发光二极管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管及其制作方法，所述发光二极管包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其上表面设有第一电极区，其包含焊盘区和扩展区；透明导电层，形成于所述发光外延层的第一半导体层的表面之上，并在所述焊盘区形成第一开口，露出位于所述焊盘区的第一半导体层表面；保护层，形成于所述透明导电层的表面上，在所述第一电极区的焊盘区和扩展区分别形成第二开口和第三开口，露出位于所述焊盘区的第一半导体层表面及位于所述扩展区的透明导电层表面；第一电极，形成于所述保护层上，并通过所述第一、第二开口，直接与所述焊盘区的第一半导体层接触。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及其制作方法
本专利技术涉及半导体元件，尤其是涉及一种发光二极管及其制作方法。
技术介绍
由于发光二极管具有寿命长、体积小、高耐震性、发热度小以及耗电量低等优点，发光二极管已被广泛地应用于家电产品以及各式仪器之指示灯或光源。早期的氮化镓LED芯片制作工艺通常由台面蚀刻(MESA)、制作透明导电层（例如ITO）、制作电极和制作保护层四道工艺组成，其形成的发光二极管芯片如图1所示，其一般包括衬底101、N型层111、发光层112、P型层113、透明导电层120、P电极141(焊盘143和扩展条144)、N电极142和保护层130。在氮化镓LED中，p-GaN由于其载流子迁移率较低，通常会在PAD底部造成一定的电流拥堵。因此，现在通常会在P型电极的底部增加电流阻挡层150，用于抑制电流的过注入，增加透明导电层的电流扩散，如图2所示。该芯片制作工艺通常至少包括台面蚀刻(MESA)、制作电流阻挡层、制作电流扩展层（例如ITO）、制作电极和制作保护层五道工艺。
技术实现思路
本专利技术提供了一种发光二极管及其制作方法，其在形成透明导电层后先制作保护层，最后再制作电极，该保护层可同时作为电流本文档来自技高网...

【技术保护点】
发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其上表面设有第一电极区，其包含焊盘区和扩展区；透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上，并在所述焊盘区形成第一开口，露出位于所述焊盘区的第一半导体层表面；保护层，形成于所述透明导电层的表面上，在所述第一电极区的焊盘区和扩展区分别形成第二开口和第三开口，露出位于所述焊盘区的第一半导体层表面及位于所述扩展区的透明导电层表面；第一电极，形成于所述保护层上，并通过所述第一、第二开口，直接与所述焊盘区的第一半导体层接触。

【技术特征摘要】
1.发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其上表面设有第一电极区，其包含焊盘区和扩展区；透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上，并在所述焊盘区形成第一开口，露出位于所述焊盘区的第一半导体层表面；保护层，形成于所述透明导电层的表面上，在所述第一电极区的焊盘区和扩展区分别形成第二开口和第三开口，露出位于所述焊盘区的第一半导体层表面及位于所述扩展区的透明导电层表面；第一电极，形成于所述保护层上，并通过所述第一、第二开口，直接与所述焊盘区的第一半导体层接触。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光外延层的上表面还设有第二电极区，所述第二电极区形成台面，露出所述第二半导体层的部分表面，所述保护层同时覆盖所述台面的表面并形成第四开口结构。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：还包括第二电极，其形成于所述保护层上，包含焊盘和扩展条，所述扩展条的部分上表面高于所述第一电极在焊盘区的上表面。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二开口的尺寸大于所述第一开口的尺寸，所述第一电极在所述焊盘区同时与所述第一半导体层和透明导电层接触。5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述第二开口为环状结构，所述环状的内圈直径小于所述第一开口的直径，外圈直径大于所述第一开口的直径。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极在所述扩展区的上表面呈高、低起伏状。7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述保护层在所述焊盘区的周围形成若干个第五开口，露出所述透明导电层，所述第一电极在焊盘区引出若干金属触角至所述第五开口，与所述透明导电层接触。8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二开口呈环状，至少含有一个向远离所述焊盘区方向延伸的触角，所述第一电极通过所述触角与所述透明导电层接触。9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述保护层的厚度d为λ/4n...

【专利技术属性】
技术研发人员：林素慧，洪灵愿，许圣贤，陈思河，陈大钟，陈功，张家宏，彭康伟，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35