有接触层的发光二极管
本技术涉及一种发光二极管，尤其涉及一种可通过简单的工艺而形成接触层的发光二极管。
技术介绍
通常，如氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)等的III族元素的氮化物的热稳定性优秀且具有直接迁移型的能带(band)结构，因此近来作为可见光及紫外线区域的光源用物质而受到较多的关注。尤其，利用氮化铟镓(InGaN)的蓝色及绿色发光二极管被应用于大规模天然色平板显示装置、信号灯、室内照明、高密度光源、高分辨率输出系统及光通信等多样的应用领域。发光二极管包括n型半导体层、p型半导体层及夹设于其间的活性层。为了注入电子和空穴，在n型半导体层和p型半导体层金属接触层。但是，欧姆接触于n型半导体层和p型半导体层的物质层互不相同，因此利用专门的工艺分别形成接触层。因此，发光二极管的制造工艺变得复杂，进而，发光二极管的芯片结构也变得复杂。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于提供一种可通过更加简单的工艺形成接触层的发光二极管及其制造方法。本技术所要解决的另一技术问题在于提供一种可靠性优秀的发光二极管及其制造方法。根据本技术的实施例，提供如下的发光二极管，包括：下部n型半导体层；上部n型半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，其特征在于，包括：下部n型半导体层；上部n型半导体层，布置于所述下部n型半导体层上部；p型半导体层，夹设于所述下部n型半导体层与上部n型半导体层之间；活性层，夹设于所述下部n型半导体层与所述p型半导体层之间；高浓度p型半导体层，夹设于所述p型半导体层与所述上部n型半导体层之间，并以比所述p型半导体层高的浓度掺杂；高浓度n型半导体层，夹设于所述高浓度p型半导体层与所述上部n型半导体层之间，并以比所述上部n型半导体层高的浓度掺杂；第一接触层，与所述下部n型半导体层接触；以及第二接触层，与所述上部n型半导体层接触，其中，所述第一接触层和第二接触层包括与所述下部n型半导体层和上部n型半...

【技术特征摘要】
2016.07.04 KR 10-2016-00840231.一种发光二极管，其特征在于，包括：下部n型半导体层；上部n型半导体层，布置于所述下部n型半导体层上部；p型半导体层，夹设于所述下部n型半导体层与上部n型半导体层之间；活性层，夹设于所述下部n型半导体层与所述p型半导体层之间；高浓度p型半导体层，夹设于所述p型半导体层与所述上部n型半导体层之间，并以比所述p型半导体层高的浓度掺杂；高浓度n型半导体层，夹设于所述高浓度p型半导体层与所述上部n型半导体层之间，并以比所述上部n型半导体层高的浓度掺杂；第一接触层，与所述下部n型半导体层接触；以及第二接触层，与所述上部n型半导体层接触，其中，所述第一接触层和第二接触层包括与所述下部n型半导体层和上部n型半导体层接触的相同物质层。2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述相同物质层为Al层。3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述p型半导体层包括电子阻挡层。4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，在所述高浓度p型半导体层与所述高浓度n型半导体层之间的界面夹设有氧。5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：绝缘层，覆盖所述上部n型半导体层、所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李熙燮，崔承奎，金材宪，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国,KR