发光二极管制造技术

本发明专利技术涉及一种发光二极管可以包括：发光结构体，所述发光结构体包括多个台面，所述多个台面包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层，所述第一导电型半导体层包括暴露于所述多个台面之间的暴露区域；第一电极，电连接于所述第一导电型半导体层；电流阻断层，位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；透明电极层，局部地覆盖所述第二导电型半导体层及所述电流阻断层，且位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；以及第二电极，位于所述电流阻断层及所述透明电极层上，电连接于所述第二导电型半导体层，所述电流阻断层包括：至少一个的连接部，从所述多个台面中的一个台面延伸至邻接于所述一个台面的另一个台面；以及凸出部，从所述连接部凸出，且位于所述暴露区域上。

light-emitting diode

The invention relates to a light emitting diode can include a light emitting structure, the light emitting structure comprises a plurality of mesa, the plurality of surface includes a first conductive type semiconductor layer, an active layer and a second conductive type semiconductor layer, the first conductive type semiconductor layer including the exposed area between exposure to the plurality of table; the first electrode is electrically connected to the first conductive type semiconductor layer; current blocking layer, a part is provided with a plurality of mesa and the exposed part of the region; the transparent electrode layer, partially covers the second conductive type semiconductor layer and the current blocking layer, and a part in a portion of the plurality of the table and the exposed region; and a second electrode is positioned on the current blocking layer and the transparent electrode layer, electrically connected to the second conductive type half The current blocking layer includes: at least one connecting part extends from one surface of the plurality of mesas to the other side table adjacent to the one surface, and the protruding part protrudes from the connecting part and is positioned on the exposed area.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光二极管
本专利技术涉及一种发光二极管，尤其涉及一种电流分散效率良好，且提高了机械可靠性的发光二极管。
技术介绍
发光二极管(LED)是将电能转换为光的固态元件。发光二极管被广泛地利用在用于背光等的各种光源、照明、信号机、大型显示器等。随着照明用LED市场的扩大且其应用范围扩大至高电流、高功率领域，为了高电流驱动时的稳定驱动，需要改善发光二极管的特性。其中，尤其需要一种能够改善衰减(droop)现象的发光二极管，所述衰减现象是指当发光二极管在高电流下被驱动时LED的效率(lm/W)急剧下降的现象。
技术实现思路
技术问题本专利技术要解决的问题是提供一种在高电流驱动下稳定的发光二极管。并且，提供一种提高了电流分散效率及可靠性的发光二极管。技术手段根据本专利技术的一实施例的发光二极管可以包括：发光结构体，所述发光结构体包括多个台面，所述多个台面包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及活性层，所述第二导电型半导体层位于所述第一导电型半导体层上，所述活性层位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间，其中，所述第一导电型半导体层包括暴露于所述多个台面之间的暴露区域；第一电极，位于所述第一导电型半导体层上，且电连接于所述第一导电型半导体层；电流阻断层，位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；透明电极层，局部地覆盖所述第二导电型半导体层及所述电流阻断层，且位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；以及第二电极，位于所述电流阻断层及所述透明电极层上，电连接于所述第二导电型半导体层，而且所述电流阻断层包括：至少一个的连接部，从所述多个台面中的一个台面延伸至邻接于所述一个台面的另一个台面；以及凸出部，从所述连接部凸出，且位于所述暴露区域上。所述第一导电型半导体层可以包括：第一侧面，邻接于所述连接部；第二侧面，位于与所述第一侧面相反的方向；以及第三侧面，位于所述第一侧面及所述第二侧面之间，且与所述第一侧面及所述第二侧面分别交叉，其中，所述凸出部朝向所述第一侧面或所述第二侧面凸出。所述多个台面可以包括多个第二台面以及位于所述第二台面之间的第一台面，且所述第二电极包括位于所述第一台面上且位于多个邻接的所述连接部之间的第二键合焊盘，所述第一电极包括位于所述第一台面与所述第二台面之间的第一键合焊盘，所述发光二极管以横穿所述第一键合焊盘及所述第二键合焊盘的虚拟的线为轴而具有对称结构。所述第二电极可以包括从所述第二键合焊盘延伸的至少一个上部延伸部，且所述上部延伸部包括：第一上部延伸部，与第二键合焊盘相接，且位于至少一个所述连接部上；以及第二上部延伸部，与所述第三侧面平行。所述第一上部延伸部与所述第一侧面之间的最短距离可以小于所述第二键合焊盘的中心部与所述第一侧面之间的最短距离。所述第二上部延伸部的末端与所述第一侧面之间的距离可以大于所述第二上部延伸部的末端与所述第二侧面之间的距离。所述第二上部延伸部可以包括第二部，所述第二部位于所述第二台面上且与所述第三侧面平行。所述第二上部延伸部还可以包括第一部，所述第一部位于所述第一台面上，且与所述第二键合焊盘相接，且位于所述第一键合焊盘与所述第二键合焊盘之间，所述第二部的长度大于所述第一部的长度。所述第二部的宽度可以大于所述第一部的宽度。所述第一电极可以包括与所述第一键合焊盘连接的下部延伸部，所述下部延伸部的末端与所述第二侧面之间的距离大于所述下部延伸部的末端与所述第一侧面之间的距离。所述下部延伸部可以包括第一下部延伸部，所述第一下部延伸部位于所述暴露区域上。所述下部延伸部可以包括第二下部延伸部，所述第二下部延伸部位于所述第一键合焊盘与所述第二键合焊盘之间。所述第二台面的一部分可以位于所述第一台面与所述第一侧面之间。所述第二部的末端可以朝向横穿所述第一键合焊盘及所述第二键合焊盘的虚拟的线。所述多个台面可以包括多个第三台面，所述多个第三台面位于所述第二台面与所述第三侧面之间，所述第一台面位于所述多个第三台面之间，所述第二上部延伸部还包括第三部，所述第三部位于所述第三台面上，且与所述第三侧面平行。所述第三部的长度可以大于所述第二部的长度。据此，能够减小所述第二上部延伸部与所述第一键合焊盘之间的最短距离的偏差。所述第三部的宽度可以大于所述第二部的宽度。所述第二部的一部分可以位于所述第一台面及所述暴露区域中的所述第一台面与所述第二台面之间的区域上。所述凸出部可以包括第一凸出部，且所述第一凸出部的末端与所述第二侧面之间的距离小于所述第一凸出部的末端与所述第一侧面之间的距离，且所述第二部位于所述第一凸出部上。所述多个台面的大小可以相同。根据本专利技术的又一实施例的发光二极管可以包括：发光结构体，所述发光结构体包括多个台面，所述多个台面包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及活性层，所述第二导电型半导体层位于所述第一导电型半导体层上，所述活性层位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间，其中，所述第一导电型半导体层包括暴露于所述多个台面之间的暴露区域；第一电极，位于所述第一导电型半导体层上，且电连接于所述第一导电型半导体层；电流阻断层，位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；透明电极层，局部地覆盖所述第二导电型半导体层及所述电流阻断层，且位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；以及第二电极，位于所述电流阻断层及所述透明电极层上，电连接于所述第二导电型半导体层，且所述电流阻断层包括至少一个连接部，所述至少一个连接部从所述多个台面中的一个台面延伸到与所述一个台面邻接的另一个台面，所述多个台面包括相邻的第一台面及第二台面，所述连接部包括位于所述第一台面和所述第二台面上的第一连接部，且所述第一连接部包括：第一开口部，使所述第一台面的上表面暴露；以及第二开口部，使所述第二台面的上表面暴露，所述第一开口部及所述第二开口部分别包括至少一个凹陷部。所述第二电极可以包括位于所述第一连接部上的第二键合焊盘，所述第一电极包括位于所述第一台面与所述第二台面之间的第一键合焊盘，所述第一开口部及所述第二开口部以横穿所述第一键合焊盘及所述第二键合焊盘的虚拟的线为轴而具有对称结构。所述第一开口部的凹陷部与所述第二开口部的凹陷部可以分别与所述第一连接部的外廓并排。所述第一开口部及所述第二开口部可以分别包括至少一个凸部，且所述凸部与所述第一连接部的外廓并排。所述第二键合焊盘可以通过所述一开口部及所述第二开口部而与所述第二导电型半导体层相接。所述第二键合焊盘可以是圆形。根据本专利技术的又一实施例的发光二极管可以包括：发光结构体，所述发光结构体包括多个台面，所述多个台面包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及活性层，所述第二导电型半导体层位于所述第一导电型半导体层上，所述活性层位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间，其中，所述第一导电型半导体层包括暴露于所述多个台面之间的暴露区域；第一电极，位于所述第一导电型半导体层上，且电连接于所述第一导电型半导体层；透明电极层，位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；电流阻断层，位于所述透明电极层与所述第二导电型半导体层之间及所述透明电极层与所述暴露区域之间；以及第二电极，位于所述电流阻断层上，局部地覆盖本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，其中，包括：发光结构体，所述发光结构体包括多个台面，所述多个台面包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及活性层，所述第二导电型半导体层位于所述第一导电型半导体层上，所述活性层位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间，其中，所述第一导电型半导体层包括暴露于所述多个台面之间的暴露区域；第一电极，位于所述第一导电型半导体层上，且电连接于所述第一导电型半导体层；电流阻断层，位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；透明电极层，局部地覆盖所述第二导电型半导体层及所述电流阻断层，且位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；以及第二电极，位于所述电流阻断层及所述透明电极层上，电连接于所述第二导电型半导体层，所述电流阻断层包括：至少一个的连接部，从所述多个台面中的一个台面延伸至邻接于所述一个台面的另一个台面；以及凸出部，从所述连接部凸出，且位于所述暴露区域上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.05 KR 10-2015-00801481.一种发光二极管，其中，包括：发光结构体，所述发光结构体包括多个台面，所述多个台面包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及活性层，所述第二导电型半导体层位于所述第一导电型半导体层上，所述活性层位于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间，其中，所述第一导电型半导体层包括暴露于所述多个台面之间的暴露区域；第一电极，位于所述第一导电型半导体层上，且电连接于所述第一导电型半导体层；电流阻断层，位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；透明电极层，局部地覆盖所述第二导电型半导体层及所述电流阻断层，且位于所述多个台面的一部分以及所述暴露区域的一部分上；以及第二电极，位于所述电流阻断层及所述透明电极层上，电连接于所述第二导电型半导体层，所述电流阻断层包括：至少一个的连接部，从所述多个台面中的一个台面延伸至邻接于所述一个台面的另一个台面；以及凸出部，从所述连接部凸出，且位于所述暴露区域上。2.如权利要求1所述的发光二极管，其中，所述第一导电型半导体层包括：第一侧面，邻接于所述连接部；第二侧面，位于与所述第一侧面相反的方向；以及第三侧面，位于所述第一侧面及所述第二侧面之间，且与所述第一侧面及所述第二侧面分别交叉，其中，所述凸出部朝向所述第一侧面或所述第二侧面凸出。3.如权利要求2所述的发光二极管，其中，所述多个台面包括多个第二台面以及位于所述第二台面之间的第一台面，所述第二电极包括位于所述第一台面上且位于多个邻接的所述连接部之间的第二键合焊盘，所述第一电极包括位于所述第一台面与所述第二台面之间的第一键合焊盘，所述发光二极管以横穿所述第一键合焊盘及所述第二键合焊盘的虚拟的线为轴而具有对称结构。4.如权利要求3所述的发光二极管，其中，所述第二电极包括从所述第二键合焊盘延伸的至少一个上部延伸部，所述上部延伸部包括：第一上部延伸部，与第二键合焊盘相接，且位于至少一个所述连接部上；以及第二上部延伸部，与所述第三侧面平行。5.如权利要求4所述的发光二极管，其中，所述第一上部延伸部与所述第一侧面之间的最短距离小于所述第二键合焊盘的中心部与所述第一侧面之间的最短距离。6.如权利要求4所述的发光二极管，其中，所述第二上部延伸部的末端与所述第一侧面之间的距离大于所述第二上部延伸部的末端与所述第二侧面之间的距离。7.如权利要求6所述的发光二极管，其中，所述第二上部延伸部包括第二部，所述第二部位于所述第二台面上且与所述第三侧面平行。8.如权利要求7所述的发光二极管，其中，所述第二上部延伸部还包括第一部，所述第一部位于所述第一台面上，且与所述第二键合焊盘相接，且位于所述第一键合焊盘与所述第二键合焊盘之间，所述第二部的长度大于所述第一部的长度。9.如权利要求8所述的发光二极管，其中，所述第二部的宽度大于所述第一部的宽度。10.如权利要求4所述的发光二极管，其中，所述第一电极包括与所述第一键合焊盘连接的下部延伸部，所述下部延伸部的末端与所述第二侧面之间的距离大于所述下部延伸部的末端与所述第一侧面之间的距离。11.如权利要求10所述的发光二极管，其中，所述下部延伸部包括第一下部延伸部，所述第一下部延伸部位于所述暴露区域上。12.如权利要求11所述的发光二极管，其中，所述下部延伸部包括第二下部延伸部，所述第二下部延伸部位于所述第一键合焊盘与所述第二键合焊盘之间。13.如权利要求3所述的发光二极管，其中，所述第二台面的一部分位于所述第一台面与所述第一侧面之间。14.如权利要求8所述的发光二极管，其中，所述第二部的末端朝向横穿所述第一键合焊盘及所述第二键合焊盘的虚拟的线。15.如权利要求7所述的发光二极管，其中，所述多个台面包括多个第三台面，所述多个第三台面位于所述第二台面与所述第三侧面之间，所述第一台面位于所述多个第三台面之间，所述第二上部延伸部还包括第三部，所述第三部位于所述第三台面上，且与所述第三侧面平行。16.如权利要求15所述的发光二极管，其中，所述第三部的长度大于所述第二部的长度。17.如权利要求16所述的发光二极管，其中，所述第三部的宽度大于所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：金每恞，李剡劤，尹馀镇，李珍雄，柳龙禑，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR