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具有接触层的发光二极管制造技术
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文档序号:17434463
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本实用新型提供一种具有接触层的发光二极管,所述发光二极管包括:下部n型半导体层;上部n型半导体层,布置于下部n型半导体层上部;p型半导体层,夹设于下部n型半导体层与上部n型半导体层之间;活性层,夹设于下部n型半导体层与p型半导体层之间;高浓...
该专利属于首尔伟傲世有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过首尔伟傲世有限公司授权不得商用。
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